公开(公告)号：CN112864142A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202110270648.0

申请日：2021-03-12

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 赵斌 ,  孙鹏 ,  余秋萍 ,  赵志斌

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明公开了一种多芯片并联功率模块。该多芯片并联功率模块中的上功率模块包括覆铜陶瓷基板单元、信号汇集区域单元和芯片并联单元；下功率模块与上功率模块的结构相同；覆铜陶瓷基板单元包括栅极覆铜陶瓷基板、辅助源极覆铜陶瓷基板、漏极覆铜陶瓷基板和源极覆铜陶瓷基板；信号汇集区域单元包括栅极信号汇集区域、辅助源极信号汇集区域和源极信号汇集区域；漏极信号汇集区域设在上功率模块的漏极覆铜陶瓷基板的覆铜上；芯片并联单元中的MOSFET芯片并联组包括n个并联且沿周向排布的MOSFET芯片；MOSFET芯片的栅极、源极、辅助源极和漏极分别与相应的信号汇集区域连接。本发明解决了并联芯片间的电流分配不均衡的问题。

公开(公告)号：CN118943137A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410993644.9

申请日：2024-07-24

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 张毅豪 ,  赵斌 ,  孙鹏 ,  赵志斌

IPC: H01L25/18 ,  H02M1/00 ,  H01L23/498 ,  H01L23/367 ,  H01L23/48 ,  H05K1/18

Abstract: 本申请涉及一种适用高压大电流的功率半导体模块，其包括基板以及n组相互平行布置的半桥子模块，其中n≥2，所述半桥子模块通过焊锡连接于基板上，单组半桥子模块呈轴对称结构，且相邻半桥子模块呈中心对称结构。其利用偶数数量的相同的半桥子模块组成一个半桥模块，并将相邻的半桥子模块成中心对对称布置，使得半桥模块运行时流通电流产生的互磁链与自磁链相互抵消，从而减小寄生电感。同时该模块减小了公共支路的长度，提高了模块的散热能力。

公开(公告)号：CN213880658U

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202023175463.1

申请日：2020-12-25

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 赵斌 ,  孙鹏 ,  余秋萍 ,  赵志斌

IPC: H05K7/14 ,  H02M1/00

Abstract: 本实用新型公开了一种功率模块，包括上功率模块以及下功率模块；上功率模块包括覆铜陶瓷基板单元、信号汇集区域单元以及芯片并联单元；覆铜陶瓷基板单元包括栅极、源极、辅助源极以及漏极的覆铜陶瓷基板；漏极和源极的覆铜陶瓷基板叠层放置；信号汇集区域单元包括栅极、源极、辅助源极以及漏极的信号汇集区域；信号汇集区域分别设置在相对应的覆铜陶瓷基板的覆铜上；芯片并联单元包括三个并联的MOSFET芯片；MOSFET芯片的栅极、源极、辅助源极以及漏极分别与相对应的信号汇集区域相连接；上功率模块和下功率模块的结构相同；上功率模块的源极信号汇集区域与下功率模块的漏极信号汇集区域相连接。本实用新型能够改善电流分布的均匀性。

公开(公告)号：CN210743945U

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN202020015518.3

申请日：2020-01-06

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 赵斌 ,  柯俊吉 ,  张浩然 ,  赵志斌

IPC: H01L25/16 ,  H02M1/00

Abstract: 本实用新型公开一种多器件并联功率模块的布局电路板。所述多器件并联功率模块的布局电路板中，第一莲花形BNC接口(包括所述负载正极输出端子和所述负载负极输出端子)位于PCB板中心，碳化硅器件并联模块中的多个并联碳化硅器件以所述第一莲花形BNC接口为圆心采用圆周布局；退耦合电容并联模块中的多个并联退耦合电容以所述第一莲花形BNC接口为圆心采用圆周布局，优化了并联器件的排列位置，使得电路寄生参数匹配，降低了电路杂散电感的分布差异并消除了电流耦合效应，能够改变多器件并联功率模块的暂态电流不平衡，实现较好的并联碳化硅器件的均流特性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN214203683U

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202120523227.X

申请日：2021-03-12

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 余秋萍 ,  孙鹏 ,  赵斌 ,  赵志斌

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/498

Abstract: 本实用新型公开了一种多芯片并联功率模块。该多芯片并联功率模块中的上功率模块包括覆铜陶瓷基板单元、信号汇集区域单元和芯片并联单元；下功率模块与上功率模块的结构相同；覆铜陶瓷基板单元包括栅极覆铜陶瓷基板、辅助源极覆铜陶瓷基板、漏极覆铜陶瓷基板和源极覆铜陶瓷基板；信号汇集区域单元包括栅极信号汇集区域、辅助源极信号汇集区域和源极信号汇集区域；漏极信号汇集区域设在上功率模块的漏极覆铜陶瓷基板的覆铜上；芯片并联单元中的MOSFET芯片并联组包括n个并联且沿周向排布的MOSFET芯片；MOSFET芯片的栅极、源极、辅助源极和漏极分别与相应的信号汇集区域连接。本实用新型解决了并联芯片间的电流分配不均衡的问题。