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公开(公告)号：CN111620340A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010427607.3
申请日：2020-05-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: C01B32/921 , B82Y40/00 , C01B32/16
Abstract: 本发明公开了一种原位生长TiC纳米管的方法，属于复合材料技术领域。包括以下步骤：制备碳纳米管；在所述碳纳米管表面采用原子层沉积的方式生长Ti或TiO2；进行真空高温烧结，生成TiC纳米管。采用原子层沉积Ti/TiO2的方式，不仅保留碳纳米管阵列原本的形貌结构，可以有效实现对碳纳米管阵列的均匀包覆，从而规避了其他传统沉积方式的弊端，而且沉积Ti/TiO2的前驱体源很丰富，选择性更高。原位生长TiC纳米管不仅有利于充分发挥碳纳米管阵列结构的特性，而且可以充分发挥TiC的电学和机械性能，拓宽了TiC纳米管在器件中的应用。
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公开(公告)号：CN109899261A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910068779.3
申请日：2019-01-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 本发明公开了一种适用于微牛级场发射电推进系统的喷嘴加工工艺，其中适用于微牛级场发射电推进系统的喷嘴结构，主体是由喷嘴微管道组成的发射体阵列，并且在微管道的内壁和外表面分别均匀沉积有一维纳米材料。本发明主要采用半导体微纳加工技术，通过对SOI硅片进行刻蚀得到理想的发射体喷嘴结构，以此为衬底，在该衬底外表面和内管壁均引入适当形貌和性能的一维纳米材料进行均匀包覆，实现表面修饰和功能化的目的，使喷嘴管口表面的发射点阵列增多的同时，增加内管壁的液压阻力，以降低流速，使发射体工作在离子体系，以便在不产生液滴的情况下，最大程度上利用推进剂产生的电流，从而提升推进器的性能。
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公开(公告)号：CN111470468B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202010324601.3
申请日：2020-04-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种垂直碳纳米管向目标衬底转移的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、采用原子层沉积法在碳纳米管表面沉积纳米量级的第一金属层，使第一金属层与碳纳米管形成欧姆接触；S2、在第一金属层的表面沉积微米量级的第二金属层，以填充碳纳米管表面空隙，形成金属薄膜；S3、在目标衬底表面沉积金属合金，将碳纳米管转移到目标衬底上。本发明采用沉积速率较慢、沉积包覆性好的原子层沉积在碳纳米管表面沉积一层纳米量级、浸滑性好的金属，实现金属纳米颗粒渗透入碳纳米管表面，增加金属纳米颗粒与碳管的接触面积，实现金属原子对碳纳米管的浸润和包覆，进而形成欧姆接触，有效的降低了目标衬底与碳纳米管之间的接触电阻。
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公开(公告)号：CN110428973B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201910636397.6
申请日：2019-07-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种3D体硅微型电容器的制作方法，包括3D体硅衬底结构的制作、适用于该3D结构活性材料的引入和电容器的三种封装与集成。首先，深硅刻蚀得到镂空的3D硅基梳齿衬底，再对梳齿的上下表面和侧壁包覆碳基导电层和活性材料，最后在表面涂敷胶状电解质，并进行封装与集成，得到所述3D体硅微型电容器。相对于传统的梳齿型平面结构，本发明提供的微型电容器电极的纵向高度得到延伸，可利用的电极表面积从二维平面扩展至三维的表面与纵向侧壁，3D电极能负载更多的活性材料，从而使比电容和比能量密度提升；且3D梳齿结构的活性材料引入方法对3D电容器的研究有重要意义，提出的封装和集成方法保证了电容器的稳定和寿命。
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公开(公告)号：CN111470468A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010324601.3
申请日：2020-04-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种垂直碳纳米管向目标衬底转移的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、采用原子层沉积法在碳纳米管表面沉积纳米量级的第一金属层，使第一金属层与碳纳米管形成欧姆接触；S2、在第一金属层的表面沉积微米量级的第二金属层，以填充碳纳米管表面空隙，形成金属薄膜；S3、在目标衬底表面沉积金属合金，将碳纳米管转移到目标衬底上。本发明采用沉积速率较慢、沉积包覆性好的原子层沉积在碳纳米管表面沉积一层纳米量级、浸滑性好的金属，实现金属纳米颗粒渗透入碳纳米管表面，增加金属纳米颗粒与碳管的接触面积，实现金属原子对碳纳米管的浸润和包覆，进而形成欧姆接触，有效的降低了目标衬底与碳纳米管之间的接触电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111620340B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202010427607.3
申请日：2020-05-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: C01B32/921 , B82Y40/00 , C01B32/16
Abstract: 本发明公开了一种原位生长TiC纳米管的方法，属于复合材料技术领域。包括以下步骤：制备碳纳米管；在所述碳纳米管表面采用原子层沉积的方式生长Ti或TiO2；进行真空高温烧结，生成TiC纳米管。采用原子层沉积Ti/TiO2的方式，不仅保留碳纳米管阵列原本的形貌结构，可以有效实现对碳纳米管阵列的均匀包覆，从而规避了其他传统沉积方式的弊端，而且沉积Ti/TiO2的前驱体源很丰富，选择性更高。原位生长TiC纳米管不仅有利于充分发挥碳纳米管阵列结构的特性，而且可以充分发挥TiC的电学和机械性能，拓宽了TiC纳米管在器件中的应用。
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公开(公告)号：CN111863459B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202010601614.0
申请日：2020-06-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于滤波电容、微纳制造技术与电子电路的交叉技术领域，公开了一种贴片式微型滤波电容器的制备方法与应用，采用图形化的3D硅基框架(100)，进行集流体(101)和活性材料(102)的包覆，制得电容器的电极，将其固定于封装外壳下部(103a)，涂覆电解质(104)；最后封装外壳上部(103b)并预留导电连接点，将导电引脚(105)内嵌入壳中，实现电容器的贴片设计导电引脚。本发明对贴片式微型滤波电容器整体流程工艺进行设计，通过半导体工艺实现其贴片电极的定制化制作；采用了简易的封装结构，便于密封；制作尺寸可调的内嵌式导电引脚对电路板进行点焊式电连接，保证了连接可靠性和微缩化集成。最终，将其实际应用于贴片的电路板，实现了滤波功能。
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公开(公告)号：CN110342456A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910558477.4
申请日：2019-06-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS的电离真空计及其制备方法，本发明中的气压计芯片主要采用半导体微纳加工工艺，由SOI硅片上的发射体、门极、阳极构成；发射体是图案化的碳纳米管(CNT)阵列，使用CNT阵列作为冷阴极发射体材料，利用CNT优异的电学和热学性能等，可以降低气压计整体功耗，增强散热性能，从而提高气压计的稳定性；门极(Grid)采用深硅刻蚀加工形成具有高深宽比的三维(3D)对称劈尖结构，有效增强了门极中心的电场强度，这种对称的、具有高深宽比的3D尖端结构形成的高电场可以有效的吸收电子，进而可以明显的提升气压计的精度；通过分开放置气压计的上下两部分，可以根据实际需求切割相应大小的芯片，提高了对芯片资源的利用率，能做到量产和小型化。
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公开(公告)号：CN110428973A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910636397.6
申请日：2019-07-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种3D体硅微型电容器的制作方法，包括3D体硅衬底结构的制作、适用于该3D结构活性材料的引入和电容器的三种封装与集成。首先，深硅刻蚀得到镂空的3D硅基梳齿衬底，再对梳齿的上下表面和侧壁包覆碳基导电层和活性材料，最后在表面涂敷胶状电解质，并进行封装与集成，得到所述3D体硅微型电容器。相对于传统的梳齿型平面结构，本发明提供的微型电容器电极的纵向高度得到延伸，可利用的电极表面积从二维平面扩展至三维的表面与纵向侧壁，3D电极能负载更多的活性材料，从而使比电容和比能量密度提升；且3D梳齿结构的活性材料引入方法对3D电容器的研究有重要意义，提出的封装和集成方法保证了电容器的稳定和寿命。
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公开(公告)号：CN110349848A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910570953.4
申请日：2019-06-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于碳碳键的高性能界面制备方法，通过在碳纳米管CNT与金属之间引入二维纳米材料石墨烯得到了CNT-石墨烯-金属-目标衬底的混合结构，其中CNT与石墨烯同质连接，石墨烯与金属之间“面面”接触，CNT与目标衬底通过石墨烯与金属连接。该结构将CNT与金属之间存在肖特基势垒的“点面”范德华力连接转换为石墨烯与CNT的同质连接，金属-石墨烯将CNT尖端包覆，另外，石墨烯与金属-目标衬底之间“面面”接触，接触力和接触面积增大，共同提升了四者之间的机械强度和边界电阻；同时，CNT与石墨烯的纵向和横向导热的结合提升结构热导率，从而使得结构的机械强度增强，热接触电阻降低，减少了焦耳热的产生，显著提高了器件的可靠性和散热性。
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