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公开(公告)号：CN116594268A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310587830.8
申请日：2023-05-23
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微电子加工技术领域，更具体地，涉及一种提高光刻胶粘附性和/或显影速度的方法。针对光刻前后极性发生从小到大明显变化的光刻胶体系，在不使用增粘剂的情况下，用醇类溶剂作为显影剂，相对于现有技术普遍使用的碱水溶液显影液，显著提高了光刻胶与硅片基底之间的粘附性，同时也大大缩短了显影时间。
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