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公开(公告)号：CN100407466C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200510012153.9
申请日：2005-07-12
Applicant: 北京科技大学
Inventor： 徐桂英
IPC: H01L35/34
Abstract: 一种纳-微米多孔硅系列热电材料的制备方法，涉及热电(温差电)半导体材料的制备方法，特别涉及含有纳米尺度的硅，In，InSb或Sb量子线或点的纳-微米多孔硅的制备。本发明采用化学腐蚀、物理气相蒸镀、第二次化学腐蚀相结合的方法，获得一系列含有纳米尺度的硅量子线，在多孔硅的孔中含有In，InSb或Sb量子线或点的纳-微米多孔硅，其组成特征是：In，InSb或Sb的重量总含量小于2%，具有实-空结合的量子结构，该结构可以使电子与声子运动分离，从而实现热电性能的大幅度提高，较常规的制备量子阱、量子线或量子点的化学气相沉积等方法具有工艺简便，成本低的优点，该制备方法还可用于较高性能硅激光器的研究。
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公开(公告)号：CN1731594A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200510012295.5
申请日：2005-08-03
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L35/34
Abstract: 本发明供了一种纳－微米多孔硅锗合金热电材料的制备方法，属于热电半导体材料技术领域。涉及含有纳米尺度的硅，In，InSb或Sb量子线或点的纳－微米多孔硅锗合金片的制备。本发明采用电化学腐蚀、物理气相蒸镀、第二次化学腐蚀相结合的方法，获得一系列含有纳米尺度的硅或硅锗量子线，在多孔硅锗合金片的孔中含有In，InSb或Sb量子线或点的纳－微米多孔硅锗合金片锗合金，其组成特征是：In，InSb或Sb的重量总含量小于2％，具有实－空结合的量子结构，该结构可以使电子与声子运动分离，从而实现热电性能的大幅度提高，较常规的制备量子阱、量子线或量子点的化学气相沉积等方法具有工艺简便，成本低的优点，该制备方法还可用于较高性能硅锗激光器的研究。
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公开(公告)号：CN119400315A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411467116.6
申请日：2024-10-21
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及热电转换、半导体器件设计技术领域，具体涉及一种热电晶体管发电器件的设计研究方法。具体技术方案为：基于构建的热电晶体管理论模型，通过掺杂浓度优化和电路设计，提出了一套完整的热电晶体管发电器件性能设计研究流程和方法，从而可以优化热电晶体管的输出性能。本发明优化设计得到的热电晶体管发电器件，能够实现在室温条件下由温差所产生的Seebeck电压直接驱动热电晶体管正常工作，实现温差电转换，并且获得了输出功率和热电转换效率的巨大提升，可应用于各类温差条件下的热电发电，能够为不同类型用电器供电，亦可应用于各类的热电探测。
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公开(公告)号：CN109590481A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201910090373.5
申请日：2019-01-30
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种Cu2-xMxSe合金系列热电材料的高压制备方法，属于热电材料技术领域。Cu2-xMxSe合金系列热电材料组成为：Cu2-xMxSe，其中掺杂元素M种类包括Ag、Ti、Zr、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni，掺杂剂M掺杂量x范围为0-10％。采用高压法制备P型Cu2-xMxSe合金系列热电材料的工艺是以固相金属铜粉、硒粉和掺杂金属单质为原始材料，采用固相反应法，首先经过一次高压合成所需材料，然后将其粉碎成一定粒度的粉料后，进行冷压成型，之后经过一次高压进行烧结。本发明的优点在于：可以快捷、高效的合成Cu2-xMxSe合金纯相，使其成为有应用前景的热电材料。
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公开(公告)号：CN101656292A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200910092656.X
申请日：2009-09-16
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种铋碲系纳米多孔热电半导体材料的制备方法，属于热电材料技术领域。本发明将铋碲基纳米粉末Bi 2-x Sb x Te 3-y Se y (x＝0-1.9，y＝0-0.5)置于充分溶解有造孔剂的酒精溶液中，混合过程采用超声波和磁悬搅拌相结合的方法，干燥后通过放电等离子体烧结技术将粉末烧结成块体材料，期间利用造孔剂在一定温度下会升华挥发，从而在烧结过程中在块体材料中留下纳米大小的孔洞结构，形成纳米多孔材料。该铋碲基合金系属于菱形晶系结构。本发明的优点在于，制备方法简单、易操作、成本较低、成分控制准确、纳米孔尺寸大小和分布较均匀等。
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公开(公告)号：CN100357223C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200510012221.1
申请日：2005-07-19
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , H01L35/22
Abstract: 一种N型铌酸钴氧化物热电材料及其制备方法，涉及氧化物热电半导体材料的制备。本发明采用固相合成和超高压相结合的方法，以固相金属氧化物或金属单质为原始材料，采用固相反应法，在氧化性气氛下合成所需材料，然后粉碎合成后的材料，并进行冷压成型，最后在超高压下烧结。本发明可以制备出高性能的N型铌酸钴Co0.66Nb1.33O4氧化物，该氧化物属于四方晶系，具有P42/mnm(136)对称性，在108℃，该热电材料表征的电导率为7701.3(Ω*cm)-1，塞贝克系数为39.95(μV/K)，功率因数为1229.129μW/(mK2)，无量纲优值系数ZT为0.033-0.038，其热电性能较目前已报道的N型氧化物的最高热电性能有较大幅度提高，使其成为有应用前景的热电材料。
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公开(公告)号：CN1768986A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510086504.0
申请日：2005-09-23
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种铋－碲合金系列热电材料的高压制备方法，属于热电材料技术领域。铋－碲合金系列热电材料分子式为：Bi0.5Sb1.5Te2.91Se0.99或Bi1.8Sb0.2Te2.85Se0.15，分别以Bi和SbI3为掺杂相。采用高压法制备N型和P型铋－碲合金系列热电材料的工艺是以固相金属铋－锑－硒－碲合金或各金属单质为原始材料，采用固相反应法，在惰性气氛下合成所需材料，然后将其粉碎成一定粒度的粉料后，进行冷压成型，之后在不同的高压下烧结。本发明的优点在于：不仅可以提高其机械性能，而且还可以大大提高其电导率，使其成为有应用前景的热电材料。
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公开(公告)号：CN117772214A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311711889.X
申请日：2023-12-13
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于铁矿粉烧结技术领域，公开了一种烧结矿用共晶体催化剂，共晶体中含有以下质量百分比的组分：CaO 10%~60%，Fe2O3 10%~60%，MgO 2%~50%，Al2O3 2%~50%，SiO2 2%~50%，Re 2%~20%；共晶体催化剂由铁矿石、石灰、稀土、轻烧白云石和硅灰石通过粉碎、配比、混合、熔化、冷却结晶、粉碎制得。本发明通过在烧结原料中添加共晶体催化剂，烧结过程中共晶体催化剂再次熔化参与并促进烧结过程物理化学反应的快速进行，达到提高烧结机垂直烧结速度、利用系数和产量，改善烧结矿的低温还原粉化和软熔滴落等冶金性能指标。
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公开(公告)号：CN117658066A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311634066.1
申请日：2023-11-30
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种利用工业废硅粉或硅铁粉生产氢气的方法及装置，包括：依次连接的废硅粉与盐酸反应装置或硅铁粉与盐酸反应装置、气液分离收集精馏装置；当使用工业废硅粉时，废硅粉与盐酸反应装置之前还连接有废硅粉热分离装置，废硅粉与盐酸反应装置之后还连接有硅表面氧化物去除单元和固体废弃物回收装置；当使用硅铁粉时，硅铁粉与盐酸反应装置之后还连接废固液分离收集单元。本发明实现废盐酸、废硅粉和硅铁粉的资源化高值化利用，同时制得清洁高效氢能源。
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