一种氟化物玻璃及其制备方法

    公开(公告)号:CN107285627B

    公开(公告)日:2020-07-10

    申请号:CN201710616513.9

    申请日:2017-07-25

    Abstract: 本发明公开了一种氟化物玻璃及其制备方法,氟化物玻璃包括摩尔百分比为16%~70%的ZrF4、13%~32%的BaF2、5%~18%的MF、0%~14%的MeF2和0%~28%的MfF3,其中,M为Na、Li中的一种或两种,Me为Zn、Mg、Ca中的一种或多种,Mf为Al、La中的一种或两种。本发明的氟化物玻璃的低成本,适用于在近紫外到中红外波段的光学窗口。本发明所得玻璃截止波长大于6um,成玻璃性能好,适合制备红外激光光纤和光纤放大器基质玻璃及其他光学材料。本发明获得玻璃具有良好的成玻璃性能,良好的化学稳定性,理论损耗低,适合制备低损耗氟化物光纤和掺杂光纤的基质。

    一种直读光谱仪的信号采集与处理方法

    公开(公告)号:CN106596404A

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201611174493.6

    申请日:2016-12-19

    Abstract: 本发明公开了一种新型直读光谱仪的信号采集与处理方法,适用于直读光谱仪周期火花光源特点。首先根据直读光谱仪的分光光路结构,确定待测光各波段对应的分光光路所处的空间位置,放置与各光路波段相对应的光探测模块;对光探测模块输出的电信号进行倒相处理后送入锁相放大器的信号通道进行带通滤波和放大,减少杂散噪声;将与待测信号频率相同的周期信号送入参考通道,调节其相位与待测信号相同;对信号通道与参考信道的输出信号进行互相关运算,抑制与参考信号不相关的噪声;提取相关器输出的低频成分,得到待测信号的幅值和相位信息。本发明可缩小光学系统的体积,减少探测器投入,探测灵敏度高,噪声低,可提高直读光谱仪的分辨率。

    一种多孔纳米压印模板及其制备方法

    公开(公告)号:CN103091980B

    公开(公告)日:2015-01-28

    申请号:CN201310007309.9

    申请日:2013-01-09

    Abstract: 本发明公开了一种孔洞纳米压印模板的制备方法,包括:制备表面镀有铝膜的衬底;对衬底进行阳极氧化和扩孔,氧化时间为阳极氧化开始到衬底表面开始变色所需时长;对样片进行ICP刻蚀,再去除掩膜材料后即得纳米压印模板;ICP刻蚀分为三步完成:(1)无掩膜的多孔氧化层刻蚀,用于去除纳米孔洞层底部的阻挡层,(2)以多孔氧化层为掩膜的铝刻蚀,以将纳米空洞底部的铝膜层刻蚀到底,(3)以多孔铝膜层为掩膜的衬底刻蚀,以将纳米孔洞结构转移至衬底上。本发明还公开了一种利用上述方法制备的纳米压印模板。本发明通过控制多孔氧化层的厚度并保证阳极氧化刚好到达衬底界面,同时配合选择性的干法刻蚀工艺,从而获得大面积上均匀孔洞结构的转移。

    一种纳米压印模板及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN103091979A

    公开(公告)日:2013-05-08

    申请号:CN201310006963.8

    申请日:2013-01-09

    Abstract: 本发明公开了一种纳米压印模板的制备方法,用于制作具有表面高增透性能的微结构,以用于光学器件,该方法包括:制备衬底并在衬底表面镀膜的步骤;对镀膜的衬底进行阳极氧化并进行扩孔处理以形成多孔氧化铝表面的步骤;和对经氧化扩孔处理后的器件进行干法或湿法刻蚀,获得具有粗糙起伏表面的纳米压印模板的步骤;衬底镀膜步骤中,先在衬底表面镀一层钛膜,然后在钛膜上镀铝膜,以增强铝膜的结合强度,防止铝膜上的纳米空洞脱落。本发明还公开了利用该方法制备的纳米压印模板以及具有利用该模板制备的微结构的光学器件。本发明可获得具有圆锥状的纳米孔洞形貌,其表面在微米级范围上具有百纳米级的起伏,从而制备出的微结构具有很好的增透效果。

    一种二维光子晶体结构GaN基LED的制备方法

    公开(公告)号:CN102214742A

    公开(公告)日:2011-10-12

    申请号:CN201110148202.7

    申请日:2011-06-02

    Abstract: 本发明公开了一种二维光子晶体结构GaN基LED的制备方法,包括首先在目标上旋涂一层紫外光刻胶,利用紫外软纳米压印将模板的二维光子晶体结构复制到光刻胶表面,刻蚀去掉残胶,在光子晶体紫外胶上蒸渡一层SiO2或Cr膜,经刻蚀在目标片上得到这种光子晶体图形,将所得的GaN经去胶、清洗、烘干处理即得光子晶体目标片,将所得的目标片进行后续工艺处理,即可完成器件的制作,得到高光提取效率的光子晶体GaN基LED。本发明的方法可以提高刻蚀的选择比,一定范围内可调节光子晶体得占空比,可克服LED芯片表面的不平整问题,较好地通过纳米压印技术制备光子晶体图案,适用于工业生产的GaN基光子晶体LED的制备。

    基于二次反射聚光的太阳能电池

    公开(公告)号:CN101937934A

    公开(公告)日:2011-01-05

    申请号:CN201010286749.9

    申请日:2010-09-19

    Inventor: 刘文 聂晶 王双保

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域,涉及一种基于二次反射聚光的太阳能电池,包括抛物面太阳能聚光器,二次抛物面反射器,分光器件和光伏电池组,光伏电池组由对不同波长的光敏感的光伏电池组成;抛物面太阳能聚光器与二次抛物面反射器的反射面相对,两者共轴且共焦,在抛物面太阳能聚光器的底部开设有经过二次抛物面反射器反射的光通过的孔;经过孔的光被分光器件分开为的不同波长的光,各个不同波长的光被分别入射到光伏电池组中对相应的各个不同波长的光敏感的光伏电池上。本发明同时提供了另一种具有相同发明构思的基于二次反射聚光的太阳能电池。本发明充分发挥了抛物面二次反射的优势,可节省光电池材料,提高效率和产品档次。

    微电子机械系统用微燃料电池及其制作方法

    公开(公告)号:CN1599114A

    公开(公告)日:2005-03-23

    申请号:CN03160005.0

    申请日:2003-09-19

    CPC classification number: Y02P70/56

    Abstract: 一种微电子机械系统用微燃料电池,其特征是:它包括外膜(4、6)、燃料输送口(7)、空气输送口(8)、质子交换膜(5)、阴极多孔催化剂薄膜(3)、阳极多孔催化剂薄膜(1),在所述的质子交换膜(5)的一个表面上覆有所述的阳极多孔催化剂薄膜(1),形成阳极;在其另一个表面上覆有所述的阴极多孔催化剂薄膜(3),形成阴极;在所述的二多孔催化剂薄膜(1、3)的外表面各覆有一带有燃料输送口(7)的外膜(4),和一带有空气输送口(8)的外膜(6);本发明电池具有尺寸较小、能量密度较高,寿命较长的优点,并可作为电子机械系统中持续充电的微能源使用。可与微锂电池组装后,用作电子机械系统微能源。也可作为手机、笔记本电脑等供电的小型便携式电源。

    相变温度可调的氧化钒薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN1598040A

    公开(公告)日:2005-03-23

    申请号:CN200410060770.1

    申请日:2004-08-25

    Abstract: 本发明提供了一种相变温度可调的氧化钒薄膜的制备方法,包括:在硅片上沉积氧化硅薄膜、氮化硅薄膜;采用离子束反应溅射法沉积氧化钒薄膜,工艺条件为:背底真空4×10-4Pa~3×10-3Pa,氧气压强6×10-4Pa~8×10-3Pa,氩气压强1×10-2Pa~2.3×10-2Pa,离子束流功率8W~60W,衬底温度120℃~450℃,溅射时间10~45分钟,靶材为钒靶;对样片进行退火处理,工艺条件为:气体为氩气或氮气,退火温度250℃~580℃,退火时间20~240分钟,得到相变的氧化钒薄膜。由本发明制备的氧化钒薄膜具有不同的相变温度点,可作成适用于不同温度的开关;保证温度控制操作时的高质量、高速度、高响应率。

    一种磁光调制椭偏仪装置及测量方法

    公开(公告)号:CN110596012B

    公开(公告)日:2021-01-15

    申请号:CN201910875400.X

    申请日:2019-09-17

    Inventor: 王惊雷 王双保

    Abstract: 本发明公开了一种磁光调制椭偏仪装置及测量方法,包括由光源发出的非偏振光,通过固定第一起偏器,变为线偏振光;通过第一磁光调制器,线偏振光被调制;通过固定第二起偏器,出射光变为线偏振光;通过第二磁光调制器,线偏振光被调制;经过待测样品反射,反射光进入第三磁光调制器被调制;然后通过固定检偏器,线偏振光进入光电探测器,记录含有样品薄膜的椭偏参数的光强,采用拟合算法对数据进行处理,精确测量样品薄膜的厚度和光学常数;本发明有效解决了现有方法中采用步进电机机械转动旋转偏振器,测量精度、测量重复性和稳定性均有限的问题,提高了测量速度,检测精度、灵敏度和测量装置的可靠性。

    一种磁光调制椭偏仪装置及测量方法

    公开(公告)号:CN110596012A

    公开(公告)日:2019-12-20

    申请号:CN201910875400.X

    申请日:2019-09-17

    Inventor: 王惊雷 王双保

    Abstract: 本发明公开了一种磁光调制椭偏仪装置及测量方法,包括由光源发出的非偏振光,通过固定第一起偏器,变为线偏振光;通过第一磁光调制器,线偏振光被调制;通过固定第二起偏器,出射光变为线偏振光;通过第二磁光调制器,线偏振光被调制;经过待测样品反射,反射光进入第三磁光调制器被调制;然后通过固定检偏器,线偏振光进入光电探测器,记录含有样品薄膜的椭偏参数的光强,采用拟合算法对数据进行处理,精确测量样品薄膜的厚度和光学常数;本发明有效解决了现有方法中采用步进电机机械转动旋转偏振器,测量精度、测量重复性和稳定性均有限的问题,提高了测量速度,检测精度、灵敏度和测量装置的可靠性。

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