公开(公告)号：CN114429988B

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202210107442.0

申请日：2022-01-28

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  张先坤 ,  张铮 ,  于慧慧 ,  黄梦婷 ,  汤文辉 ,  高丽 ,  卫孝福

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明公开一种基于二维半金属电极的金属半导体接触结构，所述半导体模块为二维半导体材料，所述金属电极模块为表面无悬挂键的二维半金属材料，所述二维半导体材料与二维半金属材料之间界面为表面粗糙度在0.01‑1nm且表面无悬挂键的范德华界面，所述二维半导体材料与二维半金属材料的层间距小于1nm；本发明的二维半金属材料具有合适的高功函数，以匹配半导体材料的能带边缘，并最终确保接近零的肖特基势垒，其场效应晶体管在室温下显示出创纪录高迁移率，减少肖特基势垒的全二维接触，并展示了其减少肖特基势垒的优化机制，有助于基于二维半导体的肖特基结设计和优化。

公开(公告)号：CN114895529A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210395800.2

申请日：2022-04-15

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  刘璇 ,  张铮 ,  黄梦婷 ,  卫孝福 ,  王利华 ,  尚金森 ,  陈匡磊 ,  于慧慧 ,  高丽

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/16 ,  G03F7/42 ,  G03F7/40

Abstract: 本发明公开了一种微机械剥离图案化二维材料的制备方法，包括如下步骤：S101：在初始衬底上剥离出过渡金属硫化物的二维材料；S102：将剥离出的所述二维材料转移至所需使用的目标衬底上；S103：在所述基底上旋涂电子束光刻胶，将其烘干后用电子束曝光的方式将所述基底上的电子束光刻胶层图案化；S104：将所述步骤S103处理后的基底浸没在丙酮溶液中，然后取出并加热，去除电子束光刻胶，得到微机械剥离图案化二维材料。本发明的微机械剥离图案化二维材料的制备方法，剥离速度快，操作简单成本低，适用于大范围推广。本发明方法制备得到的图案化的机械剥离二维材料图案化质量高，不易被污染。