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公开(公告)号：CN112228628B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202011149625.6
申请日：2020-10-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: F16K99/00
Abstract: 本发明属于压电微阀门结构领域，具体公开一种压电微阀门的流量控制方法及压电微阀门装置，控制方法包括：实时检测位移检测电容的电容大小，位移检测电容设置于压电微阀门的阀门流道径向两侧；以电容大小作为反馈信号，确定阀门流道当前流阻大小，进而确定当前流量大小；根据当前流量大小，改变压电微阀门中压电陶瓷的输入电压来调节阀门流道的尺寸大小，以使得压电微阀门的流量大小控制在稳定水平。另外，阀门流道由阀门入口、出口以及硅簧片和硅阀底之间的空隙构成，可采用MEMS工艺将硅簧片和硅阀底边缘之间键合密封。本发明能够避免因压电陶瓷电滞回线特征的存在而导致升压和降压过程中压电陶瓷位移不一样，提高流量调节精度，降低流量噪声。
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公开(公告)号：CN109795722A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811601491.X
申请日：2018-12-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种胶体推进器的多物理量表征装置，包括：配重和推进器对称地放在扭摆两端，使得扭摆处于平衡状态；推进器工作产生推力，使得扭摆发生旋转；自准直仪通过反射镜测量扭摆旋转对应的偏转角的变化；推进器在加速电压作用下将推进剂离化成带电液滴，带电液滴喷射后成发射离子束流状；静电透镜将发射状的离子束流准直聚焦成平行离子束流；两个质量分析器电极对包括的四个电极围成一个空间供离子束流通过；离子检测器接收平行离子束流，并根据离子束流电流大小确定推进器的推力、流量和比冲，根据自准直仪测量的旋转角的变化确定的推力标定电流大小确定的推力、流量和比冲。本发明实现对推进器的多物理量表征。
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公开(公告)号：CN112228628A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011149625.6
申请日：2020-10-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: F16K99/00
Abstract: 本发明属于压电微阀门结构领域，具体公开一种压电微阀门的流量控制方法及压电微阀门装置，控制方法包括：实时检测位移检测电容的电容大小，位移检测电容设置于压电微阀门的阀门流道径向两侧；以电容大小作为反馈信号，确定阀门流道当前流阻大小，进而确定当前流量大小；根据当前流量大小，改变压电微阀门中压电陶瓷的输入电压来调节阀门流道的尺寸大小，以使得压电微阀门的流量大小控制在稳定水平。另外，阀门流道由阀门入口、出口以及硅簧片和硅阀底之间的空隙构成，可采用MEMS工艺将硅簧片和硅阀底边缘之间键合密封。本发明能够避免因压电陶瓷电滞回线特征的存在而导致升压和降压过程中压电陶瓷位移不一样，提高流量调节精度，降低流量噪声。
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公开(公告)号：CN109795978A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811599386.7
申请日：2018-12-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微型硅针管技术领域，更具体地，涉及一种微型空心硅针管阵列及其制作方法。其根据微型空心硅针管阵列的特点和需求，充分利用SOI硅片衬底和MEMS加工工艺的优势，针对性对空心硅针管阵列的制作方法进行重新设计，相应获得了一种微型空心硅针管阵列，减小了空心硅针管的微流管道直径以及硅基阵列的体积与重量，进一步增大了液体在硅针管中的流阻，并同时减小空心微针管的尖端尺寸，由此解决现有技术的微型空心硅针管阵列加工成本高、耗时长、加工精度受限等的技术问题。
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公开(公告)号：CN116759277A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310750533.0
申请日：2023-06-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于真空微电子技术领域，具体涉及一种提高电子源栅网电子透过率的方法，包括在电子源的栅网结构中各阵列单元表面及侧壁的金属导电层上沉积驻极体材料，其中，金属导电层经引线引出；对驻极体材料充电以形成驻极体，驻极体的形成使得栅网的各个阵列单元之间产生聚焦电场，形成的聚焦电场会改变阵列化阴极发射体所发射电子的运动轨迹，使得阵列化阴极发射体发射的电子不会轰击到栅网表面从而越过栅网发射出去。本发明方法中栅网表面沉积驻极体材料，利用驻极体材料表面的空间电荷分布改变阴极所发射电子的运动轨迹，有效提高电子透过率，从而增加器件整体的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109899261A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910068779.3
申请日：2019-01-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 本发明公开了一种适用于微牛级场发射电推进系统的喷嘴加工工艺，其中适用于微牛级场发射电推进系统的喷嘴结构，主体是由喷嘴微管道组成的发射体阵列，并且在微管道的内壁和外表面分别均匀沉积有一维纳米材料。本发明主要采用半导体微纳加工技术，通过对SOI硅片进行刻蚀得到理想的发射体喷嘴结构，以此为衬底，在该衬底外表面和内管壁均引入适当形貌和性能的一维纳米材料进行均匀包覆，实现表面修饰和功能化的目的，使喷嘴管口表面的发射点阵列增多的同时，增加内管壁的液压阻力，以降低流速，使发射体工作在离子体系，以便在不产生液滴的情况下，最大程度上利用推进剂产生的电流，从而提升推进器的性能。
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公开(公告)号：CN114251531B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202111573346.7
申请日：2021-12-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种流体连接管及其应用，属于流体或微流体控制领域，本发明中每个出口子流道均包括逐级相连通的M级圆弧流道，并且每一圆弧流道对应的圆弧角和圆的直径均相同；同时，每一个拓扑点流体下游的相邻两圆弧流道所对应的圆共用切线，并且切线方向为拓扑点处流体的速度矢量方向。如此，本发明通过流道拓扑点处的圆弧设计和切线设计防止了湍流的产生，在此基础上，进一步通过流道拓扑点处的对称设计和总长一致设计保证了每个出口子流道的流阻一致性，从而在每个出口子流道内实现了流体流量的高度一致性。
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公开(公告)号：CN114251531A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111573346.7
申请日：2021-12-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种流体连接管及其应用，属于流体或微流体控制领域，本发明中每个出口子流道均包括逐级相连通的M级圆弧流道，并且每一圆弧流道对应的圆弧角和圆的直径均相同；同时，每一个拓扑点流体下游的相邻两圆弧流道所对应的圆共用切线，并且切线方向为拓扑点处流体的速度矢量方向。如此，本发明通过流道拓扑点处的圆弧设计和切线设计防止了湍流的产生，在此基础上，进一步通过流道拓扑点处的对称设计和总长一致设计保证了每个出口子流道的流阻一致性，从而在每个出口子流道内实现了流体流量的高度一致性。
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公开(公告)号：CN111965232A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010705750.4
申请日：2020-07-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N27/62
Abstract: 本发明属于胶体电推进系统应用领域，具体涉及一种胶体电推进系统的电喷雾在轨检测方法及其应用，方法包括：在胶体电推进系统在轨发射的电喷雾按照其发射方向飞行时，对电喷雾施加外力，使部分电喷雾飞行方向发生偏转；在偏转后的飞行方向上设置有良导体电极，当部分电喷雾飞行至撞击良导体电极时，采集该撞击产生的电流信号直至信号消失；处理电流信号得到电喷雾物理特性，完成电喷雾在轨检测。本发明基于外力实现对飞行电喷雾偏转采样、基于电流信号实现电喷雾的物理特性检测，以全面分析电推进系统性能。其中电喷雾采样时仅提取非常小部分的电喷雾进行检查，不影响大部分电喷雾在正常发射方向的飞行过程，能够保证推进系统的连续推力输出能力。
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公开(公告)号：CN111965232B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202010705750.4
申请日：2020-07-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N27/62
Abstract: 本发明属于胶体电推进系统应用领域，具体涉及一种胶体电推进系统的电喷雾在轨检测方法及其应用，方法包括：在胶体电推进系统在轨发射的电喷雾按照其发射方向飞行时，对电喷雾施加外力，使部分电喷雾飞行方向发生偏转；在偏转后的飞行方向上设置有良导体电极，当部分电喷雾飞行至撞击良导体电极时，采集该撞击产生的电流信号直至信号消失；处理电流信号得到电喷雾物理特性，完成电喷雾在轨检测。本发明基于外力实现对飞行电喷雾偏转采样、基于电流信号实现电喷雾的物理特性检测，以全面分析电推进系统性能。其中电喷雾采样时仅提取非常小部分的电喷雾进行检查，不影响大部分电喷雾在正常发射方向的飞行过程，能够保证推进系统的连续推力输出能力。
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