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1.

实用新型
一种SiC MOSFET器件源漏电压在线监测电路有权

公开(公告)号：CN220357189U

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202320975488.4

申请日：2023-04-26

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 崔玥琦 , 刘天翔 , 黄芷妍 , 贾伊非 , 张子扬 , 费浩洋 , 梁琳

IPC: G01R31/26

Abstract: 本实用新型公开了一种SiC MOSFET器件源漏电压在线监测电路，包括两耗尽型MOSFET管M1和M2、两二极管D1和D2、两直流电源BT1和BT2、一电压表，其中，MOSFET管M1的源极通过电阻与MOSFET管M2的源极相连，MOSFET管M2的栅极通过电阻与MOSFET管M1的栅极相连，MOSFET管M2的漏极分别与二极管D1的负极、二极管D2的正极、电压表的一端相连，二极管D1的正极与直流电源BT1的负极相连，二极管D2的负极与直流电源BT2的正极相连。本实用新型在不影响SiC MOSFET正常工作的情况能够实时监测器件的源漏电压，进而实现对器件健康状态的区分。

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