公开(公告)号：CN116598316A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202310355654.5

申请日：2023-04-06

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 宁洪龙 ,  梁志豪 ,  姚日晖 ,  彭俊彪 ,  吴为敬 ,  符晓 ,  付钰斌 ,  曾璇 ,  郭晨潇 ,  邹文昕

IPC: H01L27/12 ,  H10K59/10 ,  H10K59/80 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/18 ,  H10K102/10

Abstract: 本发明公开了一种柔性透明多层电极及其室温制备方法与应用。其制备方法是将功函数较大的半导体层通过磁控溅射工艺沉积于基板上；将功函数较小的金属电极层通过磁控溅射工艺沉积于上述半导体层上；通过磁控溅射工艺沉积同种半导体层于上述金属电极层上。本发明利用功函数差使得金属电极电子向半导体转移形成导电层，使得透明的金属氧化物半导体形成高导层，且仅需要10nm左右的厚度，电阻率仅为20.3μΩ·cm，可见光波段内透过率可达75％。另外由于厚度极薄且非晶，该结构的透明电极具备很好的柔性性能，在静态弯折和动态弯折的测试中，具备良好的稳定性。该结构电极为透明柔性显示的发展提供了巨大的前景。

公开(公告)号：CN114355693B

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202111586266.5

申请日：2021-12-20

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 宁洪龙 ,  李牧云 ,  姚日晖 ,  钟锦耀 ,  符晓 ,  付钰斌 ,  姜雅思 ,  叶倩楠 ,  曾璇 ,  彭俊彪

IPC: G02F1/163

Abstract: 本发明公开了一种用于电致变色器件的电荷补偿装置及控制方法，其中，电荷补偿装置包括霍尔传感器、透过率传感器、充电模块，其中，霍尔传感器、透过率传感器分别与测试元件相连，该测试元件为电致变色器件，霍尔传感器和透过率传感器对电致变色器件的透过率和残余电压进行检测，然后将测试信号输出到充电模块，若透过率超出指定阈值或者残余电压大于0，充电模块对电致变色器件进行电荷补偿，直至电致变色器件的无电荷积累褪色完全。本发明有效解决了电致变色器件褪色残余与电荷积累的问题，进而提高了电致变色器件的寿命。

公开(公告)号：CN114446794A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111600699.1

申请日：2021-12-24

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 宁洪龙 ,  刘泰江 ,  姚日晖 ,  钟锦耀 ,  邹文昕 ,  吴振宇 ,  张康平 ,  郭晨潇 ,  付钰斌 ,  彭俊彪

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明公开了一种实现薄膜晶体管防护的制备方法。本发明先在有源层上方旋涂一层较薄的阻挡层，然后通过一种打印刻蚀的方式，利用导电墨水的溶剂对阻挡层进行定位刻蚀，在外向马朗格尼流动下，绝缘的阻挡层溶质被迁移到外围，而中心形成了较薄且均匀平坦的电极层，进而改善了有源层与导电层之间的界面接触，同时实现了TFT器件的有效防护，工艺简单、耗时短且适于大面积制备。