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公开(公告)号：CN114978045A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210539947.4
申请日：2022-05-18
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种双频Doherty功率放大器及射频分立器件，其中放大器包括：输入电路、第一放大电路、第二放大电路以及输出电路；其中，第一放大电路和第二放大电路的电路结构相同，且相对称；输入电路包括50欧姆阻抗线和金属通孔地；50欧姆阻抗线连接至第一放大电路；金属通孔地连接至第二放大电路；第一放大电路的输出端和第二放大电路的输出端均连接至输出电路。本发明一方面通过稳定与增益平衡电路在增益、稳定性和线性度之间进行了折衷，提高了合路后的电路线性度，另一方面利用阻抗预调节电路将双频最优阻抗点调节到接近点，降低了输出端电路双频匹配的难度与电路结构的复杂度。本发明可广泛应用于无线通信领域。
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公开(公告)号：CN114221624B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202111334476.5
申请日：2021-11-11
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种低噪声放大器及芯片，其中低噪声放大器包括：噪声抵消电路，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管；其中，第一晶体管与第二晶体管组成了一个噪声抵消环路，为整体电路提供平坦的低噪声系数和输入匹配；增益调节电路，包括第五晶体管、第六晶体管和增益调谐单元；通过调节第六晶体管的栅极偏置来实现增益控制，可以更灵活地控制增益变化，且电路结构简单。另外，在第二晶体管处使用了gm‑boosting技术，降低了对第二晶体管M2尺寸的要求。本发明可广泛应用于微波低噪声放大器技术领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115020953B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210667130.5
申请日：2022-06-14
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01P5/107
Abstract: 本发明公开了一种基于微带脊间隙波导的毫米波背靠背层间过渡转换结构，包括：上层是通过多层印刷电路板技术加工而成的输入输出端口的介质馈电层，由微带线和非等宽基片集成波导谐振腔组成；下层是通过多层印刷电路板技术加工和机械加工制成的而成的微带脊间隙波导传输层，所述的微带脊间隙波导传输线层由上中下三层平面结构组成：上层是具有两个矩形耦合缝隙的金属接地面，中间层是包含微带线和金属化过孔的金属微带脊线，以及围绕在金属微带脊线周围的蘑菇型阵列，最下层是通过机械加工而成的封闭金属腔体。整个过渡转换结构体积小、质量轻，集成度高，在工作带宽内实现宽频带和低损耗传输。本申请可广泛应用于电磁场与微波技术领域。
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公开(公告)号：CN114978061A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210536527.0
申请日：2022-05-17
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种双频高效率功率放大器及芯片，其中放大器包括：输入级电路、第一放大电路、第二放大电路和输出级电路，第一放大电路和第二放大电路的电路结构相同，且相对称；第一放大电路包括依次连接的第一双频匹配电路、第一放大晶体管、第二双频匹配电路、第二放大晶体管以及第三双频匹配电路；第一双频匹配电路的输入端连接输入级电路的输出端，第三双频匹配电路的输出端连接输出级电路的输入端。本发明采用了两路两级对称结构，第一级放大电路为增益级，能提供电路足够的增益，第二级放大电路为功率级，能提供电路足够高的输出功率；且末级两路功率合成结构实现了3W的输出功率。本发明可广泛应用于无线通信技术领域。
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公开(公告)号：CN115020953A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210667130.5
申请日：2022-06-14
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01P5/107
Abstract: 本发明公开了一种基于微带脊间隙波导的毫米波背靠背层间过渡转换结构，包括：上层是通过多层印刷电路板技术加工而成的输入输出端口的介质馈电层，由微带线和非等宽基片集成波导谐振腔组成；下层是通过多层印刷电路板技术加工和机械加工制成的而成的微带脊间隙波导传输层，所述的微带脊间隙波导传输线层由上中下三层平面结构组成：上层是具有两个矩形耦合缝隙的金属接地面，中间层是包含微带线和金属化过孔的金属微带脊线，以及围绕在金属微带脊线周围的蘑菇型阵列，最下层是通过机械加工而成的封闭金属腔体。整个过渡转换结构体积小、质量轻，集成度高，在工作带宽内实现宽频带和低损耗传输。本申请可广泛应用于电磁场与微波技术领域。
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公开(公告)号：CN114844470A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210309131.2
申请日：2022-03-28
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种低噪声放大器及芯片，其中放大器包括：第一电容和第三电感的连接点与第一电感的一端连接；第一晶体管的源极通过第二电感接地，第一晶体管的漏极与第二晶体管的源极连接；第一电感和第二电感构成第一变压器；第二晶体管的漏极通过第五电感连接到电源，第二晶体管的漏极与第三晶体管的栅极连接；第三晶体管的源极通过第七电感接地，第三晶体管的漏极通过第八电感与第四晶体管的源极连接；第五电感和第七电感构成第二变压器；第四晶体管的漏极通过第九电感连接到电源；第八电感和第九电感构成第三变压器。本发明基于变压器耦合结构来实现毫米波频段上宽带低噪声放大器，有效减小了电路的面积，可广泛应用于半导体技术领域。
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公开(公告)号：CN114221624A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111334476.5
申请日：2021-11-11
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种低噪声放大器及芯片，其中低噪声放大器包括：噪声抵消电路，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管；其中，第一晶体管与第二晶体管组成了一个噪声抵消环路，为整体电路提供平坦的低噪声系数和输入匹配；增益调节电路，包括第五晶体管、第六晶体管和增益调谐单元；通过调节第六晶体管的栅极偏置来实现增益控制，可以更灵活地控制增益变化，且电路结构简单。另外，在第二晶体管处使用了gm‑boosting技术，降低了对第二晶体管M2尺寸的要求。本发明可广泛应用于微波低噪声放大器技术领域。
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