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公开(公告)号：CN101777599B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201010113644.3
申请日：2010-02-25
Applicant: 华中科技大学
Inventor： 赵彦立
IPC: H01L31/08 , H01L31/0232 , H01L31/18 , H04B10/08
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种光通信用激子光探测器及其的制备方法。该激子光探测器包括衬底、层叠于所述衬底之上的多层薄膜，以及制备于所述多层薄膜之上的光子晶体；所述多层薄膜按层叠顺序包括分布布拉格反射镜层、透明导电电极、光吸收层、电子受体层、金属环形电极。所述光吸收层采用单壁碳纳米管作为光吸收材料，所述光子晶体具有光栅衍射效应。本发明光通信用光探测器与传统半导体PN结探测器相比，具有高速率、长波长、高灵敏度、低噪声、易集成和低成本的特点，并且应用光子晶体结构解决了激子光探测器中激子扩散长度与光吸收效率的矛盾问题，具有普遍意义。
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公开(公告)号：CN101492151A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200910060776.1
申请日：2009-02-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: B82B1/00 , B82B3/00 , C01B31/02 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种高电导率透明金属型单壁纳米碳管薄膜，该薄膜主要由衬底和位于其上方的金属型单壁纳米碳管层组成，在透光率为85％的条件下，该薄膜的方块电阻小于100Ω；该薄膜由湿法工艺制得，其步骤包括混合型单壁纳米碳管原材料的获得、混合型单壁纳米碳管的分离、金属型单壁纳米碳管层的制备。本发明用透明的金属型单壁纳米碳管薄膜取代现有技术中通用的透明导电电极ITO，可以降低光电器件的制造成本，提高器件性能；与透明导电电极ITO相比，所述金属型单壁纳米碳管薄膜具有制作工艺简单和便于大规模生产等优点，特别适合应用于柔性衬底上光电器件的制造领域。
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公开(公告)号：CN101446759A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810154430.3
申请日：2008-12-24
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司 , 华中科技大学
IPC: G03F7/00
Abstract: 一种纳米压印用二次压印模板的制作方法及其二次压印模板，方法是使用刻有分布反馈光栅图案的一次压印模板，是利用电子束直写技术在一次模板上制作100～1000个分布反馈光栅结构，在分布反馈光栅中间具有相移结构的一次压印模板，利用分步重复压印方法在另一基片上连续印制，将该基片制作出具有多个与一次压印模板上的分布反馈光栅图案相同的直径为2～4英寸大小的二次压印模板。压印方法是采用热压印方法，或采用紫外固化压印方法，或微接触压印方法中的一种。采用上述方法制作的二次压印模板，包括有基板，在基板上形成有多数个相同的密集波分复用系统用半导体激光器的分布反馈光栅结构。本发明具有光栅分辨率高、重复性好，制作成本低，生产效率高的特点。
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公开(公告)号：CN111403540B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202010040041.9
申请日：2020-01-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种雪崩光电二极管，包括：从上到下依次分布的第一接触层、本征吸收层、本征分压层、电荷控制层、倍增层和第二接触层；通过在本征吸收层和电荷控制层之间加入本征分压层，通过采用本征分压层，基于电势和电场的之间的关系，在不影响吸收层和倍增层电场的电场相对分布的前提下，增加雪崩光电二极管的厚度，从而降低由于电子空穴对的空间电荷效应而导致的倍增层的电场下降量，提高了雪崩光电二极管的线性度，与此同时，本发明并没有减小耗尽吸收层的厚度，雪崩光电二极管的响应度较高，能够同时兼顾雪崩光电二极管线性度与响应度性能。
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公开(公告)号：CN111403540A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010040041.9
申请日：2020-01-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种雪崩光电二极管，包括：从上到下依次分布的第一接触层、本征吸收层、本征分压层、电荷控制层、倍增层和第二接触层；通过在本征吸收层和电荷控制层之间加入本征分压层，通过采用本征分压层，基于电势和电场的之间的关系，在不影响吸收层和倍增层电场的电场相对分布的前提下，增加雪崩光电二极管的厚度，从而降低由于电子空穴对的空间电荷效应而导致的倍增层的电场下降量，提高了雪崩光电二极管的线性度，与此同时，本发明并没有减小耗尽吸收层的厚度，雪崩光电二极管的响应度较高，能够同时兼顾雪崩光电二极管线性度与响应度性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103929252B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410172677.3
申请日：2014-04-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: H04B10/61
Abstract: 本发明属于光电通信器件技术领域，公开了一种基于雪崩光电二极管APD的相干接收机，包括：多模干涉耦合器MMI、可变光衰减器VOA以及雪崩光电二极管APD；光信号通过入射波导进入所述多模干涉耦合器MMI；所述多模干涉耦合器MMI的输出端与所述可变光衰减器VOA的输入端相连；所述可变光衰减器VOA的输出端与所述雪崩光电二极管APD的输入端相连。本发明提供的基于雪崩光电二极管APD的相干接收机，通过APD的内部增益，与本振光共同作用，实现信号放大，降低了系统对本地激光器的发射光功率的要求，使相干接收机具有高灵敏度，低功耗的特点。
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公开(公告)号：CN103615961B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201310584923.1
申请日：2013-11-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01B7/004
Abstract: 本发明属于光电位敏探测定位技术领域，公开了一种螺旋光电位敏定位装置及方法；包括：基座、第一螺旋电极、第二螺旋电极以及第三螺旋电极；基座采用光电导材料；第一螺旋电极、第二螺旋电极以及第三螺旋电极均为螺旋线形结构，生长在基座上；第三螺旋电极的螺旋线铺设在第一螺旋电极的两条相邻螺旋线的正中位置；第二螺旋电极的螺旋线铺设在第一螺旋电极的螺旋线与第三螺旋电极的螺旋线的正中位置；第一螺旋电极与第三螺旋电极为阳极，外接电压测量装置；第二螺旋电极为公共阴极。本发明螺旋线形的电极在光斑照射位置形成电路通路，获得两组探测器之间的电压差，从而计算得到光斑照的二维极坐标值；结构简单精度高。
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公开(公告)号：CN104990632A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510413840.5
申请日：2015-07-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明属于通信技术领域，公开了一种门控差分单光子探测系统，包括：第一门电路、第一偏置电路、APD、第一放大器、第二门电路、第二偏置电路、可调电容、移相器、第二放大器、减法器、低噪声放大器以及雪崩鉴别电路；第一门电路与APD相连；第一偏置电路与APD相连；第一放大器与APD相连；第二门电路与可调电容相连；第二偏置电路与可调电容相连；移相器与可调电容相连；第二放大器与移相器相连；减法电路分别与第一放大器和第二放大器相连；低噪声放大器的输入端与减法器相连，输出端与雪崩鉴别电路相连；放大差分信号并进行雪崩信号提取，输出雪崩脉冲信号。本发明通过门控反馈控制机制，大大降低了尖峰噪声和后脉冲效应，提升探测频率。
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公开(公告)号：CN103022218B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201210572301.2
申请日：2012-12-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种雪崩光电二极管及其制造方法，特别涉及一种InAs雪崩光电二极管；所述的二极管采用吸收电荷倍增分离结构，其中倍增层采用超晶格结构。本发明还涉及一种制造所述InAs雪崩光电二极管的方法，主要步骤为：S1.产生采用多量子阱超晶格结构的倍增层；S2.产生电荷层，渐变层以及光窗口层；S3.采用Zn扩散或者Cd扩散工艺形成PN结。本发明主要针对InAs材料的窄带隙属性，采用倍增层超晶格结构降低暗电流，特别是隧穿暗电流；此外采用与InAs材料相匹配的宽带隙材料对二极管的各个结构进一步优化，从而实现低噪声、高增益、高速，高响应。
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公开(公告)号：CN103615982A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310585762.8
申请日：2013-11-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于光电测量技术领域，公开了一种光斑大小的测量装置和方法，利用螺旋线与任意同心圆交点唯一的规律，配合光敏材料形成光斑大小测量装置；所述光斑大小的测量装置包括：双螺旋电极；所述双螺旋包括：呈螺旋线圈状的独立正电极和负电极；所述双螺旋电极采用光敏电导材料；所述双螺旋电极的正电极和负电极相间铺设，呈中心对称；所述螺旋电极的尾端连接电阻测量装置。本发明通过两个光敏材料构成的螺旋电极在待测光斑的照射下阻值变化，来表征待测光斑的大小，操作简单高效。
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