-
公开(公告)号：CN117293498A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311176175.3
申请日：2023-09-13
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹MEMS四位分布式移相器，属于射频前端器件技术领域。其由16个移相器单元级联而成，每个移相器单元包括底层金属地结构，中间介质层，顶层金属地，直流端口，高阻偏置线，金属电极，金属电极上的绝缘层，与顶层金属地结合的金属桥，钳状金属梁和宽度渐变的金属线；金属地结构位于最下方，其上为中间介质层，其他结构均位于器件顶层。通过直流电压控制钳状金属梁的抬起和下拉两种状态来控制分布式移相器单元的相位，移相器单元两种状态的相位差为22.5°。本发明具有结构简单，设计方便，在太赫兹波段移相精度高，线性度好，插入损耗低，可应用到太赫兹系统等特点。
-
公开(公告)号：CN119786915A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411653916.7
申请日：2024-11-19
Applicant: 北京邮电大学 , 辽宁工业大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波段高电容比的金属并联式RF MEMS开关，属于射频前端器件领域。整体结构由支流端口金属块，直流偏置线，微带线匹配结构，金属梁MEMS开关，金属梁的金属电极，氮化硅绝缘层，硅基衬底，共面波导金属地和金属地组成。金属梁的金属锚点连接到共面波导金属地，右上侧的直流端口通过直流偏置线连接到共面波导金属地，左上侧的直流端口通过直流偏置线连接到金属电极，可以通过在左侧的直流端口输入不同直流电压来控制金属梁的抬起与吸附到电极的状态，分别对应开关的导通与断开状态；本发明设计的并联MEMS开关工作与103.33G‑170G之间，保证断开状态隔离度高于33.67dB；导通状态插入损耗低于0.8dB。微秒量级的反应时间，且不易发生破坏性形变；结构简单。
-
公开(公告)号：CN119674507A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411626091.X
申请日：2024-11-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种毫米波极化和方向图可重构天线，属于射频前端器件领域。其由对称的矩形辐射贴片，位于辐射贴片上的半圆缺陷、四分之一圆缺陷、矩形枝节加载，正交双向馈电网络，T型功分馈电网络，复合梁欧姆接触式MEMS开关，直流偏置线，测试贴片焊盘，共面波导，渐变匹配结构，介质基板，金属地背板组成。当T型功分馈电网络上的单侧MEMS开关导通时，能量流向该侧的辐射单元，可实现向左或向右的波束倾斜效果。当两侧的MEMS均导通时，辐射方向图指向Z正轴，无波束偏转，据此可实现左中右三个方向的方向图可重构功能。当正交双向馈电网络上的开关闭合时，长线的尺寸可实现90°的相位延迟，两个正交的简并模合成圆极化波，覆盖完整半功率波束宽度。
-
公开(公告)号：CN119651142A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411626063.8
申请日：2024-11-14
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于RF MEMS开关控制的单极子方向图可重构天线，属于射频前端器件领域。由单极子辐射单元，位于其左右两侧的寄生单元，复合梁欧姆接触式MEMS开关，直流偏置线，测试贴片焊盘，共面波导，渐变微带线，介质基板，金属地背板组成。当寄生单元上的MEMS开关导通时，寄生单元长度略小于单极子辐射单元，寄生单元起到引向器作用。当MEMS开关关断时，一级引向单元由断口处一分为二，其长度远小于单极子辐射单元，且终端开路产生回流，削减抵消二级引向单元的效果。当一侧开关下拉时，方向图向闭合开关一侧发生波束偏转，可调偏转角度可达41°，增益可达6.14dB，波束宽度约90°，当两侧开关均断开时，波束偏转为0°，方向图指向正Z轴，增益为5.15dB。
-
公开(公告)号：CN118017220A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410320344.4
申请日：2024-03-20
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了基于单刀四掷开关控制的MEMS开关线型移相器，属于射频前端器件领域。该基于单刀四掷开关控制的MEMS开关线型移相器由粗调、细调移相单元组成。移相单元由两个单刀四掷开关、相位延时线、输入输出端口组成。当某条相位延时线前后端两个单刀四掷开关的对应触点均接触闭合，且其余触点断开时，该移相单元由单刀四掷开关选通此条相位延时线，信号通过该线产生相位延时。利用MEMS技术设计的线性移相器在太赫兹频段具有插入损耗较小的特征，该移相器在中心频率处S11参数在‑10dB以下，S21参数在‑1.6dB附近波动；结构简单、制造方便，相对于传统半导体开关移相器，设计结构简单，稳定可靠，且可以采用玻璃基工艺制造。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117134115A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311303960.0
申请日：2023-10-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了基于圆极化天线单元的太赫兹相控阵天线，属于射频前端技术领域。其包括集成在共面波导上的16个圆极化天线单元、16个MEMS四位分布式移相器和15个威尔金森功分器，由信号探针馈电；信号探针通过15个威尔金森功分器分成16路分别通过MEMS四位分布式移相器与圆极化天线单元连接；所述MEMS四位分布式移相器与圆极化天线单元一一对应。本发明作为小尺寸射频器件，可以应用到多种应用场景；整体结构涉及的功分器，移相器和高性能天线单元等器件均可工作于太赫兹波段，可单独应用于其它通信系统。
-
公开(公告)号：CN116885438A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310925265.1
申请日：2023-07-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹宽轴比波束的圆极化天线，属于射频前端器件技术领域。天线从底层到顶层的层叠顺序为馈电网络层，第二介质层，夹在第一介质层与第二介质层中间的金属缝隙层，第一介质层，位于顶层的天线金属层。第一介质层和第二介质层是厚度不相同的两层石英玻璃衬底。中间金属缝隙层上刻蚀有宽度渐变的十字形缝隙。馈电网络由输入端口，微带传输线，第一级功分器，第二级功分器，M型微带线，钩状阻抗匹配结构组成。通过馈电网络实现四端口馈电且馈点之间有90度相位差。在馈电网络中应用的M型微带线也拓展了天线的轴比波束宽度。本发明具有结构简单，设计方便，轴比波束宽，辐射范围大，可应用到太赫兹系统等特点。
-
公开(公告)号：CN116544663A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310658916.5
申请日：2023-06-06
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 电子科技大学(深圳)高等研究院
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波段的四臂螺旋方向图可重构天线，属于射频前端器件技术领域。其由底层馈电结构，四个信号输入端口，两层介质层，中间金属层，顶层天线金属层，四个金属柱结构共同组成；顶层天线金属层，由四个渐变螺旋臂天线单元组成。该渐变螺旋臂天线单元，由直臂和渐变螺旋臂组合而成，螺旋臂结构从起始位置到终止位置宽度是渐变的，越来越宽，在每个天线单元的直臂起始馈电位置连接一个圆盘用来与金属柱匹配。本发明可实现最大波束角度在θ=50度平面上φ=150°，‑120°，‑30°，60°四种辐射模式，且半功率波束宽度均大于50°，最大增益均超过7dB，反射系数‑10dB阻抗带宽大于15%；结构简单、制造方便，可以通过硅基工艺进行制造。
-
公开(公告)号：CN119651143A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411627013.1
申请日：2024-11-14
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种通过MEMS开关切换馈电的方向图可重构天线，属于射频前端器件领域。该方向图可重构天线由包括微带辐射单元，引向寄生单元，复合梁欧姆接触式MEMS开关，一分四馈电网络，直流偏置线，测试贴片焊盘，共面波导，渐变微带线，介质基板，金属地背板组成。两级MEMS开关架设在一分四馈电网络上，当某条馈线上两级开关均导通时，射频电流可通过该馈线流向对应的基本辐射单元，产生朝向此象限的倾斜波束，并可通过同时导通前侧的四个开关，使能前侧的两个基本辐射单元，产生前侧正方向的倾斜波束。天线采用单层板设计，介质基板无需打孔，结构简单、制造方便，采用的MEMS开关损耗小，隔离度高，表面刻蚀工艺可以实现快速印刷制造。
-
公开(公告)号：CN119601967A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411652299.9
申请日：2024-11-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 辽宁工业大学 , 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于顺序旋转馈电的太赫兹波段圆极化天线，属于射频前端器件领域。该圆极化天线由四个微带贴片，位于辐射贴片上的切角、微带线、微带线馈电端口、顺序旋转馈电网络、介质基板，金属地背板和微带线匹配结构组成。通过严格设计各个端口到馈电网络的电长度来产生90°的相位差来实现圆极化性能，辐射右旋圆极化波，辐射增益为10.47dB，3dB轴比带宽＞8GHZ、3dB轴比范围超90°，覆盖完整半功率波束宽度。天线采用微带线馈电，微带线的损耗叫小，微波传输特性好，天线辐射效率高。天线采用单层板设计，无复杂馈电网络，结构简单、制造方便。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
24
records
(took 0.02 seconds)
