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公开(公告)号：CN112103396B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202011052262.4
申请日：2020-09-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于电致发光领域，公开了一种电致蓝光薄膜器件及其制备方法，其发光层材料的组分满足A2(BEuX3)n‑1EuX4，其中，A为长链或含有苯环的有机阳离子或其组合；B为有机阳离子、碱金属离子中的一种或多种离子任意比例的组合；Eu为二价铕离子；X为Cl、Br、I中的一种或多种卤素离子任意比例的组合；n取大于1的任意值。本发明通过对发光层材料及其薄膜制备工艺进行改进，采用含有二价铕离子的有机‑无机杂化结构作为发光层材料，相应得到的p‑n结型电致蓝光薄膜器件，通过施加低场直流电可实现蓝光发射，其蓝光峰位标准(440nm‑470nm)，光谱稳定性好，半峰宽窄，辐射效率高；并且，器件结构简单，工艺简便，设备投入低，兼容现有的集成电路工艺，可实现全彩化显示。
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公开(公告)号：CN109713100A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811571654.4
申请日：2018-12-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种制备全无机钙钛矿发光二极管活性层的方法，其特征在于，该方法是先将CsX和PbX2按摩尔比为(1.1～1.4):1混合形成富铯前驱体，接着再将该前驱体放入同一蒸发源中，利用热蒸发方法在待沉积的基底上进行真空沉积得到全无机钙钛矿发光二极管活性层，该全无机钙钛矿发光二极管活性层厚度为100nm～300nm，具有CsPbX3和Cs4PbX6复合相，具有高荧光量子产率，且能够作为发光层最终形成全无机钙钛矿发光二极管。本发明利用同源真空法，通过前驱体的组成及配比的控制，以及热蒸发过程中配合发挥作用的其他参数条件进行改进，利用投料比控制薄膜物相的组分，提高绝对荧光量子产率，得到的全无机钙钛矿薄膜发光效率高、符合理想化学计量比、厚度薄、致密均匀无针孔。
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公开(公告)号：CN108329912A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810048256.8
申请日：2018-01-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种提高非铅卤素钙钛矿材料的荧光产率和稳定性的方法，其特征在于，该方法是将稀土元素RE引入到非铅卤素钙钛矿A3B2X9中，形成稀土元素掺杂的非铅卤素钙钛矿；其中B为Bi或Sb中的一种，X为Cl、Br或I中的一种。本发明通过对产物非铅卤素钙钛矿材料中稀土元素RE的添加量、取代位点，制备方法的整体流程工艺设计、各个步骤的参数及条件进行改进，利用稀土离子调控非铅钙钛矿中金属-卤素八面体扭曲程度和改变金属离子晶体场环境，与现有技术相比能够有效提高非铅卤素钙钛矿材料的荧光产率和稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114220922A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111370767.X
申请日：2021-11-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于热蒸发制备钙钛矿材料领域，公开了一种原位钝化热蒸发钙钛矿材料的方法，该方法是在热蒸发钙钛矿的同时，在同一热蒸发装置中的另一蒸发源中同时蒸发钝化剂，将钝化剂引入钙钛矿材料中。如此利用钙钛矿和钝化剂的共蒸发，可实现热蒸发钙钛矿的原位钝化，即在钙钛矿晶体结构形成的过程中实时引入钝化官能团，实现钙钛矿体内、晶界、表面、界面等的全方位钝化，进而大大提升制得的钙钛矿薄膜的荧光量子产率；此外利用热蒸发方法引入钝化剂，该钙钛矿制备方法相同，设备兼容，工艺简单，可满足大面积大批量的热蒸发钙钛矿薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN112467044B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202011256112.5
申请日：2020-11-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于光电器件领域，公开了一种稀土电致深蓝光器件，自上而下依次包括顶电极、电子传输层、发光层、空穴传输层和底电极，其中，所述发光层采用的材料为Eu基钙钛矿型材料，Eu基钙钛矿型材料中，Eu元素占据钙钛矿ABX3结构中的B位，且不含Pb；所述电子传输层和所述空穴传输层用于将电子或空穴局域在所述发光层，并调节电子和空穴的注入平衡。本发明通过使用Eu基钙钛矿型材料(如CsEuBr3)作为发光层材料构建稀土电致深蓝光器件，由于该材料为无机材料，其稳定性好、不易老化、寿命长，能够拓宽现有显示的色域，解决OLED稳定性差、易老化容易导致蓝光色彩失真的技术问题。
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公开(公告)号：CN112467044A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011256112.5
申请日：2020-11-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于光电器件领域，公开了一种稀土电致深蓝光器件，自上而下依次包括顶电极、电子传输层、发光层、空穴传输层和底电极，其中，所述发光层采用的材料为Eu基钙钛矿型材料，Eu基钙钛矿型材料中，Eu元素占据钙钛矿ABX3结构中的B位，且不含Pb；所述电子传输层和所述空穴传输层用于将电子或空穴局域在所述发光层，并调节电子和空穴的注入平衡。本发明通过使用Eu基钙钛矿型材料(如CsEuBr3)作为发光层材料构建稀土电致深蓝光器件，由于该材料为无机材料，其稳定性好、不易老化、寿命长，能够拓宽现有显示的色域，解决OLED稳定性差、易老化容易导致蓝光色彩失真的技术问题。
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公开(公告)号：CN112331704A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011162243.7
申请日：2020-10-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于显示器技术领域，公开了一种钙钛矿显示面板及其制备方法，该显示面板的发光显示层同时使用绿光像素化单元材料、红光像素化单元材料和蓝光像素化单元材料，能够在电场驱动下实现RGB显示，其中，绿光像素化单元材料为热蒸镀沉积的绿光卤素钙钛矿，红光像素化单元材料和蓝光像素化单元材料分别为热蒸镀沉积的红光有机发光材料和蓝光有机发光材料。本发明利用热蒸镀沉积的绿光卤素钙钛矿作为绿光像素化单元材料，并与热蒸镀沉积的红光有机发光材料和蓝光有机发光材料相配合，得到的钙钛矿显示面板能够在电场驱动下实现RGB显示，能够有效扩宽现有OLED显示面板光谱色域的宽度，提升显示色彩的饱和度和多样性。
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公开(公告)号：CN110190198A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910266861.7
申请日：2019-04-03
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿量子阱电致发光器件及其制备方法，包括在ITO导电玻璃基底上制备空穴注入层；在空穴注入层上制备钙钛矿量子阱发光层；在钙钛矿量子阱发光层上制备电子注入层；在电子注入层上制备负极电极层，得到钙钛矿量子阱电致发光器件。钙钛矿量子阱的制备包括基于在真空蒸发系统中的第一蒸发源的第一沉积，使包含卤化物的第一材料在衬底上形成第一层；基于在真空蒸发系统中的第二蒸发源的第二沉积，使包含卤化物的第二材料在所述第一层上形成第二层；在第二层上依次交替蒸镀第一材料和第二材料，最后一层蒸镀第一材料。本发明基于真空法制备的钙钛矿量子阱发光器件可重复性高、稳定性好，不会造成溶剂污染。
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