公开(公告)号：CN111403540B

公开(公告)日：2022-02-15

申请号：CN202010040041.9

申请日：2020-01-15

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 赵彦立 ,  田扬

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0216

Abstract: 本发明公开了一种雪崩光电二极管，包括：从上到下依次分布的第一接触层、本征吸收层、本征分压层、电荷控制层、倍增层和第二接触层；通过在本征吸收层和电荷控制层之间加入本征分压层，通过采用本征分压层，基于电势和电场的之间的关系，在不影响吸收层和倍增层电场的电场相对分布的前提下，增加雪崩光电二极管的厚度，从而降低由于电子空穴对的空间电荷效应而导致的倍增层的电场下降量，提高了雪崩光电二极管的线性度，与此同时，本发明并没有减小耗尽吸收层的厚度，雪崩光电二极管的响应度较高，能够同时兼顾雪崩光电二极管线性度与响应度性能。

公开(公告)号：CN111403540A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN202010040041.9

申请日：2020-01-15

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 赵彦立 ,  田扬

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0216

Abstract: 本发明公开了一种雪崩光电二极管，包括：从上到下依次分布的第一接触层、本征吸收层、本征分压层、电荷控制层、倍增层和第二接触层；通过在本征吸收层和电荷控制层之间加入本征分压层，通过采用本征分压层，基于电势和电场的之间的关系，在不影响吸收层和倍增层电场的电场相对分布的前提下，增加雪崩光电二极管的厚度，从而降低由于电子空穴对的空间电荷效应而导致的倍增层的电场下降量，提高了雪崩光电二极管的线性度，与此同时，本发明并没有减小耗尽吸收层的厚度，雪崩光电二极管的响应度较高，能够同时兼顾雪崩光电二极管线性度与响应度性能。