公开(公告)号：CN109616541B

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201811268681.4

申请日：2018-10-29

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  靳雯 ,  周广通 ,  胡一说 ,  任婷婷 ,  吴少雄 ,  王文照 ,  郭振宇 ,  曾洋 ,  肖永红

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了过渡金属硫族化合物横向同质结太阳能电池及其制备方法，属于半导体材料领域。包括绝缘衬底、电极A、电极B、n型过渡金属硫族化合物膜和p型过渡金属硫族化合物膜；所述电极A和电极B分别位于绝缘衬底两端；n型过渡金属硫族化合物膜和p型过渡金属硫族化合物膜由相同化合物组成，横向连接形成p‑n结。本发明采用激光合成法制备n型过渡金属硫族化合物膜，横向同质p‑n结有效降低了p‑n结的晶格失配率，减小了界面缺陷；电极与薄膜功函数匹配，形成良好欧姆接触；电极与薄膜以范德瓦尔斯力结合，可有效避免电极制备工艺对薄膜的损害，以及由此引发的应力及金属扩散等问题发生，使薄膜应用于太阳能电池的转换效率得到提高。

公开(公告)号：CN108666375B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201810356878.7

申请日：2018-04-20

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  王文照 ,  郭振宇 ,  吴少雄 ,  曾洋 ,  胡一说 ,  周广通 ,  靳雯 ,  任婷婷

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/103 ,  H01L31/18 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种纳米层状横向同质PN二极管及其制备方法与应用。所述p型过渡金属硫族化合物膜和n型过渡金属硫族化合物膜均位于介质层的上表面，且横向连接；电极层分别与p型过渡金属硫族化合物膜和n型过渡金属硫族化合物膜纵向连接或横向连接；所述p型过渡金属硫族化合物膜和n型过渡金属硫族化合物膜由相同过渡金属硫族化合物组成。本发明制备方法简单，采用磁控溅射使氧等离子体实现过渡金属硫族化合物高效率低损伤的p型掺杂，实现了有效、可控掺杂，得到的二极管用于光电探测器具有更快光响应和更高探测率。

公开(公告)号：CN109920852A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201910148943.1

申请日：2019-02-28

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  肖永红 ,  胡一说 ,  任婷婷 ,  靳雯 ,  曾洋 ,  王士博 ,  郭振宇 ,  曾薏蓉 ,  鲁基昌

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种基于激光直写的器件制备方法、二维材料器件与MoS2场效应晶体管，所述的方法，包括：在绝缘衬底结构的中间区域涂覆未掺杂前驱体溶液；对所述中间区域进行激光直写，以在所述中间区域形成有源层；所述有源层为本征过渡金属硫族化合物薄膜；在所述绝缘衬底结构的未形成所述有源层的边缘区域涂覆n型掺杂前驱体溶液；对所述边缘区域进行激光直写，以在所述边缘区域形成源漏区层；所述源漏区层为n型过渡金属硫族化合物薄膜；在所述源漏区层蒸镀电极结构，得到所需的二维材料器件。本发明无需进行光刻等图形化步骤，简化了制备工艺。