一种二芳基乙烯荧光分子开关、其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN107652279A

    公开(公告)日:2018-02-02

    申请号:CN201711041701.X

    申请日:2017-10-31

    Abstract: 本发明公开了一种具有聚集诱导发光的二芳基乙烯荧光分子开关、其制备方法及应用。通过引入AIE基团使其获得固态或聚集态强烈发光的能力,在紫外光或可见光的照射下两个二芳基乙烯能够迅速淬灭聚集在周围的荧光基团的荧光,从而达到高荧光开关比的目的。本发明制备的这种光调控的具有AIE效应的荧光分子开关能够打破传统荧光生色团导致荧光淬灭现象的限制,并且在固态和聚集态与在溶液态相比具有高开关比、高荧光淬灭效率等优点,可应用于在固态下信息存储和光电器件等方面,在生物传感、荧光成像等方面也有潜在的应用。

    一种二噻吩基乙烯‑三萘嵌二苯酰亚胺近红外荧光分子开关及其制备方法

    公开(公告)号:CN107033144A

    公开(公告)日:2017-08-11

    申请号:CN201710273180.4

    申请日:2017-04-25

    Abstract: 本发明公开了一种本发明提供了一种近红外荧光分子开关、其合成方法及应用,其目的在于通过将多个二噻吩基乙烯与单个三萘嵌二苯酰亚胺通过氧桥键非共轭相连,可解决单个二噻吩基乙烯不足以完全地开关控制一个荧光基团的缺点,有效地加强荧光开关速度及淬灭效率,构造了高效的蝶形二噻吩基乙烯‑三萘嵌二苯酰亚胺,其中二噻吩基乙烯为光致变色单元,用于控制近红外荧光团的发光与淬灭,三萘嵌二苯酰亚胺为荧光团,该荧光团用于发出650nm~800nm近红外荧光,由此解决现有技术近红外二芳基乙烯荧光分子开关存在很多明显的缺点,如光稳定性差,合成复杂,荧光量子产率低,光响应慢的技术问题。

    一种提高光刻胶粘附性和/或显影速度的方法

    公开(公告)号:CN116594268A

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN202310587830.8

    申请日:2023-05-23

    Abstract: 本发明属于微电子加工技术领域,更具体地,涉及一种提高光刻胶粘附性和/或显影速度的方法。针对光刻前后极性发生从小到大明显变化的光刻胶体系,在不使用增粘剂的情况下,用醇类溶剂作为显影剂,相对于现有技术普遍使用的碱水溶液显影液,显著提高了光刻胶与硅片基底之间的粘附性,同时也大大缩短了显影时间。

    一种二芳基乙烯类化合物在指印荧光显色中的应用

    公开(公告)号:CN111303867B

    公开(公告)日:2021-10-08

    申请号:CN202010108018.9

    申请日:2020-02-21

    Inventor: 李冲 朱明强

    Abstract: 本发明涉及新材料领域,具体公开了一种二芳基乙烯类化合物在指印荧光显色中的应用,使用本发明所述化合物作为荧光显影剂,所述荧光显影剂具有如下结构通式:通式中Ar1为疏水芳环,Ar2为亲水性的芳杂环阳离子。使用本发明所述荧光显影剂溶液能够快速、安全、高效的对不同基底上指印进行显色,显色后的指印具有高分辨率、高对比度,能够清晰的分辨指纹的1~3级细节,能够对个体识别提供有效可靠的证据,为刑事侦查、司法鉴定、科普公益等领域提供一种快捷、高效、安全的指纹荧光显色技术。

    一种二噻吩基乙烯-高阶萘嵌苯分子在无损读出中的应用

    公开(公告)号:CN110136751B

    公开(公告)日:2021-08-20

    申请号:CN201910267539.6

    申请日:2019-04-03

    Abstract: 本发明属于新材料技术领域,更具体地,涉及一种二噻吩基乙烯‑高阶萘嵌苯分子在无损读出中的应用。该二噻吩基乙烯‑高阶萘嵌苯分子包括通过非共轭连接的高阶萘嵌苯基团与二噻吩基乙烯基团,其中,所述高阶萘嵌苯为一个,所述二噻吩基乙烯基团为一个或多个;所述高阶萘嵌苯基团为荧光团,所述二噻吩基乙烯基团为光致变色单元,用于控制所述荧光团的发光与淬灭。该近红外荧光分子开关具有极强的近红外荧光,较高的荧光开/关比,良好的可逆性和抗疲劳性,PET机制证明了TDI‑4DTE的荧光猝灭完全。

    一种聚集诱导荧光探针在指纹荧光成像中的应用

    公开(公告)号:CN110702653B

    公开(公告)日:2020-11-24

    申请号:CN201910983505.7

    申请日:2019-10-16

    Abstract: 本发明涉及新材料荧光探针领域,更具体地,涉及一种聚集诱导荧光探针在指纹荧光成像中的应用。所述荧光探针具有如式(一)所示的结构通式:其中R1和R2为Ar1和Ar2任一位置的取代基,且R1和R2中至少有一个为亲水基团;Ar1和Ar2为芳环。使用本发明所述的荧光探针,再借助普通单反相机,可以将光滑物体表面的潜在指纹通过染色之后用紫外光激发的方法显现出来。更加简便直接地得到低背景噪音且高亮度、高清晰度的荧光指纹成像。

    一种稳定高效制备N-丙烯酰胺类化合物的方法

    公开(公告)号:CN109456219B

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN201811355462.X

    申请日:2018-11-14

    Abstract: 本发明公开了一种制备N‑丙烯酰胺类化合物的方法,属于化工领域。所述方法为向碱性水溶液中加入NH2‑R2或HCl·NH2‑R2,再加入沸点小于等于85℃的有机溶剂,得到反应液;向该反应液中逐滴加入丙烯酰氯或甲基丙烯酰氯,反应温度为5℃~15℃,反应时间为0.5h~2h;旋转蒸发除去有机溶剂和水,得到N‑丙烯酰胺类化合物和盐的混合物,将盐析出后,将滤液旋干,即得到N‑丙烯酰胺类化合物。本发明提高了反应的稳定性,且由于混合溶剂沸点大幅降低,使得除水较快的旋转蒸发方式不会引起聚合,大大缩短了除溶剂所需要的时间。同时优化了纯化方法,最终提高了整个合成路线的效率。

    一种工业数据压缩方法、系统、存储介质及终端

    公开(公告)号:CN111211787A

    公开(公告)日:2020-05-29

    申请号:CN201910955788.4

    申请日:2019-10-09

    Abstract: 本发明属于工业大数据领域,并具体公开了一种工业数据压缩方法、系统、存储介质及终端。S100:获取用户所需的设备数据,将所述设备数据通过BWT算法进行转换,获得所述设备数据的整数字节流;S200:对所述整数字节流进行小波变换,并设计小波系数树,构建小波系数表,并将小波系数表建模过程中的参数写入模型参数表;S300:将所述小波系数表和位置掩码表引入嵌入式零树编码,生成主扫描符号表和辅扫描符号表;S400:联合所述模型参数表,对步骤S300生成的一个或多个主扫描符号表进行哈夫曼编码,输出编码后的码流;S500:将所述码流写入数控系统二维码,完成对所述设备数据的压缩。本发明的工业数据压缩方法,在数据无失真的前提下显著具备高压缩比。

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