公开(公告)号：CN117059474A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202310818220.4

申请日：2023-07-05

Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 ,  华中科技大学

Inventor： 蹇鹏承 ,  赵永明 ,  尹君扬 ,  吴峰 ,  陈长清 ,  戴江南

IPC: H01L21/02

Abstract: 本申请涉及一种超大尺寸二硫化钼/氮化镓混维异质结构的制备方法，包括如下步骤：在基底上制备GaN层，得到GaN外延片；对所述GaN外延片表面进行清洁后，用氧等离子体处理所述GaN外延片；配制含钼酸根的碱性溶液，并将所述碱性溶液均匀设置到氧等离子体处理后的GaN外延片上，去除溶剂，得到预制衬底；以单质硫为硫源对所述预制衬底进行化学气相沉积，在所述预制衬底表面形成MoS2层，得到所述超大尺寸二硫化钼/氮化镓混维异质结构。本申请可以形成超大尺寸的二硫化钼/氮化镓混维异质结构，二硫化钼的覆盖率高，且容易形成尺寸较大的单层二硫化钼单晶，且实施步骤简单，能够快速制备超大尺寸二硫化钼/氮化镓混维异质结构。

公开(公告)号：CN114108082A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202111409834.4

申请日：2021-11-24

Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 ,  华中科技大学

Inventor： 单茂诚 ,  张毅 ,  张会雪 ,  赵永明 ,  陈长清 ,  李晓航

IPC: C30B25/18 ,  C30B25/16 ,  C30B29/40 ,  H01S5/343

Abstract: 一种超薄GaN量子阱深紫外激光器制备方法，所述方法包括步骤：准备MOCVD反应室及蓝宝石衬底；在所述蓝宝石衬底上沉积第一厚度的AIN缓冲层；在所述AIN缓冲层上生长第二厚度的AIN模板；在所述AIN模板上形成预设周期的量子阱结构；在所述量子阱结构上生长第三厚度的AIN帽层；从所述蓝宝石衬底的背面抛光减薄至预设厚度；在所述蓝宝石衬底上形成隐形凹槽；沿所述隐形凹槽方向在所述蓝宝石衬底上形成光泵浦激光条。本申请提供的一种超薄GaN量子阱深紫外激光器制备方法及深紫外激光器将多周期超薄GaN量子阱作为深紫外激光器的增益区，该量子阱具有较高的辐射发光效率，同时具备横电(TE)模式的偏振特性。

公开(公告)号：CN113206174B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202110397975.2

申请日：2021-04-14

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 张毅 ,  单茂诚 ,  郑志华 ,  赵永明 ,  吴峰 ,  戴江南 ,  陈长清

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/20 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明属于半导体器件领域，具体涉及一种深紫外LED的异质外延衬底及其制备方法和应用，其中异质外延衬底为由纳米片和蓝宝石衬底构成的复合衬底；纳米片均匀地物理覆盖于蓝宝石衬底表面，纳米片的熔点高于深紫外LED外延材料的生长温度，且表面直径大小为5‑1000nm。该复合衬底可通过将纳米片以溶液的形式旋涂或喷涂于蓝宝石衬底表面并通过干燥制得，并应用于深紫外LED上。本发明采用纳米片和蓝宝石衬底复合构成衬底，由于外延材料不能在纳米片上成核，因此可延缓外延材料愈合过程，在愈合过程中大部分位错由于镜像力而弯曲，只有少量位错继续向上延伸，有效的降低了外延层表面处的位错密度，提高了深紫外LED的晶体质量。

公开(公告)号：CN113206174A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202110397975.2

申请日：2021-04-14

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 张毅 ,  单茂诚 ,  郑志华 ,  赵永明 ,  吴峰 ,  戴江南 ,  陈长清

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/20 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明属于半导体器件领域，具体涉及一种深紫外LED的异质外延衬底及其制备方法和应用，其中异质外延衬底为由纳米片和蓝宝石衬底构成的复合衬底；纳米片均匀地物理覆盖于蓝宝石衬底表面，纳米片的熔点高于深紫外LED外延材料的生长温度，且表面直径大小为5‑1000nm。该复合衬底可通过将纳米片以溶液的形式旋涂或喷涂于蓝宝石衬底表面并通过干燥制得，并应用于深紫外LED上。本发明采用纳米片和蓝宝石衬底复合构成衬底，由于外延材料不能在纳米片上成核，因此可延缓外延材料愈合过程，在愈合过程中大部分位错由于镜像力而弯曲，只有少量位错继续向上延伸，有效的降低了外延层表面处的位错密度，提高了深紫外LED的晶体质量。