公开(公告)号：CN109920852A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201910148943.1

申请日：2019-02-28

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  肖永红 ,  胡一说 ,  任婷婷 ,  靳雯 ,  曾洋 ,  王士博 ,  郭振宇 ,  曾薏蓉 ,  鲁基昌

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种基于激光直写的器件制备方法、二维材料器件与MoS2场效应晶体管，所述的方法，包括：在绝缘衬底结构的中间区域涂覆未掺杂前驱体溶液；对所述中间区域进行激光直写，以在所述中间区域形成有源层；所述有源层为本征过渡金属硫族化合物薄膜；在所述绝缘衬底结构的未形成所述有源层的边缘区域涂覆n型掺杂前驱体溶液；对所述边缘区域进行激光直写，以在所述边缘区域形成源漏区层；所述源漏区层为n型过渡金属硫族化合物薄膜；在所述源漏区层蒸镀电极结构，得到所需的二维材料器件。本发明无需进行光刻等图形化步骤，简化了制备工艺。

公开(公告)号：CN113611701B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202110853004.4

申请日：2021-07-27

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  周宇飞 ,  胡一说 ,  王文照 ,  陆晶晶 ,  王士博 ,  王君豪 ,  王曦雅 ,  肖永红 ,  陈铎 ,  张茂发

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  C23C14/16 ,  C23C14/30 ,  C23C14/58 ,  C23C16/30

Abstract: 本发明公开了一种基于硫化钼的CMOS反相器及其制备方法，属于微电子器件技术领域，包括：硅衬底，其上的介质层上表面制备有横向连接的P型掺杂硫化钼薄膜和N型掺杂硫化钼薄膜；P型薄膜由N型经等离子体掺杂而成；沉积在两薄膜上表面以及两薄膜连接处上表面的三个电极；方法包括：在CVD管式炉前端温区中放入硫粉并加热；将MoO3放置于钼片上后，将带有介质层的硅片倒扣于该钼片上并一同放入CVD管式炉的后端温区，通入惰性气体并加热保温，以形成N型掺杂硫化钼薄膜；将N型薄膜上表面部分遮挡后进行等离子体掺杂，使未被遮挡的部分被掺杂成P型掺杂硫化钼薄膜；制备三个电极，得到基于硫化钼的CMOS反相器。本发明中薄膜受损较小，CMOS反相器整体性能较好。

公开(公告)号：CN113206159B

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202110437540.6

申请日：2021-04-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  王曦雅 ,  胡一说 ,  王文照 ,  陆晶晶 ,  王君豪 ,  肖永红 ,  周宇飞 ,  王士博 ,  陈铎 ,  张茂发

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于半导体器件制备技术领域，具体涉及一种异质结材料及其应用，异质结材料包括：依次层叠设置的硒化钼薄膜、第一钝化层和硫化铅薄膜；其中，硒化钼薄膜通过激光辐射制备得到。该异质结材料可应用于光电探测器，其结构包括：绝缘衬底、上述异质结材料、钝化层和电极。其中，采用激光辐射制备硒化钼薄膜，磁控溅射制备硫化铅薄膜，光刻选择制备异质结区域。该光电探测器可探测红外光和近红外光，并且响应时间短、光响应度高，制备方法具有工艺简便，成本低和大规模生产的优点，因此该异质结光电探测器具有非常广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN113611701A

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN202110853004.4

申请日：2021-07-27

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  周宇飞 ,  胡一说 ,  王文照 ,  陆晶晶 ,  王士博 ,  王君豪 ,  王曦雅 ,  肖永红 ,  陈铎 ,  张茂发

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  C23C14/16 ,  C23C14/30 ,  C23C14/58 ,  C23C16/30

Abstract: 本发明公开了一种基于硫化钼的CMOS反相器及其制备方法，属于微电子器件技术领域，包括：硅衬底，其上的介质层上表面制备有横向连接的P型掺杂硫化钼薄膜和N型掺杂硫化钼薄膜；P型薄膜由N型经等离子体掺杂而成；沉积在两薄膜上表面以及两薄膜连接处上表面的三个电极；方法包括：在CVD管式炉前端温区中放入硫粉并加热；将MoO3放置于钼片上后，将带有介质层的硅片倒扣于该钼片上并一同放入CVD管式炉的后端温区，通入惰性气体并加热保温，以形成N型掺杂硫化钼薄膜；将N型薄膜上表面部分遮挡后进行等离子体掺杂，使未被遮挡的部分被掺杂成P型掺杂硫化钼薄膜；制备三个电极，得到基于硫化钼的CMOS反相器。本发明中薄膜受损较小，CMOS反相器整体性能较好。

公开(公告)号：CN108899267A

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201810648685.9

申请日：2018-06-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  任婷婷 ,  胡一说 ,  王文照 ,  吴少雄 ,  周广通 ,  曾洋 ,  郭振宇 ,  靳雯 ,  王士博

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/0296

Abstract: 本发明属于半导体薄膜材料制备领域，更具体地，涉及一种金属掺杂二硫化钼薄膜材料的制备方法。将含有硫源、钼源和待掺杂金属元素的混合溶液涂覆在基片上，在真空条件下，采用激光照射涂覆有所述混合溶液的基片表面，制备得到金属掺杂的二硫化钼薄膜。本发明的制备方法可以实现硫化钼生长与掺杂一步完成。使用该方法制备金属掺杂的二硫化钼薄膜均匀性好，面积大，并且可以根据金属盐溶液的浓度调节掺杂浓度。通过改变激光辐射的功率、光斑大小和脉冲数目能够实现对晶体结晶形貌的控制。本发明制备方法容易操作，重复率高，制备时间短，效率高。