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公开(公告)号：CN105810704A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610145799.2
申请日：2016-03-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/146 , G01J5/20
CPC classification number: H01L27/146 , G01J5/20 , G01J2005/0077 , G01J2005/204
Abstract: 本发明公开了一种广谱成像探测芯片。包括热辐射结构和光敏阵列。广谱入射光波进入热辐射结构后，在纳尖表面激励产生等离激元，驱动图形化金属膜中的自由电子向纳尖产生振荡性集聚，纳尖收集的自由电子与等离激元驱控下涌入的自由电子相叠合，产生压缩性脉动，使电子急剧升温并向周围空域发射主要成分为可见光的热电磁辐射，光敏阵列将热电磁辐射转换为电信号，经预处理后得到电子图像数据并输出。本发明能将广谱入射光波基于压缩在纳空间中的高温电子运动实现二次可见光辐射进而执行光电转换与成图操作，具有波谱适用范围宽、光电灵敏度高、光电响应快以及成本相对低廉的特点。
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公开(公告)号：CN105486415A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510891512.6
申请日：2015-12-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01J9/00
CPC classification number: G01J9/00
Abstract: 本发明公开了一种可寻址测量局域波前的成像探测芯片，包括可寻址加电液晶微光学结构、面阵可见光探测器和驱控预处理模块；液晶微光学结构被划分成可独立施加电驱控信号的多个液晶微光学块，各液晶微光学块具有相同的面形和结构尺寸，被加电液晶微光学块为液晶微透镜阵列块，其余未加电液晶微光学块为液晶相移板块；被液晶微光学块化的液晶微光学结构将与其对应的面阵可见光探测器划分成同等面形和规模的面阵可见光探测器块，并且各面阵可见光探测器块包含同等数量和排布方式的探测器。本发明具有执行可寻址选择及变更局域波前测量的成像探测效能，使用方便，易与常规成像光学系统耦合。
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公开(公告)号：CN108614130B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN201810357732.4
申请日：2018-04-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种增强透射的纳米环形近场光学探针及其制备方法，该探针由光纤纤芯、纳米环形结构、金属膜及中心增强透射孔构成，纳米环形结构分布在光纤纤芯平滑端头的二氧化硅与金属膜的界面处，能使激发光转化成等离激元，聚焦到中心增强透射孔中，并且产生纳米尺度及具备高度方向性的增强透射光。同时通过改变和优化环形结构位置与宽度、金属膜材料及厚度，中心增强透射孔尺寸大小等，皆可以实现纳米聚焦的调控和优化。本发明可用作扫描近场光学显微镜、原子力显微镜和针尖增强拉曼光谱仪的探针，光学探针形成的高方向性纳米尺度增强透射近场光可以用作纳米光刻和亚波长光通信的光源，并且在纳米传感、纳米成像等诸多领域具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN105486415B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201510891512.6
申请日：2015-12-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01J9/00
Abstract: 本发明公开了一种可寻址测量局域波前的成像探测芯片，包括可寻址加电液晶微光学结构、面阵可见光探测器和驱控预处理模块；液晶微光学结构被划分成可独立施加电驱控信号的多个液晶微光学块，各液晶微光学块具有相同的面形和结构尺寸，被加电液晶微光学块为液晶微透镜阵列块，其余未加电液晶微光学块为液晶相移板块；被液晶微光学块化的液晶微光学结构将与其对应的面阵可见光探测器划分成同等面形和规模的面阵可见光探测器块，并且各面阵可见光探测器块包含同等数量和排布方式的探测器。本发明具有执行可寻址选择及变更局域波前测量的成像探测效能，使用方便，易与常规成像光学系统耦合。
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公开(公告)号：CN105938260B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201610390204.X
申请日：2016-06-02
Applicant: 华中科技大学 , 上海航天控制技术研究所
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种基于金属平面微纳线尖簇电极的电调透光率薄膜，其包括：由金属平面微纳线尖有序密集排布构成的一层图案化阴极和一层平面阳极，它们被分别制作在一层纳米厚度的透光基膜/电绝缘膜的上下表面；在加电态下，阴极上可自由移动的电子被阴阳电极间所激励的电场驱控，向金属平面微纳线尖簇其各纳线尖顶聚集，纳线尖金属电连接线上的自由电子分布密度因部分甚至绝大多数电子被纳线尖顶抽走而减少甚至急剧降低。本发明基于金属平面微纳线尖簇电极的电调透光率薄膜可对较宽谱域内的入射波束的光透过率执行电控调变，具有偏振不敏感、驱控灵活以及调光响应快等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105759464B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201610145778.0
申请日：2016-03-15
Applicant: 华中科技大学 , 上海航天控制技术研究所
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种电调光反射率薄膜。包括第一光学介质层，依次设置在第一光学介质层上表面的第一阳极、第二光学介质层和第二阳极，以及设置在第一光学介质层下表面的阴极，阴极为匀质导电膜结构，第一阳极和所述第二阳极均由其上布有M×N元阵列分布的纳孔的导电膜构成；通过调变加载在第一阳极和阴极间的第一时序电压信号以及加载在第二阳极和阴极间的第二时序电压信号，调变阴极上的阵列化电子的密度和分布形态，进而调变电调光反射率薄膜的光反射率。本发明能对宽谱入射波束的光反射率执行电控调变，具有动态范围大、偏振不敏感、驱控灵活精细、调光响应快、光反射态可电控切入与调换的特点。
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公开(公告)号：CN105938259A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201610388269.0
申请日：2016-06-02
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/01
CPC classification number: G02F1/0102
Abstract: 本发明公开了一种基于金属基平面纳尖簇电极的电调透光率薄膜，其包括：由金属平面纳尖簇线密集排布构成的一层图案化阳极和一层平面金属纳膜阴极/阳极，它们被分别制作在透光的纳米厚度的基膜/光学介质层的两个外表面上；在加电态下，图案化阳极中的金属平面纳尖与金属纳膜阴极/阳极间形成局域弯曲的锐化电场阵，阴极/阳极上可自由移动的电子被阴阳电极间所激励的阵列化纳电场驱控，向各纳电场中电场强度最强部位聚集。本发明基于金属基平面纳尖簇电极的电调透光率薄膜可对宽谱域内的强功率入射波束的光透过率执行电控调变，具有偏振不敏感、驱控灵活及调光响应快的特点。
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公开(公告)号：CN105739131A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610147940.2
申请日：2016-03-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/01
CPC classification number: G02F1/0121
Abstract: 本发明公开了一种可寻址电调光反射率薄膜。包括阴极，阳极阵列，以及设置在阴极和阳极阵列间的介电层；阳极阵列由M×N元阵列分布的阳极单元构成，阳极单元由规则排列且相互连通的多个子电极构成，可寻址电调光反射率薄膜被划分为M×N元阵列分布的电调光反射率单元，阳极单元与电调光反射率单元一一对应，构成电调光反射率单元的阳极，所有电调光反射率单元共用阴极；通过阳极单元和阴极对电调光反射率单元执行独立加电操作，进而通过调变加载在电调光反射率单元上的电压信号，实现可寻址电调光反射率的控光操作。本发明具有偏振不敏感、驱控灵活、调光响应快以及反射光强变动范围大的特点。
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公开(公告)号：CN114627900B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202210289619.3
申请日：2022-03-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11B7/0037 , G11B7/0045
Abstract: 本发明属于存储介质定位技术领域，公开了一种能在单一存储介质定位的方法、系统及应用，将光学头采用双物镜或双光点的方案；预制三维体材料的螺旋线以开环的写入方式，将带有层信息的地址写入一定宽度的螺旋线上；在预先制备刻写时在螺旋线特定的位置标识上地址信息。本发明的能在单一存储介质定位的方案，能够保证可在单一体存储材料中能找到不同的逻辑层，实现信息数据的读取与写入操作。通过本发明提出的格式及基于此格式的跳层方案，能够实现精准的跳层操作，对后续实现多层的数据读取和写入具有重要意义；采用此跳层方案一定宽度的螺旋线仅占用较少的存储空间用于标识层号，没有过多的占用用户的存储空间，提升了三维体存储的存储容量。
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公开(公告)号：CN114627900A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210289619.3
申请日：2022-03-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11B7/0037 , G11B7/0045
Abstract: 本发明属于存储介质定位技术领域，公开了一种能在单一存储介质定位的方法、系统及应用，将光学头采用双物镜或双光点的方案；预制三维体材料的螺旋线以开环的写入方式，将带有层信息的地址写入一定宽度的螺旋线上；在预先制备刻写时在螺旋线特定的位置标识上地址信息。本发明的能在单一存储介质定位的方案，能够保证可在单一体存储材料中能找到不同的逻辑层，实现信息数据的读取与写入操作。通过本发明提出的格式及基于此格式的跳层方案，能够实现精准的跳层操作，对后续实现多层的数据读取和写入具有重要意义；采用此跳层方案一定宽度的螺旋线仅占用较少的存储空间用于标识层号，没有过多的占用用户的存储空间，提升了三维体存储的存储容量。
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