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公开(公告)号：CN112158797A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202010880769.2
申请日：2020-08-27
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明公开了一种晶片键合过程中对准检测方法，包括：在上晶片非键合面制作上晶片辅助对准标记和上晶片主对准标记；在下晶片键合面制作下晶片辅助对准标记和下晶片主对准标记；利用主对准标记进行上下晶片的对准后上下晶片错开，露出下晶片辅助对准标记，测量露出的下晶片辅助对准标记与上晶片辅助对准标记的横纵向的位置偏差，计算出对准标记偏差，合理控制对准偏差范围。本发明可以加工出对准精度高的敏感芯片，实现非透明晶片键合前对准的定量测试，本发明能确保芯片的质量和成品率。
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公开(公告)号：CN111498797A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010247268.0
申请日：2020-03-31
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种圆片级玻璃腔体的制造方法包括以下步骤：对玻璃片进行清洗，去除玻璃表面有机物和颗粒；采用强碱溶液继续对玻璃片进行清洗，增加玻璃片表面OH-浓度，提高金属薄膜粘附性；利用金属薄膜工艺在玻璃片的一面溅射复合金膜；先后利用光刻和刻蚀工艺在金膜上进行光刻，并形成特定图案；采用蓝膜将玻璃片边缘及无金膜面进行保护；将保护好的玻璃片放入HF和水的混合溶液中，腐蚀至预设的一定深度；揭掉蓝膜，并去掉光刻胶及复合金膜，在玻璃片上形成腔体。
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公开(公告)号：CN111115552A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911284371.6
申请日：2019-12-13
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS传感器混合集成封装结构及其封装方法，包括：陶瓷管壳的内腔台阶有多个金属焊盘，底面有金属化结构；MEMS敏感结构通过粘接的方式固定在陶瓷管壳内腔底面上；PCB电路基板带有不少于一处缺口或开槽，通过标准电容作为支撑架设在MEMS敏感结构之上，电容使用导电或绝缘粘合剂粘接；金属导线穿过PCB基板的缺口或开槽将MEMS敏感结构和PCB电路基板连接；PCB电路基板通过金属导线与陶瓷管壳内腔金属焊盘相连；金属盖板通过平行封焊与陶瓷管壳侧壁相连，形成气密封装。本发明通过使用标准化管壳和PCB基板，可在较低成本下和较短时间内实现较小面积的MEMS传感器系统集成，同时具有较好的温度特性。
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公开(公告)号：CN111044757A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911360780.X
申请日：2019-12-25
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明公开了一种三层键合的电容式微加速度计结构电极引出方法，(1)生成上玻璃极板；(2)生成下玻璃极板；(3)生成中间硅-质量块极板；(4)生成三明治加速度计圆片；(5)生成电极焊盘。使用所述方法避免了划片工艺中水进入腔体内引起器件失效的问题，可进行晶圆级加工和实现圆片级键合，适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN109353985A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811196468.7
申请日：2018-10-15
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 一种微机械静电驱动的弧形梳齿结构，涉及微机械静电驱动技术领域；包括n组相同的弧形梳齿组；n组弧形梳齿组均匀分布在外部圆弧形器件的外沿；每组弧形梳齿组包括静梳齿和动梳齿；静梳齿和动梳齿为交错配合的F型锤状结构；在外部静电的驱动下；动梳齿以外部圆弧形器件中心为圆心，相对静梳齿进行靠近或远离的弧形运动；静梳齿与动梳齿配合时，第一动电极伸入第一定电极和第二定电极之间；第二动电极位于第二定电极的径向外侧；本发明实现了在与传统技术相同的真空环境和驱动电压下，提高机械运动位移，并且不增加工艺难度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114236177B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202111402085.2
申请日：2021-11-19
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01P15/125 , G01P15/08
Abstract: 一种阵列式扭摆加速度计，包含由4个或6个或8个敏感质量单元组成的阵列式敏感结构，其中，每两个相邻的敏感质量单元排布方向相反；每两个相间的敏感质量单元排布方向相同，且通过连接横梁形成刚性连接，连接横梁两端布置有应力释放结构。每个敏感质量单元中的敏感质量块采用三锚点四扭转梁结构，包含四条扭转梁和三个锚点，其中位于敏感质量块内部的锚点通过两条弹性扭转梁连接到敏感质量块，位于敏感质量块两侧的两块锚点分别通过一条弹性扭转梁连接到敏感质量块。敏感结构外侧布置有等电位锚点，在加速度计的阵列式敏感结构与电极间形成电学连接。
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公开(公告)号：CN111908419B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202010676881.4
申请日：2020-07-14
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明涉及一种三明治式MEMS器件结构，包括衬底电极层、结构层、盖板层。衬底电极层通过第一键合层与结构层键合，结构层通过第二键合层与盖帽层键合；衬底电极层上加工若干衬底电极，盖帽层上加工若干盖板电极，结构层上加工质量块、锚区及弹簧梁、激励电极、拾振电极；衬底电极层包括绝缘层等，质量块通过锚区及弹簧梁和质量块电极引线引出，激励电极、拾振电极分别通过衬底电极层上的对应的激励电极引线和拾振电极引线引出；本发明中质量块上下双侧电极结构即三明治式结构的设计，能避免质量块在其与衬底电极间的静电力以及应力的作用下，偏离平衡位置，从而使器件具有更好的一致性和温度稳定性。
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公开(公告)号：CN113702664B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202110820823.9
申请日：2021-07-20
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明涉及一种宽频带MEMS加速度计及其制备方法，该方法包括如下步骤：从系统函数波特图得出宽频加速度计需要的带宽对应的谐振频率和Q值，通过梁结构控制谐振频率，在圆片级封装键合阶段控制腔内气体压力来控制Q值。结构的加工是在SOI片上进行活动腔体的加工，再干法加工出梳齿结构，电极片采用底层连线，中间绝缘层，上层键合金属区分布。本发明可以加工出一种宽频梳齿加速度计敏感芯片，实现宽带宽加速度计的应用，本发明能确保芯片的质量和成品率。
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公开(公告)号：CN115571845A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211035006.3
申请日：2022-08-26
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: B81B7/02
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件电极布局结构，属于微机电系统制造技术领域。包括MEMS敏感结构、MEMS敏感结构固定锚区、MEMS电极引线、MEMS电极铺地区、MEMS绝缘层接触孔、MEMS电极引出焊盘和MEMS电极铺地引出焊盘，MEMS敏感结构通过MEMS敏感结构固定锚区与衬底片固定，并与分布于衬底片上的MEMS电极引线连接；衬底片上制备有多层金属层，在各层金属层间有绝缘层；在各金属层中制备MEMS电极引线，各层MEMS电极引线通过MEMS绝缘层接触孔穿通绝缘层实现电学连接；在各层金属层中MEMS电极引线以外的区域铺设MEMS电极铺地区。本发明有效降低电磁干扰与信号串扰，降低信号噪声水平。
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公开(公告)号：CN112551474B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202011449368.8
申请日：2020-12-09
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明涉及一种具有面内止挡的MEMS可动结构，包括固定锚区、可动结构弹性梁、质量块框架、质量块、止挡弹性梁、止挡块、质量块梳齿、驱动梳齿以及驱动梳齿锚点。采用弹性梁支撑止挡块，当质量块位移过大与弹性梁碰撞时，弹性梁形变提供缓冲，避免结构损伤。止挡块与质量块连接在相同的固定锚区上，具有相同的电位，不会发生电学短路。在弹性梁不同位置设计不同尺寸的止挡块，质量块位移过大时首先与伸长量最大的止挡块接触，位移继续增大时，质量块才与其他止挡块接触，使大冲击下止挡块弹性梁刚度提高，降低冲击位移，满足不同大小冲击止挡需求，避免结构损伤。降低止挡结构与质量块间接触面积，避免结构在清洗过程中由于液体表面张力造成吸附粘连。
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