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公开(公告)号:CN113967487B
公开(公告)日:2022-12-02
申请号:CN202111180616.8
申请日:2021-10-11
Applicant: 华中科技大学 , 武汉纳诺德医疗科技有限公司
Abstract: 本发明属于核酸检测相关技术领域,其公开了一种喷嘴、液滴光热操控系统及其应用,喷嘴包括:第一出口以及多个第二出口,所述多个第二出口设于所述第一出口的出口处并相互连通,所述第一出口的出口处设置有筛孔板,所述筛孔板上设有多个筛孔,所述筛孔板的四周与所述第一出口的内壁密封可拆卸连接,所述筛孔板的一端与第二出口连通,所述筛孔板的另一端与激光照射区连通;所述激光照射区用于接收激光照射以对第一出口内的流体进行加热。本申请采用激光加热升温迅速且可控程度高,在核酸检测中可以通过激光加热区实现DNA加热裂解并且提高了油包单个纳米颗粒的概率,免去了在不同设备间转移试剂的过程,避免了试样的交叉污染和泄露问题。
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公开(公告)号:CN111933650B
公开(公告)日:2022-10-14
申请号:CN202010715669.4
申请日:2020-07-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种硫化钼薄膜成像阵列器件及其制备方法,属于微纳制造与光电子器件领域,其中制备方法包括:将石墨烯薄膜转移至衬底表面,采用等离子体将石墨烯薄膜刻蚀成矩形阵列,得到石墨烯电极阵列;在石墨烯薄膜表面依次沉积横向金属电极、介电薄膜阵列和纵向金属电极,得到初始样品;将连续型硫化钼薄膜转移至初始样品表面后进行封装,得到硫化钼薄膜成像阵列器件。本发明制备方法能够显著降低器件制备过程中对原子级厚度硫化钼薄膜的损伤,大幅提升成像器件的阵列密度、器件成品率以及工作稳定性。
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公开(公告)号:CN111916524B
公开(公告)日:2022-02-15
申请号:CN202010716183.2
申请日:2020-07-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0216 , H01L31/0296 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种仿视网膜成像的硫化钼光探测器及其制备方法,属于微纳制造与光电子器件领域,其中制备方法包括:在刚性衬底表面沉积牺牲层,在牺牲层表面涂敷柔性基底;在柔性基底表面沉积绝缘层,将石墨烯薄膜转移至绝缘层表面,对石墨烯薄膜进行刻蚀,得到石墨烯阵列电极;将硫化钼薄膜转移至石墨烯阵列电极表面,将硫化钼薄膜刻蚀为多个规则图形,构成柔性器件阵列;将柔性器件阵列从刚性衬底剥离后与球形衬底表面拼接,得到球形的硫化钼光探测器。本发明制备得到的仿视网膜成像的硫化钼光探测器,可以同时满足柔性、球面共形、空间变分辨率成像的要求。
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公开(公告)号:CN118294496A
公开(公告)日:2024-07-05
申请号:CN202410537118.1
申请日:2024-04-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N25/72
Abstract: 本发明公开了一种微波组件焊点缺陷的红外无损检测方法,属于微电子器件封装的焊点缺陷无损检测领域,该方法包括:分别向待测微波组件的接地端及至少一个信号端一一对应施加低电压及偏置电压,以使待测微波组件内部产生电信号引起温度升高;将待测微波组件的目标温度信息与标准微波组件的目标温度信息一一对应相减得到温差数据以进行缺陷诊断。本发明提供的方法,针对主动红外温升缓慢,局部加热难以控制,无法有效暴露内部缺陷等问题,将电测试与温度检测相结合,获取焊点及引线位置的温度信息来检测判别焊点是否有虚焊、裂纹、缺球等缺陷,以及引线中是否存在杂质。与现有方法相比,检测成本低、检测结果可靠,检测效率高。
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公开(公告)号:CN117491427A
公开(公告)日:2024-02-02
申请号:CN202311426372.6
申请日:2023-10-31
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于主动红外无损检测相关技术领域,其公开了一种基于透射激光锁相的多层晶圆气泡缺陷层析方法,包括以下步骤:(1)记录晶圆上表面产生的透射热波的变化,以得到温度矩阵序列;(2)对温度矩阵序列进行处理以提取每条序列对应的激光激励频率的相位值,并重构出一张锁相相位图,再基于锁相相位图进行晶圆键合界面气泡缺陷检测;然后计算缺陷位置相位值与激励信号初始相位差值,并对位于不同深度晶圆层界面的气泡缺陷进行标定,将对应的温度矩阵序列转换为深度方向的断层锁相相位图序列,以建立相应的相位差‑深度标定曲线,进而基于相位差‑深度标定曲线对待测晶圆进行气泡缺陷检测及气泡缺陷深度的确定。本发明提高了检测速度及精度。
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公开(公告)号:CN114937708A
公开(公告)日:2022-08-23
申请号:CN202210578460.7
申请日:2022-05-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/115 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于X射线探测器相关技术领域,其公开了一种全钙钛矿X射线间接探测器及其制备方法,该方法包括以下步骤:(1)在基体的一个表面上制备多个间隔设置的微通道,以得到微通道阵列结构,再将钙钛矿纳米晶量子点液体填充到微通道中,以得到钙钛矿微通道阵列;(2)在所述基体远离所述微通道阵列的表面上制备钙钛矿可见光敏层,并在所述钙钛矿微通道阵列上原位制备钙钛矿闪烁体,从而得到全钙钛矿X射线间接探测器。本发明顶层钙钛矿闪烁体吸收X射线完成荧光转换,同时引入微通道阵列结构设计以加强荧光轴向传输、抑制荧光横向串扰传输;底层钙钛矿可见光敏层薄膜吸收荧光完成光电转化。
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公开(公告)号:CN114744000A
公开(公告)日:2022-07-12
申请号:CN202210218412.7
申请日:2022-03-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/146 , C23C28/00
Abstract: 本发明涉及基于微喷印硫化钼薄膜的仿视网膜光探测器件及制备方法,属于微纳制造与光电子器件相关技术领域。制备方法包括:(1)在刚性衬底表面沉积剥离层,在剥离层表面涂敷柔性基底;(2)在柔性基底表面沉积绝缘层,通过光刻方法在绝缘层上制得金属电极阵列;(3)通过微喷印将原子级厚度硫化钼复合薄膜喷涂于金属电极沟道之间;(4)对柔性器件阵列进行剪裁,将其从刚性衬底上剥离后与球形衬底表面拼接,得到球形的硫化钼光探测器件。本发明采用微喷印的方法将硫化钼复合薄膜转移到各像元处,具有薄膜涂覆均匀,像元质量高、节约材料、工艺简单、成本低等明显优势。
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公开(公告)号:CN113967487A
公开(公告)日:2022-01-25
申请号:CN202111180616.8
申请日:2021-10-11
Applicant: 华中科技大学 , 武汉纳诺德医疗科技有限公司
Abstract: 本发明属于核酸检测相关技术领域,其公开了一种喷嘴、液滴光热操控系统及其应用,喷嘴包括:第一出口以及多个第二出口,所述多个第二出口设于所述第一出口的出口处并相互连通,所述第一出口的出口处设置有筛孔板,所述筛孔板上设有多个筛孔,所述筛孔板的四周与所述第一出口的内壁密封可拆卸连接,所述筛孔板的一端与第二出口连通,所述筛孔板的另一端与激光照射区连通;所述激光照射区用于接收激光照射以对第一出口内的流体进行加热。本申请采用激光加热升温迅速且可控程度高,在核酸检测中可以通过激光加热区实现DNA加热裂解并且提高了油包单个纳米颗粒的概率,免去了在不同设备间转移试剂的过程,避免了试样的交叉污染和泄露问题。
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公开(公告)号:CN112331740A
公开(公告)日:2021-02-05
申请号:CN202011163942.3
申请日:2020-10-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0264
Abstract: 本发明公开了一种旋涂‑蒸发两步法的无机钙钛矿太阳能电池的制备方法,属于能量转化技术领域。太阳能电池的光吸收层为CsPbBr3无机钙钛矿层,其通过先旋涂PbBr2再蒸发CsBr的方法制备,具体为:先将CsBr加热升华成蒸气,该蒸气遇到PbBr2层后在PbBr2表面形成CsBr,并进行退火处理,PbBr2和CsBr相互扩散形成CsPbBr3无机钙钛矿层。本发明采用旋涂‑蒸发两步法制备的全无机钙钛矿作为光吸收层,解决了CsBr溶解度低的问题,并且避免了有毒溶剂甲醇的使用,并使得PbBr2和CsBr可以充分反应得到纯度更高的CsPbBr3无机钙钛矿层,无机钙钛矿具有更高的湿度和热稳定性,使得电池的制备能够在空气中制备,降低了对于生产设备的要求,有利于电池的大规模生产,且制备的电池稳定性好,电池性能衰减较慢。
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公开(公告)号:CN111933650A
公开(公告)日:2020-11-13
申请号:CN202010715669.4
申请日:2020-07-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种硫化钼薄膜成像阵列器件及其制备方法,属于微纳制造与光电子器件领域,其中制备方法包括:将石墨烯薄膜转移至衬底表面,采用等离子体将石墨烯薄膜刻蚀成矩形阵列,得到石墨烯电极阵列;在石墨烯薄膜表面依次沉积横向金属电极、介电薄膜阵列和纵向金属电极,得到初始样品;将连续型硫化钼薄膜转移至初始样品表面后进行封装,得到硫化钼薄膜成像阵列器件。本发明制备方法能够显著降低器件制备过程中对原子级厚度硫化钼薄膜的损伤,大幅提升成像器件的阵列密度、器件成品率以及工作稳定性。
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