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公开(公告)号:CN102135729A
公开(公告)日:2011-07-27
申请号:CN201110066622.0
申请日:2011-03-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供一种碳微纳集成结构的制备方法,在光刻胶中掺入碳纳米管CNT,使CNT均匀地分布在微结构内部和表面;显影时,在显影液中掺入CNT,光刻胶在溶解过程中发生交联反应,显影液中的CNT自组装到微柱表面,增加了CNT的覆盖率。本发明使用纳结构对碳微结构进行修饰,极大地提高碳微结构的表面积,改进导电特性。
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公开(公告)号:CN102280537A
公开(公告)日:2011-12-14
申请号:CN201110227271.7
申请日:2011-08-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种LED漫反射杯的制备方法,步骤为:①在清洗后的硅片上涂覆光刻胶;②对光刻胶进行曝光、显影,得到光刻胶的微槽阵列;③刻蚀硅片形成微槽,得到反射杯体;④去除反射杯体上的光刻胶;⑤将去除光刻胶的反射杯体加热,高温生长纳米线,形成漫反射膜覆盖在反射杯体上。由于在反射杯内壁上覆盖有用于光线漫反射的纳米结构,反射杯体直接通过刻蚀硅片得到。所以当芯片工作时,光线照射于反射杯的内壁上可以产生多次反射,从而具备均匀的发光效果。反射杯体通过刻蚀硅片直接得到,具有耐热性好、制备简单、易于微型化及适合大批量制备等优点。
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公开(公告)号:CN114037612A
公开(公告)日:2022-02-11
申请号:CN202111287153.5
申请日:2021-11-02
Applicant: 上海建工集团股份有限公司 , 华中科技大学 , 深圳市建工集团股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种大面积三维扫描固定测站点云数据拼接方法,属于三维扫描数字建造技术领域,提供了一种用于大面积三维扫描点云数据多级基点拼接方法。该方法:首先根据场地确定一级基点的位置,发散状确定各级基点的位置,在相邻基点间布置中间站点,并控制间距,完成测站布置;其次,根据测站布置架设扫描测站对场地进行扫描,中间站测站位置架设依据场地平面布置图进行调整,完成现场扫描;最后,先对各方向的基点分别进行依次拼接,以同级相邻基点或多级相邻基点为控制点,将所有中间站测站划分为多个独立区域,以同级相邻基点或多级相邻基点为原点,对各区域内的中间站测站进行拼接,拼接完成后对拼接结果仔细检查,完成点云数据拼接。
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公开(公告)号:CN111829485B
公开(公告)日:2021-06-18
申请号:CN201911237241.7
申请日:2019-12-05
Applicant: 华中科技大学 , 深圳市建工集团股份有限公司
IPC: G01C5/00
Abstract: 本发明公开了一种工程结构高程与沉降变形的高精度测量装置,包括基准位平衡机构、测点位测量机构和连通导管,基准位平衡机构包括第一储液槽,第一储液槽上设有第一进液口、溢流口、第一出液口,第一出液口处设有第一阀门,测点位测量机构和连通导管均有N个,测点位测量机构包括第二储液槽和测量管组,第二储液槽上设有第二进液口、第二出液口A和第二出液口B,第二出液口A上设有第二阀门A,第二出液口B上设有第二阀门B,测量管组包括导流管和多个测量管,导流管的一端与第二出液口A连通,测量管的下端密封,测量管的上端开口,测量管上设有刻度,且各测量管的上端与导流管连通。该装置结构简单,制作成本低廉,安装和拆卸方便,且可实现同时对多处观测点进行实时监测。
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公开(公告)号:CN104112433B
公开(公告)日:2016-06-29
申请号:CN201310139553.0
申请日:2013-04-22
IPC: G09G3/36
Abstract: 本发明公开了一种图像补偿方法及装置。该方法包括:根据屏幕相关系数、图像的亮度值、所述图像的背光亮度值和感知亮度值,构建所述图像的感知模型;根据所述图像的感知模型,计算获得所述图像的亮度补偿函数;根据所述图像的亮度均值和所述背光亮度值,调整所述亮度补偿函数,得到调整后的亮度补偿函数;利用所述调整后的亮度补偿函数得到的补偿亮度值对所述图像的亮度进行补偿。还公开了相应的图像补偿装置。采用本发明提供的一种图像补偿方法及装置的技术方案,可以在保证补偿图像质量的同时达到较好的功耗节省效果。
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公开(公告)号:CN102135729B
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201110066622.0
申请日:2011-03-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供一种碳微纳集成结构的制备方法,在光刻胶中掺入碳纳米管CNT,使CNT均匀地分布在微结构内部和表面;显影时,在显影液中掺入CNT,光刻胶在溶解过程中发生交联反应,显影液中的CNT自组装到微柱表面,增加了CNT的覆盖率。本发明使用纳结构对碳微结构进行修饰,极大地提高碳微结构的表面积,改进导电特性。
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公开(公告)号:CN102154706A
公开(公告)日:2011-08-17
申请号:CN201110066629.2
申请日:2011-03-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种一维纳米材料的制备方法,使用高分子有机物作为碳源,硅片表面的一层极薄的氧化硅作为氧和硅的来源,置于特定流量的氢气和氮气或者氢气和氩气的混合气体环境中,按照特定的升温曲线加热,即可制备出多种类的线性纳米材料。本发明只需使用同一套设备,调节升温曲线和气体流量,便可制备出的不同种类和产量的纳米材料。制备出的纳米材料除具有耐高温、高强度、低密度、低热膨胀系数、化学稳定等特性外,还具有特殊的荧光特性和压电特性、在可见光范围内具有高反射率,在超级电容行业和军事设备的隐身材料领域中具有广泛的应用前景。
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