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公开(公告)号：CN101186493A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710031853.1
申请日：2007-11-30
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , H01L41/187
Abstract: 本发明公开了一种提高铋层结构压电铁电陶瓷材料致密度的方法。按化学式(Am－1BmO3m+1)2－(Bi2O2)2+摩尔比A∶B∶Bi＝m－1∶m∶2计算、称取原材料，其中A为适合于12配位的一价、二价、三价或四价金属离子，B为适合于八面体配位的三价、四价、五价或六价金属离子；经过混合、预合成、粉碎、成型、烧结等工序制备。烧结工艺为：以2～5℃/min的升温速率升温至1100～1250℃，在1～5min内将温度迅速降低50～150℃，在950～1150℃低温保温5～20hr，以3～7℃/min的速度降温至500℃后，随炉自然冷却。采用本发明可以获得细晶、致密的铋层结构压电铁电陶瓷材料。
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公开(公告)号：CN101186497A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710032257.5
申请日：2007-12-07
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622 , H01L41/187
Abstract: 本发明公开了一种提高铋层结构压电铁电陶瓷材料高温电阻率的方法，该方法包括配料、材料预处理和分段烧结，铋层结构压电铁电陶瓷材料的化学通式为A(Bi4－xLnx)Ti4－yByO15，其中A为元素Ca、Sr和Ba中至少一种；B为元素V、W和Nb中至少一种；0＜x≤0.5，0＜y≤0.1。分段烧结是以2～5℃/min的速率将温度由室温升高到1100～1200℃，在1～5min内降至1000～1100℃，以5℃/min的速度冷却至500℃后，随炉自然冷却。本发明可以获得在450℃下电阻率高达1.0×107～2.5×109Ω·m的铋层结构压电铁电陶瓷材料。该材料可应用于高温介电、压电陶瓷等领域。
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公开(公告)号：CN119619780A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411879145.3
申请日：2024-12-19
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于三端电阻监测的SiC MOSFET最大浪涌电流测试及失效分析方法和装置。通过施加步进浪涌电流并结合三端电阻的在线监测，快速评估器件在极端应力下的性能变化，从而判断其最大单次浪涌电流承受能力及失效模式。具体步骤包括对待测SiC MOSFET施加适当的栅极偏压，并设定浪涌电流产生电路的参数。在施加步进单次浪涌电流后，测量并记录栅源、漏源和栅漏端的三端静态电阻值。通过监测电阻值的变化，确定最大单次浪涌电流大小并判断器件的失效模式，明确开路、短路、漏电和烧毁等模式。该方法不仅操作简便，成本低廉，且能在不使用高精度仪器的情况下，快速提供SiC MOSFET的可靠性信息。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106010036A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610580117.0
申请日：2016-07-21
Applicant: 中国科学院广州能源研究所 , 华南理工大学
IPC: C09D133/04 , C09D125/14 , C09D5/33 , C09D7/12 , B01J13/02
CPC classification number: C09D133/04 , B01J13/02 , C08K2201/011 , C08L2205/02 , C08L2205/025 , C08L2205/035 , C09D5/004 , C09D7/65 , C09D125/14 , C08L33/02 , C08K9/10 , C08K2003/2241 , C08K2003/2244 , C08K2003/2296 , C08K2003/2231 , C08L71/00
Abstract: 本发明针对目前相变控温微胶囊涂料太阳反射率低、涂膜不均匀等问题，提出一种基于双层壳体相变控温微胶囊的热反射型外墙建筑隔热水性涂料及其制备方法，采用双层壳体相变控温微胶囊、高折光指数氧化物的混合物为隔热功能填料；其中双层壳体相变控温微胶囊的芯材为相变温度在38℃～45℃之间的石蜡，双层壳体包括聚合物内壳层和高折光指数氧化物颗粒外壳层，且高折光指数氧化物颗粒粒径在150～350纳米之间，涂料的太阳能反射比达到85％以上，且具有一定相变控温功能，并且涂膜均匀。
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公开(公告)号：CN103332734B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201310268234.X
申请日：2013-06-28
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种制备CaBi4Ti4O15纳米粉体的方法，属于功能陶瓷材料领域。本发明的制备方法采用了溶胶凝胶法和两次水热法，包括以下步骤：由五水硝酸铋、钛酸四丁酯、一水乙酸钙分别提供CaBi4Ti4O15中Bi、Ti和Ca，通过乙二醇溶解硝酸铋，滴加钛酸四丁酯和一水乙酸钙水溶液进行溶胶凝胶制备，将干燥凝胶研磨成粉末，经过两次水热法反应，第一水热反应温度为180～200℃，第二次水热反应温度为260～280℃，经过滤、洗涤、干燥后得到CaTi4Bi4O15纳米粉体。与现有的制备方法相比，合成温度低，节约能源。本发明实现了低温条件下CaBi4Ti4O15纳米粉体的制备，晶相单一，晶粒结晶良好。
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公开(公告)号：CN103332734A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310268234.X
申请日：2013-06-28
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种制备CaBi4Ti4O15纳米粉体的方法，属于功能陶瓷材料领域。本发明的制备方法采用了溶胶凝胶法和两次水热法，包括以下步骤：由五水硝酸铋、钛酸四丁酯、一水乙酸钙分别提供CaBi4Ti4O15中Bi、Ti和Ca，通过乙二醇溶解硝酸铋，滴加钛酸四丁酯和一水乙酸钙水溶液进行溶胶凝胶制备，将干燥凝胶研磨成粉末，经过两次水热法反应，第一水热反应温度为180～200℃，第二次水热反应温度为260～280℃，经过滤、洗涤、干燥后得到CaTi4Bi4O15纳米粉体。与现有的制备方法相比，合成温度低，节约能源。本发明实现了低温条件下CaBi4Ti4O15纳米粉体的制备，晶相单一，晶粒结晶良好。
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公开(公告)号：CN101721967B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201010019516.2
申请日：2010-01-20
Applicant: 华南理工大学
IPC: B01J13/02 , C04B35/624 , H01F1/11
Abstract: 本发明公开了含有超顺磁性Fe3O4纳米晶的中空微球及其制备方法。该中空微球以二氧化硅壳层为中空微球外壳，二氧化硅壳层厚度为10～50nm；二氧化硅壳层内部含有Fe3O4纳米晶，Fe3O4纳米晶具有疏水性。制备方法采用沉淀-相分离法，先将疏水的Fe3O4纳米晶分散在二氧化硅前驱体Si(OR)4与疏水高分子的有机溶液中，加入含表面活性剂的水溶液，利用高分子的快速沉淀包埋Fe3O4纳米晶和Si(OR)4形成复合微球，加入氨水催化Si(OR)4水解缩聚，在复合微球表面形成SiO2壳层；通过溶剂溶解将高分子除去。本发明的中空微球具有超顺磁性，在靶向药物载体等生物医学领域具有广阔应用前景。
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公开(公告)号：CN101172849A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710031091.5
申请日：2007-10-26
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种低温烧结的高介电常数电介质陶瓷及其制备方法。该陶瓷以总重量百分比计，CaTiSiO5占53％～81％，SrTiO3占5％～34％，CaTiO3占0％～36％，Bi2Ti3O9占0％～2％，Bi2O3占0～2％，Nb2O5占0～0.5％，玻璃成分占2％～10％。制备时，将原料混合行星球磨，烘干，加入粘结剂造粒后，通过单轴加压，制备出直径10－20mm，厚度2－3mm的圆片，在880－1000℃，大气气氛下烧结3小时。该陶瓷不含稀土元属，价格低廉，保持高的介电常数，相对小的介电常数温度系数，可用于高频稳定陶瓷电容器或温度补偿陶瓷电容器等。
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