-
公开(公告)号：CN119826993A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411860145.9
申请日：2025-03-13
Applicant: 常州瑞华新能源科技有限公司 , 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及电力电子器件技术领域，特别是一种多芯片并联IGBT模块温度在线测量装置，包括上下两个陶瓷基板，所述陶瓷基板上设有两个铜层，所述铜层通过焊料层与IGBT功率器件连接，相邻的所述IGBT功率器件通过金属带连接，所述IGBT功率器件的发射极表面均设置有两个热敏电阻，所述热敏电阻两端分别设置有两个焊盘，所述焊盘通过引线端子与引线连接；热敏电阻直接测量芯片表面温度，热敏电阻值通过正极引线、负极引线测量的电压差计算。本发明每个IGBT功率器件绝缘层上的热敏电阻，可以测量每个IGBT功率器件的温度，提高了多芯片并联IGBT功率模块的温度测量能力，实现了IGBT功率模块智能化。
-
公开(公告)号：CN117929959A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410121422.8
申请日：2024-01-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块键合线监测装置及在线监测方法。本发明包括：控制电路，用于输出两路控制信号，一路控制功率半导体模块的通断，一路控制激励电路的开关；激励电路，用于提供恒定电流，所述恒定电流流过模块开尔文源极KS后分别流过各个并联芯片的键合线；采集电路，用于采集模块开尔文源极KS与源极S之间的电压V0，以及各个并联芯片键合线两端的电压Vi；运算电路，用于计算Vi和V0的比值ki，利用ki的变化表征各个并联芯片中键合线的故障情况。本发明技术方案可以在不干扰变换器正常运行下，监测每个并联芯片的键合线故障数量，且不受结温波动和芯片栅氧化物退化的影响。
-
公开(公告)号：CN119533690A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411739893.1
申请日：2024-11-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于芯片及芯片集成封装领域，具体公开了一种压接IGBT芯片的温度测量、封装集成装置及方法，温度测量装置应用于压接IGBT器件，压接IGBT器件包括：IGBT芯片以及发射极钼片，IGBT芯片包括：栅极焊盘和发射极焊盘，栅极焊盘和发射极焊盘位于芯片正面，发射极钼片与发射极焊盘贴合。测量装置包括：温度传感器；温度传感器，当被设置在所述IGBT芯片正面的栅极焊盘和预设区域之间的间隙时，用于测量所述IGBT芯片的温度；预设区域为IGBT芯片正面被所述发射极钼片覆盖的区域。通过本申请，在发射极钼片与芯片栅极焊盘之间的间隙处安装温度传感器，可以在压接IGBT模块压力饱和后直接监测IGBT芯片表面最大温度。
-
公开(公告)号：CN115166465B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202210833663.6
申请日：2022-07-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种非侵入式SiC功率半桥模块栅极故障检测装置及方法，SiC功率半桥模块包括：上桥SiC器件和下桥SiC器件；驱动电路分别与上桥SiC器件和下桥SiC器件的栅极电气连接；包括如下步骤：分别确定上桥SiC器件和下桥SiC器件稳定开通状态下的栅极电压；若两个栅极电压差值的绝对值大于预设电压差，则SiC功率半桥模块的栅极故障；若两个栅极电压差值的绝对值不大于预设电压差，则确定驱动电路的输出电压；当下桥SiC器件的栅极电压或上桥SiC器件的栅极电压和驱动电路输出电压差值的绝对值大于预设电压差时，则SiC功率半桥模块的栅极故障。本发明检测装置的功能执行前后不需要让功率变换装置停止运行，实现了在线检测。
-
公开(公告)号：CN115166465A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210833663.6
申请日：2022-07-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种非侵入式SiC功率半桥模块栅极故障检测装置及方法，SiC功率半桥模块包括：上桥SiC器件和下桥SiC器件；驱动电路分别与上桥SiC器件和下桥SiC器件的栅极电气连接；包括如下步骤：分别确定上桥SiC器件和下桥SiC器件稳定开通状态下的栅极电压；若两个栅极电压差值的绝对值大于预设电压差，则SiC功率半桥模块的栅极故障；若两个栅极电压差值的绝对值不大于预设电压差，则确定驱动电路的输出电压；当下桥SiC器件的栅极电压或上桥SiC器件的栅极电压和驱动电路输出电压差值的绝对值大于预设电压差时，则SiC功率半桥模块的栅极故障。本发明检测装置的功能执行前后不需要让功率变换装置停止运行，实现了在线检测。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104497477A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410674642.X
申请日：2014-11-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种导热复合材料及其制备方法。所述复合材料包括体积分数1％至30％的无机粒子、0.1％至10％的银纳米线以及环氧树脂，无机粒子和银纳米线均匀分散于环氧树脂中，无机粒子的平均粒径在20nm至50μm之间，其导热率在2W/m·K至280W/m·K之间，银纳米线的长径比大于等于60。其制备方法为：(1)将银纳米线加入到有机溶剂中并超声分散；(2)加入无机粒子和环氧树脂；(3)减压蒸馏；(4)加入固化剂均匀混合并固化。本发明通过将无机粒子和银纳米线复合，使其均匀分散于环氧树脂中，显著提高了复合材料的导热性能，且工艺简单，成本低廉。
-
公开(公告)号：CN114005742B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202111175914.8
申请日：2021-10-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了电子辐照下SiC MOSFET阈值电压恢复方法及装置，属于SiC MOSFET的阈值电压恢复领域，方法包括：将待恢复的SiC MOSFET裸芯片固定，且将待恢复的SiC MOSFET裸芯片的各电极引出；对待恢复的SiCMOSFET裸芯片进行若干次连续电子辐照；电子辐照后，测量待恢复的SiCMOSFET阈值电压，当实际阈值电压与健康阈值电压相比较，若两者相等，则停止对待恢复的SiC MOSFET裸芯片的电子辐照；否则，继续对待恢复的SiC MOSFET裸芯片进行电子辐照；本发明实现了失效SiC MOSFET的回收再利用。
-
公开(公告)号：CN117347811A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311443950.7
申请日：2023-10-31
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种不受老化影响的SiC MOSFET结温在线监测装置及方法，装置包括主电路、导通延时时间监测电路和栅极充电时间监测电路；主电路用于实现直流电压变换；导通延时时间监测电路用于在器件快速开通期间获得器件的导通延时时间；栅极充电时间监测电路用于在器件关断期间给器件栅极电容充电，获得特定电压下的栅极充电时间。本发明在线采集被测器件的导通延时时间和栅极充电时间，依据栅极充电时间从孪生器件曲线簇选择合适的关系，依据导通延时时间和关系对被测器件结温进行准确在线监测；实现了不停止原有功率变换装置运行，在线准确监测SiC MOSFET结温，为功率变换器中器件全寿命内结温准确在线监测提供帮助。
-
公开(公告)号：CN114005742A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111175914.8
申请日：2021-10-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/26 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了电子辐照下SiC MOSFET阈值电压恢复方法及装置，属于SiC MOSFET的阈值电压恢复领域，方法包括：将待恢复的SiC MOSFET裸芯片固定，且将待恢复的SiC MOSFET裸芯片的各电极引出；对待恢复的SiCMOSFET裸芯片进行若干次连续电子辐照；电子辐照后，测量待恢复的SiCMOSFET阈值电压，当实际阈值电压与健康阈值电压相比较，若两者相等，则停止对待恢复的SiC MOSFET裸芯片的电子辐照；否则，继续对待恢复的SiC MOSFET裸芯片进行电子辐照；本发明实现了失效SiC MOSFET的回收再利用。
-
公开(公告)号：CN119716448A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411851079.9
申请日：2024-12-16
Applicant: 江阴市赛英电子股份有限公司 , 华中科技大学
Abstract: 本申请属于IGBT结温感知技术领域，具体公开了一种双弹簧针压接型IGBT及其结温感知方法。其中，IGBT芯片的发射极通过发射极钼片和发射极凸台，连接至功率发射极端子；发射极凸台的对角位置设置有缺角，在缺角位置放置发射极弹簧针；发射极弹簧针一端与IGBT芯片发射极接触，另一端与栅极印制电路板上裸漏的发射极焊盘接触，进而与开尔文发射极端子相连；开尔文发射极端子和功率发射极端子用于提取IGBT芯片开尔文发射极与功率发射极之间的寄生电感，以便获取芯片工作状态下的结温。通过本申请可以实现压接型IGBT芯片结温的感知。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.021 seconds)
