一种二噻吩基乙烯-高阶萘嵌苯分子在无损读出中的应用

    公开(公告)号:CN110136751B

    公开(公告)日:2021-08-20

    申请号:CN201910267539.6

    申请日:2019-04-03

    Abstract: 本发明属于新材料技术领域,更具体地,涉及一种二噻吩基乙烯‑高阶萘嵌苯分子在无损读出中的应用。该二噻吩基乙烯‑高阶萘嵌苯分子包括通过非共轭连接的高阶萘嵌苯基团与二噻吩基乙烯基团,其中,所述高阶萘嵌苯为一个,所述二噻吩基乙烯基团为一个或多个;所述高阶萘嵌苯基团为荧光团,所述二噻吩基乙烯基团为光致变色单元,用于控制所述荧光团的发光与淬灭。该近红外荧光分子开关具有极强的近红外荧光,较高的荧光开/关比,良好的可逆性和抗疲劳性,PET机制证明了TDI‑4DTE的荧光猝灭完全。

    二噻吩基乙烯-三萘嵌二苯酰亚胺近红外荧光分子开关及其制备方法

    公开(公告)号:CN107033144B

    公开(公告)日:2019-08-30

    申请号:CN201710273180.4

    申请日:2017-04-25

    Abstract: 本发明公开了一种本发明提供了一种近红外荧光分子开关、其合成方法及应用,其目的在于通过将多个二噻吩基乙烯与单个三萘嵌二苯酰亚胺通过氧桥键非共轭相连,可解决单个二噻吩基乙烯不足以完全地开关控制一个荧光基团的缺点,有效地加强荧光开关速度及淬灭效率,构造了高效的蝶形二噻吩基乙烯‑三萘嵌二苯酰亚胺,其中二噻吩基乙烯为光致变色单元,用于控制近红外荧光团的发光与淬灭,三萘嵌二苯酰亚胺为荧光团,该荧光团用于发出650nm~800nm近红外荧光,由此解决现有技术近红外二芳基乙烯荧光分子开关存在很多明显的缺点,如光稳定性差,合成复杂,荧光量子产率低,光响应慢的技术问题。

    一种二芳基乙烯荧光分子开关、其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN107652279A

    公开(公告)日:2018-02-02

    申请号:CN201711041701.X

    申请日:2017-10-31

    Abstract: 本发明公开了一种具有聚集诱导发光的二芳基乙烯荧光分子开关、其制备方法及应用。通过引入AIE基团使其获得固态或聚集态强烈发光的能力,在紫外光或可见光的照射下两个二芳基乙烯能够迅速淬灭聚集在周围的荧光基团的荧光,从而达到高荧光开关比的目的。本发明制备的这种光调控的具有AIE效应的荧光分子开关能够打破传统荧光生色团导致荧光淬灭现象的限制,并且在固态和聚集态与在溶液态相比具有高开关比、高荧光淬灭效率等优点,可应用于在固态下信息存储和光电器件等方面,在生物传感、荧光成像等方面也有潜在的应用。

    一种二噻吩基乙烯‑三萘嵌二苯酰亚胺近红外荧光分子开关及其制备方法

    公开(公告)号:CN107033144A

    公开(公告)日:2017-08-11

    申请号:CN201710273180.4

    申请日:2017-04-25

    Abstract: 本发明公开了一种本发明提供了一种近红外荧光分子开关、其合成方法及应用,其目的在于通过将多个二噻吩基乙烯与单个三萘嵌二苯酰亚胺通过氧桥键非共轭相连,可解决单个二噻吩基乙烯不足以完全地开关控制一个荧光基团的缺点,有效地加强荧光开关速度及淬灭效率,构造了高效的蝶形二噻吩基乙烯‑三萘嵌二苯酰亚胺,其中二噻吩基乙烯为光致变色单元,用于控制近红外荧光团的发光与淬灭,三萘嵌二苯酰亚胺为荧光团,该荧光团用于发出650nm~800nm近红外荧光,由此解决现有技术近红外二芳基乙烯荧光分子开关存在很多明显的缺点,如光稳定性差,合成复杂,荧光量子产率低,光响应慢的技术问题。

    一种二芳基乙烯荧光分子开关、其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN107652279B

    公开(公告)日:2020-05-19

    申请号:CN201711041701.X

    申请日:2017-10-31

    Abstract: 本发明公开了一种具有聚集诱导发光的二芳基乙烯荧光分子开关、其制备方法及应用。通过引入AIE基团使其获得固态或聚集态强烈发光的能力,在紫外光或可见光的照射下两个二芳基乙烯能够迅速淬灭聚集在周围的荧光基团的荧光,从而达到高荧光开关比的目的。本发明制备的这种光调控的具有AIE效应的荧光分子开关能够打破传统荧光生色团导致荧光淬灭现象的限制,并且在固态和聚集态与在溶液态相比具有高开关比、高荧光淬灭效率等优点,可应用于在固态下信息存储和光电器件等方面,在生物传感、荧光成像等方面也有潜在的应用。

    一种二噻吩基乙烯-高阶萘嵌苯分子在无损读出中的应用

    公开(公告)号:CN110136751A

    公开(公告)日:2019-08-16

    申请号:CN201910267539.6

    申请日:2019-04-03

    Abstract: 本发明属于新材料技术领域,更具体地,涉及一种二噻吩基乙烯-高阶萘嵌苯分子在无损读出中的应用。该二噻吩基乙烯-高阶萘嵌苯分子包括通过非共轭连接的高阶萘嵌苯基团与二噻吩基乙烯基团,其中,所述高阶萘嵌苯为一个,所述二噻吩基乙烯基团为一个或多个;所述高阶萘嵌苯基团为荧光团,所述二噻吩基乙烯基团为光致变色单元,用于控制所述荧光团的发光与淬灭。该近红外荧光分子开关具有极强的近红外荧光,较高的荧光开/关比,良好的可逆性和抗疲劳性,PET机制证明了TDI-4DTE的荧光猝灭完全。

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