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公开(公告)号：CN104801688A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510187491.X
申请日：2015-04-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: B22D13/10
CPC classification number: B22D13/101
Abstract: 本发明公开了一种模拟离心铸造的多环薄壁模具，包括底盘，浇口杯，浇道以及铸造模，底盘呈圆形平板状，浇口杯设置在底盘圆心处；铸造模固定在底盘上，呈环形柱状，该铸造模的环圆心与底盘圆心重合；浇道固定在底盘上，用于连通浇口杯和铸造模的腔室；浇道的高度小于铸造模的高度。工作时，离心力使经浇口杯进入的流体通过浇道到达腔室，并进一步自外而内、自下而上充入腔室，以进行金属液体充型过程模拟。本发明装置能模拟流体三维形态的流动过程，能获取合理的模拟试验数据。
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公开(公告)号：CN105514278A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201511000522.2
申请日：2015-12-24
Applicant: 华中科技大学 , 杭州众能光电科技有限公司
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/42 , H01L51/0032
Abstract: 本发明公开了三种新的二元金属盐钙钛矿材料AB1B2X3(X：Cl、Br、I)及其制备方法，以及其在多种结构的钙钛矿太阳能电池制备中应用，属于新材料太阳能电池领域。本材料由有机卤化物金属卤化物B1X2、B2X2(B1:Pb2+；B2:Mg2+、Ca2+、Ba2+；X：Cl、Br、I)，以及有机溶剂(N,N-二甲基甲酰胺DMF、二甲基亚砜DMSO或者γ-丁内酯溶剂)配制成，相比现有的钙钛矿材料降低了有毒铅离子的含量，减小了对环境的污染，有利于实现钙钛矿太阳能电池的产业化应用。
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公开(公告)号：CN105070834A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510450181.2
申请日：2015-07-28
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/42 , H01L51/0001 , H01L51/44
Abstract: 本发明公开了一种基于掺杂型NiO空穴传输层的反式平面结构钙钛矿太阳能结构及其制备方法。属于新材料太阳能电池领域，现有技术中钙钛矿太阳能电池存在电池稳定性差、光电转换性能差等问题，本发明提供了一种基于掺杂型NiO空穴传输层的反式平面结构钙钛矿太阳能电池，其包括在导电基底上沉积一层掺杂一定浓度的Mg、Li等杂原子的NiO致密层，作为空穴传输层，接着制备一层钙钛矿薄膜(APbX3，A＝CH3NH3+或CH(NH2)2+或两者混合物；X＝Cl-、Br-、I-或其混合物)，随后沉积一层电子传输层PCBM，接着沉积一层界面修饰层(包括LiF、BCP或TiOX的一种)，最后沉积一层金属电极(Ag或Al)。所述掺杂型NiO致密膜作为空穴传输层，电池性能稳定、高效、迟滞现象小，有利于实现钙钛矿太阳能电池产业化。
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公开(公告)号：CN119968107A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510062631.4
申请日：2025-01-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于Ga元素的硫系化合物的选通管材料和选通管器件单元，属于微电子技术领域。本发明选通管材料的化学通式为GaxMxQ1‑2x，其中，M为硫系元素S，Se，Te任意一种，Q为掺杂材料，且为In、C、N、Si、As、Sc、Y中的至少一种，x为元素的原子百分比，且0.35≤x≤0.5，0≤1‑2x≤0.3。本申请实施例所提供的选通管材料仅由两种主要元素或两种元素与少量掺杂元素组成，组分相对简单，易于调控，具有漏电流较小，热稳定性较高，开关比较大的优势，集成在三维相变存储器单元中能够有效的降低串扰与静态功耗。
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公开(公告)号：CN119889566A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510332967.8
申请日：2025-03-20
Applicant: 华中科技大学同济医学院附属协和医院
IPC: G16H20/00 , G16H50/30 , G16H50/70 , G06F18/241
Abstract: 本发明涉及健康管理技术领域，具体涉及基于糖尿病肾病的动态健康管理方法、系统及存储介质，包括以下步骤：在动态健康管理系统中，依据个性化健康管理方案的影响因素划分为多个标签集，并给每个标签集匹配个性化标签；获取2型糖尿病肾病患者在各个标签集上的实时个性化标签，并匹配到实时个性化健康管理方案；基于反馈的所述健康指标和所述动作数据，利用调整后的新的个性化标签匹配新的个性化健康管理方案；动态健康管理系统利用神经网络建立得到个性化健康管理方案的动态自适应更新模型。本发明基于组合型个性化标签实现统一标准的健康管理方案匹配，并可以实现及时的随着患者个体情况更新进行健康管理方案的更新，保证健康管理的时效性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118759617A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410959570.7
申请日：2024-07-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请提供了一种基于相变材料与MIM结构的长波红外光吸收器，属于集成光子器件的领域，吸收器包括：反射层、双介质层和超表面层；超表面层用于使光波通过衍射的方式进入双介质层内；反射层与超表面层构成两个反射面，用于使光波经过多次反射，发生FP腔共振；当超表面层为晶态，且光波偏振态与超表面层非平行状态时，反射层与超表面层同时具备金属特性，用于当入射光波的频率与金属中自由电子的集体振荡频率相匹配时，发生等离子体共振；FP腔共振与等离子体共振均导致双介质层内电磁场的局域化和增强，进而增强对光波的吸收。本申请通过改变相变材料的相态，使吸收器在两种光波吸收状态之间发生可逆转换。
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公开(公告)号：CN113921708B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202111154199.X
申请日：2021-09-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，公开了一种基于二维材料面内各向异性的表面型忆阻集成器件及其制备方法，该表面型忆阻集成器件包括：基底、介质层、公共电极和末端电极；公共电极为活性金属材料，末端电极为惰性导电材料，介质层为类黑磷层状结构的二维原子晶体材料且呈L型，L型的两边分别位于二维原子晶体的zigzag晶向和armchair晶向上，公共电极位于L型的转角处，末端电极有两个且分别位于L型的两端。本发明利用金属离子在二维原子晶体两种晶向上的迁移势垒存在差异的特点，沿着介质材料两个不同的晶向制备了一个包含两个忆阻单元的集成器件，通过介质材料自身的各向异性对导电细丝的调制在同一设备中实现不同的功能。
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公开(公告)号：CN116981348A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310937697.4
申请日：2023-07-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种硒化钽忆阻器及其制备方法，属于微电子忆阻器领域，忆阻器包括从下而上的底电极层、硒化物介质层、忆阻功能层和顶电极层；所述硒化物介质层为原位氧化后剩余的二维TaSe2层；所述硒化物介质层和二维氧化产物层层叠为一体，用于改善二维氧化产物层与所述底电极之间的界面接触，降低接触电阻，使氧空位导电细丝生长更加稳定；所述底电极层和顶电极层用于提供电极，当两者间施加正向偏压后，硒化物介质层中形成氧空位导电细丝。本发明提供的硒化物介质层为形成导电细丝创造了必要条件，且能提高导电细丝生长的质量，从而提升忆阻器的性能。
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公开(公告)号：CN116663435A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310956771.7
申请日：2023-08-01
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F30/27 , G06N3/006 , G06F111/06 , G06F113/16
Abstract: 本发明公开一种阻尼母线结构参数优化方法、装置及存储介质，属于电网运维技术领域。方法包括：根据螺旋管式阻尼母线结构建立阻尼母线的等效电路，等效电路包括并联的电阻R和电感L，根据等效电路分别构建流入阻尼母线的特快速暂态过电压u1、阻尼母线上的阻抗发生突变的节点电压u2与电阻R和电感L之间的参数模型；在满足节点电压u2的幅值范围和节点波前陡度的范围的情况下，通过参数模型确定电阻R和电感L的参数集合；采用多目标白鲸优化算法，对电阻R和电感L的参数集合进行寻优，得到电阻R和电感L的最佳参数组合。实现了在螺旋管式阻尼母线最佳VFTO抑制效果时，快速确定电阻R和电感L配合的最优参数，使得VFTO幅值及陡度有效降低的有益效果。
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公开(公告)号：CN116211434A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310059564.1
申请日：2023-01-16
Applicant: 华中科技大学同济医学院附属同济医院
Abstract: 本发明属于医疗器材领域，提供了一种螺纹导送椎体生物性重塑装置，所述椎体生物性重塑装置包括植骨导槽以及用于匹配穿入所述植骨导槽的螺旋植骨推杆，所述螺旋植骨推杆包括导送针，所述导送针表面沿高度方向形成有导送螺纹。本发明解决了一种螺纹导送椎体生物性重塑装置在手术过程中植骨材料不能控制用量，创伤较大的问题。
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