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公开(公告)号：CN115401306B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202211034136.5
申请日：2022-08-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于先进制造技术领域，公开了一种CVD金刚石窗口片与热传导铜组件的键合方法，包括以下步骤：(1)清洗CVD金刚石窗口片和热传导铜组件；(2)在CVD金刚石窗口片上镀覆Cr种子层；(3)预扩散处理生成金属碳化物层；(4)将CVD金刚石窗口片与热传导铜组件对齐紧固，利用真空热压烧结炉进行真空扩散焊接并完成键合。本发明通过对键合方法的整体工艺流程进行设计，先在CVD金刚石窗口片表面镀覆Cr种子层，再利用预扩散处理使Cr层转变为金属碳化物层，最后通过真空扩散焊接实现CVD金刚石窗口片与热传导铜组件之间的键合，保证一定的强度、稳定性及键合界面真空漏率使用要求，尤其可作为激光器窗口片组件应用。
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公开(公告)号：CN115401306A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211034136.5
申请日：2022-08-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于先进制造技术领域，公开了一种CVD金刚石窗口片与热传导铜组件的键合方法，包括以下步骤：(1)清洗CVD金刚石窗口片和热传导铜组件；(2)在CVD金刚石窗口片上镀覆Cr种子层；(3)预扩散处理生成金属碳化物层；(4)将CVD金刚石窗口片与热传导铜组件对齐紧固，利用真空热压烧结炉进行真空扩散焊接并完成键合。本发明通过对键合方法的整体工艺流程进行设计，先在CVD金刚石窗口片表面镀覆Cr种子层，再利用预扩散处理使Cr层转变为金属碳化物层，最后通过真空扩散焊接实现CVD金刚石窗口片与热传导铜组件之间的键合，保证一定的强度、稳定性及键合界面真空漏率使用要求，尤其可作为激光器窗口片组件应用。
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公开(公告)号：CN118294496A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410537118.1
申请日：2024-04-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N25/72
Abstract: 本发明公开了一种微波组件焊点缺陷的红外无损检测方法，属于微电子器件封装的焊点缺陷无损检测领域，该方法包括：分别向待测微波组件的接地端及至少一个信号端一一对应施加低电压及偏置电压，以使待测微波组件内部产生电信号引起温度升高；将待测微波组件的目标温度信息与标准微波组件的目标温度信息一一对应相减得到温差数据以进行缺陷诊断。本发明提供的方法，针对主动红外温升缓慢，局部加热难以控制，无法有效暴露内部缺陷等问题，将电测试与温度检测相结合，获取焊点及引线位置的温度信息来检测判别焊点是否有虚焊、裂纹、缺球等缺陷，以及引线中是否存在杂质。与现有方法相比，检测成本低、检测结果可靠，检测效率高。
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公开(公告)号：CN117491427A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311426372.6
申请日：2023-10-31
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于主动红外无损检测相关技术领域，其公开了一种基于透射激光锁相的多层晶圆气泡缺陷层析方法，包括以下步骤：(1)记录晶圆上表面产生的透射热波的变化，以得到温度矩阵序列；(2)对温度矩阵序列进行处理以提取每条序列对应的激光激励频率的相位值，并重构出一张锁相相位图，再基于锁相相位图进行晶圆键合界面气泡缺陷检测；然后计算缺陷位置相位值与激励信号初始相位差值，并对位于不同深度晶圆层界面的气泡缺陷进行标定，将对应的温度矩阵序列转换为深度方向的断层锁相相位图序列，以建立相应的相位差‑深度标定曲线，进而基于相位差‑深度标定曲线对待测晶圆进行气泡缺陷检测及气泡缺陷深度的确定。本发明提高了检测速度及精度。
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