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公开(公告)号:CN101220513B
公开(公告)日:2010-12-08
申请号:CN200710175304.1
申请日:2007-09-28
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种提高N型多晶Bi2Te3热电性能的热处理方法,属于能源材料技术领域。该方法分为N型多晶Bi2Te3热电材料的制备和退火处理两部分。首先将高纯Bi和Te元素单质进行机械合金化合成Bi2Te3化合物粉末,通过放电等离子烧结制备多晶N型Bi2Te3块体材料,然后将Bi2Te3块体材料进行真空退火处理。该方法通过退火处理提高了多晶N型Bi2Te3的热电性能,具有工艺简便、成本低和实用性强等优点。
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公开(公告)号:CN100427631C
公开(公告)日:2008-10-22
申请号:CN200610144006.1
申请日:2006-11-24
Abstract: 纳米SiC颗粒复合CoSb3基热电材料及其制备方法,属于新型能源材料技术领域。本方法是将Co、Sb以及掺杂元素单质粉末按照化学式:Co1-xMxSb3+ySiC进行配料,然后通过球磨得到均匀的微细粉末。利用放电等离子烧结在250~600℃下反应合成具有纳米SiC颗粒分散的块体CoSb3基热电材料。该方法的特点在于:利用放电等离子烧结直接合成CoSb3相,并利用弥散分散的SiC抑制CoSb3的晶粒生长,最终得到具有细晶组织的纳米SiC分散的CoSb3基热电材料。弥散纳米颗粒和细晶组织能增加声子散射降低热导率,从而获得更好热电性能。同时,由于纳米颗粒弥散增强,而使其具有更好的机械和加工性能。
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公开(公告)号:CN101271955A
公开(公告)日:2008-09-24
申请号:CN200810106202.9
申请日:2008-05-09
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种Bi-S二元体系热电材料及制备方法,属于能源材料技术领域。该方法分为化合物的合成与成型两部分。将高纯Bi和S单质按照化学成分进行称量配比后,在惰性气体保护和一定转速下进行高能球磨,干磨合成化合物后再进行湿磨,烘干得到Bi-S二元化合物微细粉末。成型过程通过放电等离子烧结来获得块体材料,放电等离子烧结获得高致密的晶粒细小的Bi-S二元化合物块体。由于放电等离子烧结具有时间短、相对烧结温度低等优点,通过控制烧结工艺可获得致密、晶粒细小的显微结构。该方法通过机械合金化和放电等离子烧结制备Bi-S二元体系热电材料,具有工艺简便,合成和成型的时间短等优点。
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公开(公告)号:CN100386291C
公开(公告)日:2008-05-07
申请号:CN200410068962.7
申请日:2004-07-15
Applicant: 清华大学 , 北京科技大学 , 日本丰田汽车株式会社
IPC: C04B35/495 , H01L41/187 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了属于功能陶瓷材料领域的一种铌酸钾钠系无铅压电陶瓷及其制备方法。本发明提供的铌酸钾钠系压电陶瓷的组成成分以式(1-n)KxNa1-xNbO3·nMH表示,是采用放电等离子烧结(SPS)工艺制备的,将原料研磨混和后,先经过焙烧合成铌酸盐,再得到的粉料通过放电等离子烧结(SPS),然后在含氧气氛中进行退火处理制备出压电/铁电陶瓷材料。该压电陶瓷组合物不含铅,并具有良好的压电性能。烧结温度低,烧结时间短,可获得细小、均匀的组织,高致密度并能保持原始材料的自然状态;本发明工艺在于放电等离子、放电冲击压力及电场等的共同作用下,使试样活化表面、加速扩散、提高塑性变形。
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公开(公告)号:CN109817804B
公开(公告)日:2020-10-20
申请号:CN201910043957.7
申请日:2019-01-17
Abstract: 本发明涉及了一种n型SnS基热电材料及其制备方法,属于能源材料技术领域。本发明利用卤族元素对SnS进行掺杂改性得到n型SnS。将Sn、S和卤化物按照化学计量比SnS1‑xβx(β=Cl,Br,I等卤族元素)进行配料,其中x取值范围为0≤x≤0.2;然后将原料放入行星式球磨机,充入保护气,在一定转速下合成n型SnS1‑xβx粉体,最后通过放电等离子烧结得到n型SnS1‑xβx块体材料。对SnS热电性能的报道主要集中在p型半导体,n型SnS基半导体的热电性能未见报道。卤族元素的掺杂提高了电子浓度,得到n型SnS基热电半导体的热电优值ZT为0.15~0.5。该制备方法过程简便、易于操作,对设备和制备环境要求低,周期短、适合大规模生产。
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公开(公告)号:CN101271955B
公开(公告)日:2011-08-24
申请号:CN200810106202.9
申请日:2008-05-09
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种Bi-S二元体系热电材料及制备方法,属于能源材料技术领域。该方法分为化合物的合成与成型两部分。将高纯Bi和S单质按照化学成分进行称量配比后,在惰性气体保护和一定转速下进行高能球磨,干磨合成化合物后再进行湿磨,烘干得到Bi-S二元化合物微细粉末。成型过程通过放电等离子烧结来获得块体材料,放电等离子烧结获得高致密的晶粒细小的Bi-S二元化合物块体。由于放电等离子烧结具有时间短、相对烧结温度低等优点,通过控制烧结工艺可获得致密、晶粒细小的显微结构。该方法通过机械合金化和放电等离子烧结制备Bi-S二元体系热电材料,具有工艺简便,合成和成型的时间短等优点。
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公开(公告)号:CN101358313A
公开(公告)日:2009-02-04
申请号:CN200810211660.9
申请日:2008-09-22
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种提高Bi-S二元体系热电材料性能的方法,属于能源材料技术领域。该方法分为化合物的合成与成型两部分。将高纯Bi和S单质按照化学成分进行称量配比后,在惰性气体保护和一定转速下进行高能球磨,干磨合成化合物后再进行湿磨,烘干得到Bi-S二元化合物微细粉末。成型过程通过放电等离子烧结来获得块体材料,主要经过两步完成:第一步放电等离子烧结获得高致密的晶粒细小的Bi-S二元化合物块体,第二步采用放电等离子烧结技术进行热锻处理获得织构组织。由于放电等离子烧结具有时间短、相对烧结温度低等优点,通过控制烧结工艺可获得均匀细小、具有择优取向的显微组织。该方法通过控制元素化学成分配比和晶粒取向来提高材料的热电性能,具有工艺简便,合成和成型的时间短等优点。
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公开(公告)号:CN100351409C
公开(公告)日:2007-11-28
申请号:CN200510130794.4
申请日:2005-12-30
Abstract: 本发明公开了一种纳米SiC/Bi2Te3基热电材料的制备方法,属于能源材料技术领域。以高纯Bi粉、Te粉和纳米SiC为原料,通过机械合金化合成Bi2Te3化合物微细粉末,再利用放电等离子烧结工艺将掺杂纳米SiC颗粒的Bi2Te3前驱微细粉烧结成块体。工艺步骤包括:配置原料、机械合金化、放电等离子烧结、样品检测。本发明的优点在于:工艺简便,合成化合物时间短,烧结温度低、时间短,可获得细小、均匀的组织,能获得高致密度、高机械性能、高热电性能的热电材料。
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公开(公告)号:CN1807666A
公开(公告)日:2006-07-26
申请号:CN200510130794.4
申请日:2005-12-30
Abstract: 本发明公开了一种纳米SiC/Bi2Te3基热电材料的制备方法,属于能源材料技术领域。以高纯Bi粉、Te粉和纳米SiC为原料,通过机械合金化合成Bi2Te3化合物微细粉末,再利用放电等离子烧结工艺将掺杂纳米SiC颗粒的Bi2Te3前驱微细粉烧结成块体。工艺步骤包括:配置原料、机械合金化、放电等离子烧结、样品检测。本发明的优点在于:工艺简便,合成化合物时间短,烧结温度低、时间短,可获得细小、均匀的组织,能获得高致密度、高机械性能、高热电性能的热电材料。
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