一种相变存储器数据写入方法

    公开(公告)号:CN106057236B

    公开(公告)日:2018-10-16

    申请号:CN201610348925.4

    申请日:2016-05-24

    Abstract: 一种相变存储器数据写入方法,属于存储器的数据存储方法,解决现有相变存储器数据写入方法存在的未最大化地利用能耗预算问题,以提升相变存储器(PCM)的写性能和寿命。本发明包括读出数据步骤、分析数据步骤、写入数据步骤。本发明针对PCM写“0”和写“1”的延时及能耗的不对称性,充分利用PCM的能耗预算(power budget),通过分别记录每一个数据单元待修改的“0”和“1”的个数,对每一个数据单元写入顺序重新调度,最大化对能耗预算的利用,进一步缩短PCM的写延迟,从而提升写性能和寿命。

    一种交叉开关结构阻变式存储器性能优化方法及系统

    公开(公告)号:CN107195321B

    公开(公告)日:2020-05-19

    申请号:CN201710337957.9

    申请日:2017-05-15

    Abstract: 本发明公开了一种交叉开关结构阻变式存储器性能优化方法,属于计算机存储器技术领域。本发明方法针对交叉开关结构的阻变式存储器,在存储体内部的每个阵列的位线两端都设计写驱动,上端的写驱动使能阵列上半部分的ReRAM单元,而下端的写驱动使能阵列下半部分的ReRAM单元,同时根据阵列内部不同行延迟不同的特性,将阵列进行快慢区域划分,将热数据映射到快区域,将冷数据映射到慢区域,快区域中确保写入的二进制“0”最少;在慢区域内确保写入的二进制“0”最多。本发明还实现了一种交叉开关结构阻变式存储器性能优化系统。本发明技术方案最大化地降低了ReRAM的访问延迟,提升了ReRAM阵列的可靠性。

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