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公开(公告)号：CN109795722B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201811601491.X
申请日：2018-12-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种胶体推进器的多物理量表征装置，包括：配重和推进器对称地放在扭摆两端，使得扭摆处于平衡状态；推进器工作产生推力，使得扭摆发生旋转；自准直仪通过反射镜测量扭摆旋转对应的偏转角的变化；推进器在加速电压作用下将推进剂离化成带电液滴，带电液滴喷射后成发射离子束流状；静电透镜将发射状的离子束流准直聚焦成平行离子束流；两个质量分析器电极对包括的四个电极围成一个空间供离子束流通过；离子检测器接收平行离子束流，并根据离子束流电流大小确定推进器的推力、流量和比冲，根据自准直仪测量的旋转角的变化确定的推力标定电流大小确定的推力、流量和比冲。本发明实现对推进器的多物理量表征。
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公开(公告)号：CN110231663B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201910542838.6
申请日：2019-06-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于抗磁体悬浮的惯性传感器，包括：抗磁体悬浮结构，包括：固定永磁体、悬浮永磁体、悬浮永磁体保护结构以及抗磁材料；固定永磁体固定于悬浮永磁体的正上方，用于为悬浮永磁体提供悬浮力，以克服悬浮永磁体的重力，使得悬浮永磁体悬浮；悬浮永磁体保护结构位于悬浮永磁体的外围，抗磁材料对称固定于悬浮永磁体保护结构的内置面，提供对称的抗磁力来限制悬浮永磁体的运动；当抗磁体悬浮结构受到外界作用力导致悬浮永磁体位置发生变化时，抗磁力作为类弹性恢复力以约束悬浮永磁体的位置；光学位移传感器检测悬浮永磁体在空间的位移变化，以确定外界惯性加速度。本发明解决现有重力加速度传感器摩擦力的影响和能量耗散的问题。
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公开(公告)号：CN109899261B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201910068779.3
申请日：2019-01-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 本发明公开了一种适用于微牛级场发射电推进系统的喷嘴加工工艺，其中适用于微牛级场发射电推进系统的喷嘴结构，主体是由喷嘴微管道组成的发射体阵列，并且在微管道的内壁和外表面分别均匀沉积有一维纳米材料。本发明主要采用半导体微纳加工技术，通过对SOI硅片进行刻蚀得到理想的发射体喷嘴结构，以此为衬底，在该衬底外表面和内管壁均引入适当形貌和性能的一维纳米材料进行均匀包覆，实现表面修饰和功能化的目的，使喷嘴管口表面的发射点阵列增多的同时，增加内管壁的液压阻力，以降低流速，使发射体工作在离子体系，以便在不产生液滴的情况下，最大程度上利用推进剂产生的电流，从而提升推进器的性能。
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公开(公告)号：CN109904052B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201811654080.7
申请日：2018-12-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种离子中和器装置及其制备方法，包括：阴极衬底、碳纳米管阵列、金属纳米颗粒、绝缘层以及金属栅网电极；所述碳纳米管阵列沉积在阴极衬底，所述金属纳米颗粒分散在碳纳米管阵列上，均匀修饰所述碳纳米管阵列，成为碳纳米管阵列阴极；所述绝缘层位于所述阴极衬底表面，所述绝缘层为中空的，所述碳纳米管阵列阴极位于绝缘层中空部分；所述金属栅网电极为镂空结构，所述碳纳米管的阵列与金属栅网电极的镂空位置对准，形成三明治结构，确保所述碳纳米管的阵列阴极、金属栅网电极以及绝缘层三者互不导通。本发明降低碳纳米管和衬底间的接触电阻，减少器件的热效应和整体功耗改善中和器的工作寿命和可靠性。
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公开(公告)号：CN107505662B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201710871470.9
申请日：2017-09-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01V7/00
Abstract: 本发明提供了一种三轴MEMS重力仪，包括：敏感探头、位移传感结构，位移检测电路，腔体和水平调节基座；敏感探头包括：两个第一振子单元、一个第二振子单元和支撑结构，第一振子单元的敏感轴与第二振子单元的敏感轴相互正交；第一振子单元包括：正摆结构、倒摆结构、第一检验质量和第一外框，第一检验质量通过正摆结构和倒摆结构与第一外框相连，第一外框与腔体固联；第二振子单元包括：负刚度弹簧、正刚度弹簧、第二检验质量和第二外框，第二检验质量通过正刚度弹簧和负刚度弹簧与第二外框相连，第二外框与腔体固联；位移传感结构设置在第一检验质量和第二检验质量的表面；位移检测电路用于检测位移传感结构的位移信号；水平调节基座用于调节腔体的水平。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110002396A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910188367.3
申请日：2019-03-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种晶圆级三层结构的封装方法，包括：制备上层晶圆结构、中间层晶圆结构和下层晶圆结构；对中间层晶圆结构的背面和下层晶圆结构的正面进行等离子体活化处理；利用键合机将中间层晶圆结构的背面和下层晶圆结构的正面对准，对中间层晶圆结构和下层晶圆结构进行预键合，实现常温下的硅硅直接键合；利用键合机将中间层晶圆结构的正面和上层晶圆结构的背面对准，对中间层晶圆结构和上层晶圆结构进行热压键合，得到晶圆级三层结构，所述热压键合使得中间层晶圆结构和上层晶圆结构键合在一起，同时为所述预键合提供退火的过程，使所述预键合达到需求的键合强度和键合区域。本发明仅通过一次具有压力和温度的键合过程即可获得晶圆级三层结构。
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公开(公告)号：CN109904052A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201811654080.7
申请日：2018-12-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种离子中和器装置及其制备方法，包括：阴极衬底、碳纳米管阵列、金属纳米颗粒、绝缘层以及金属栅网电极；所述碳纳米管阵列沉积在阴极衬底，所述金属纳米颗粒分散在碳纳米管阵列上，均匀修饰所述碳纳米管阵列，成为碳纳米管阵列阴极；所述绝缘层位于所述阴极衬底表面，所述绝缘层为中空的，所述碳纳米管阵列阴极位于绝缘层中空部分；所述金属栅网电极为镂空结构，所述碳纳米管的阵列与金属栅网电极的镂空位置对准，形成三明治结构，确保所述碳纳米管的阵列阴极、金属栅网电极以及绝缘层三者互不导通。本发明降低碳纳米管和衬底间的接触电阻，减少器件的热效应和整体功耗改善中和器的工作寿命和可靠性。
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公开(公告)号：CN109883310A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910153767.0
申请日：2019-02-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01B7/02
Abstract: 本发明公开了一种自平衡式变面积阵列电容位移检测装置及方法；装置包括：位移检测单元、弱信号调理电路、解调电路、低通电路、控制电路、反馈执行机、反馈电流矢量控制电路、载波及解调波发生电路和反馈检测电路；反馈检测电路的输入端连接至低通电路的输出端，反馈电流矢量控制电路的第一输入端连接至控制电路的输出端，反馈电流矢量控制电路的第二输入端连接至反馈检测电路的输出端，反馈执行机的输入端连接至反馈电流矢量控制电路的输出端，反馈执行机的输出端连接至位移检测单元的第一输入端；位移检测单元的第二输入端连接至载波及解调波发生电路的输出端；本发明能够有效解决变面积阵列电容传感器动极板平衡位置的自诊断和自校正问题。
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公开(公告)号：CN109824009A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910002217.9
申请日：2019-01-02
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI工艺的场发射离子中和器芯片的制造方法，包括以下步骤：(1)准备表面抛光的SOI衬底；(2)使用光刻和刻蚀工艺去除目标区域的顶层硅及二氧化硅绝缘层，暴露底层硅；(3)在底层硅上得到阵列式的光刻胶图案，并沉积缓冲层和催化剂层，形成缓冲层-催化剂层阵列；(4)形成碳纳米管阵列得到阴极部分；(5)采用硅片作为栅极基底制备阵列式的透孔结构；(6)在透孔结构上沉积金属薄膜，得到阳极部分；(7)将阴极部分与阳极部分两者键合，得到场发射离子中和器芯片。本发明通过对制备方法整体流程工艺的设计等进行改进，得到的器件能有效克服场屏蔽效应与热效应，具有发射效率佳、功耗低和寿命长的优点。
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公开(公告)号：CN107092038B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201710461918.X
申请日：2017-06-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01V7/02
Abstract: 本发明公开了一种MEMS重力仪；包括：振子单元，位移传感结构，位移检测电路，腔体和水平调节基座；振子单元设置在腔体的内部，振子单元包括：负刚度弹簧、正刚度弹簧、检验质量和外框；检验质量通过正刚度弹簧和负刚度弹簧与外框相连，且正刚度弹簧与负刚度弹簧关于检验质量对称设置，外框与腔体固联；位移传感结构设置在检验质量的表面，位移检测电路用于检测位移传感结构的位移信号；振子单元通过正负刚度弹簧的匹配实现本征频率的降低；通过检测检验质量的位移进而检测重力加速度的变化。MEMS重力仪稳定性高，体积小，质量轻，能够有效地降低生产成本，并且能有效降低信号检测单元和稳定平台的研发难度。
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