公开(公告)号：CN118777820A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410760909.0

申请日：2024-06-13

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 梁琳 ,  张子扬

IPC: G01R31/26 ,  H03K17/567 ,  H01L23/34

Abstract: 本申请属于IGBT结温监测领域，具体公开了压接IGBT的在线监测和驱动电路、结温计算方法和系统。通过本申请，可以在PP IGBT的一个开关周期(100μs)内，不影响功率变换器正常运行情况下准确在线监测虚拟阈值电压；不需打开IGBT封装，直接把监测电路连接在器件端口处，实现非侵入性监测。将虚拟阈值电压作为一种新的温度敏感电参数(TSEP)，通过准确在线监测虚拟阈值电压，再根据虚拟阈值电压和结温之间的线性关系，在线计算结温。实现以下技术效果：1)响应时间短：在一个开关周期(100μs)内；2)与传统的方法相比，监测电路元件数目少；3)适用于任意压力情况，只需标定该压力下的结温‑虚拟阈值电压的拟合关系式。

公开(公告)号：CN104497477B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201410674642.X

申请日：2014-11-21

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 解孝林 ,  陈超 ,  张子扬 ,  薛志刚 ,  周兴平 ,  王启飞 ,  瞿昊

IPC: C08L63/00 ,  C08K7/00 ,  C08K3/08 ,  C08K3/22 ,  C08K3/36 ,  C08K3/28 ,  C08K3/38

Abstract: 本发明公开了一种导热复合材料及其制备方法。所述复合材料包括体积分数1％至30％的无机粒子、0.1％至10％的银纳米线以及环氧树脂，无机粒子和银纳米线均匀分散于环氧树脂中，无机粒子的平均粒径在20nm至50μm之间，其导热率在2W/m·K至280W/m·K之间，银纳米线的长径比大于等于60。其制备方法为：(1)将银纳米线加入到有机溶剂中并超声分散；(2)加入无机粒子和环氧树脂；(3)减压蒸馏；(4)加入固化剂均匀混合并固化。本发明通过将无机粒子和银纳米线复合，使其均匀分散于环氧树脂中，显著提高了复合材料的导热性能，且工艺简单，成本低廉。

公开(公告)号：CN220357189U

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202320975488.4

申请日：2023-04-26

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 崔玥琦 ,  刘天翔 ,  黄芷妍 ,  贾伊非 ,  张子扬 ,  费浩洋 ,  梁琳

IPC: G01R31/26

Abstract: 本实用新型公开了一种SiC MOSFET器件源漏电压在线监测电路，包括两耗尽型MOSFET管M1和M2、两二极管D1和D2、两直流电源BT1和BT2、一电压表，其中，MOSFET管M1的源极通过电阻与MOSFET管M2的源极相连，MOSFET管M2的栅极通过电阻与MOSFET管M1的栅极相连，MOSFET管M2的漏极分别与二极管D1的负极、二极管D2的正极、电压表的一端相连，二极管D1的正极与直流电源BT1的负极相连，二极管D2的负极与直流电源BT2的正极相连。本实用新型在不影响SiC MOSFET正常工作的情况能够实时监测器件的源漏电压，进而实现对器件健康状态的区分。