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公开(公告)号：CN113120847B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN201911402850.3
申请日：2019-12-31
Applicant: 无锡微文半导体科技有限公司
Abstract: 一种使用SOI圆片制作电热式MEMS驱动臂的方法，包括如下步骤：步骤1）、选择SOI圆片作为衬底1；步骤2）、对顶硅层1‑3进行离子掺杂形成低阻硅，作为加热电阻层4；步骤3）、在加热电阻层4上制作绝缘材料作为绝缘层5；步骤4）、在绝缘层5上制作高热膨胀系数的材料作为第一结构层6；步骤5）、刻蚀衬底1的底部至氧埋层1‑2；步骤6）、在衬底1的上部按照预先设计的MEMS驱动臂形状进行正面图形化刻蚀；最终完成该电热式MEMS驱动臂的制作，其中步骤5）和步骤6）可以互换。优点：硅既作为结构层的同时，又作为加热层，免除了还要做加热层的麻烦，采用离子注入的方法制作加热层，简化了电热式MEMS驱动臂的加热层的工艺步骤，提高了效率。
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公开(公告)号：CN113120848B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN201911408258.4
申请日：2019-12-31
Applicant: 无锡微文半导体科技有限公司
Abstract: 一种制作电热式MEMS驱动臂的方法，包括如下步骤：1）、选择高阻硅作为衬底；2）、在衬底上进行图形化，形成预先设计的导电回路图形的掩模；3）、使用注入法或扩散法对衬底进行掺杂，形成导电回路，该导电回路作为加热电阻层；4）、在加热电阻层上制作绝缘材料作为绝缘层；5）、在绝缘层上制作高热膨胀系数的材料作为第一结构层；6）、刻蚀衬底的底部，留下设定厚度的高阻硅作为第二结构层；7）、在衬底的上部按照预先设计的MEMS驱动臂形状进行正面图形化刻蚀；最终完成该电热式MEMS驱动臂的制作。优点：硅既作为结构层的同时，由作为加热电阻层，免除了还要做加热电阻层的麻烦，简化了电热式MEMS驱动臂的加热电阻层的工艺步骤，提供了效率。
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公开(公告)号：CN113985599B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202111153164.4
申请日：2021-09-29
Applicant: 无锡微文半导体科技有限公司
IPC: G02B26/02
Abstract: 本公开实施例公开了一种透射式光开关、照明装置及电子设备，所述透射式光开关包括框架，所述框架形成有通道；遮光元件，所述遮光元件悬置于所述通道上，所述遮光元件被构造为用于开启或关闭所述通道；挡块，所述挡块位于所述通道中，并且位于所述遮光元件下方；及驱动组件，所述驱动组件包括：在所述遮光元件的中部设置的连接部；及驱动装置，所述驱动装置的一端与所述框架连接，所述驱动装置的另一端与所述连接部连接，所述驱动装置能够发生弯曲和展平；在所述驱动装置弯曲的状态下，所述挡块对所述遮光元件的局部形成阻挡，以使所述遮光
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公开(公告)号：CN119330302A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411437454.5
申请日：2024-10-15
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明提供了一种SiC晶圆的加工方法、MEMS压力传感器及其制备方法，涉及先进制造技术领域。本发明提供了一种SiC晶圆的加工方法，包括以下步骤：在原始SiC晶圆的表面依次外延n型缓冲层、p型外延层和n型外延层，形成表面层叠有n型缓冲层、p型外延层和n型外延层的SiC晶圆；将Si晶圆与所述n型外延层进行临时键合后对原始SiC晶圆的另一面进行研磨减薄、抛光，得到加工后的SiC晶圆。本发明通过将原始SiC晶圆和Si晶圆键合后进行研磨减薄，避免了对SiC晶圆深刻蚀加工，显著降低SiC晶圆的生产成本和难度；通过抛光提高了SiC晶圆表面的形貌均匀度。
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公开(公告)号：CN119330296A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411440725.2
申请日：2024-10-15
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS的法布里‑珀罗腔，包括静电驱动器和FP腔，静电驱动器包括基底层、埋氧层以及器件层，器件层包括外框架、固定梳齿、内框架和可动梳齿，固定梳齿以及可动梳齿均具有电极且能够与外部控制电路连接，以在固定梳齿以及可动梳齿之间形成梳齿电容；FP腔包括平行设置的第一面板和第二面板。静电驱动器采用梳齿方式驱动，可以实现对FP腔相对位置的精准驱动与控制，通过对FP腔施加电压，改变FP腔平行的两面板之间的距离，并通过对梳齿电容的检测，实现位置检测，进而实现对FP腔平行的两面板的距离控制。通过先进封装技术，实现电极的引出与各种气氛或真空环境的封装，提高FP腔的实用性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117963832A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410042150.2
申请日：2024-01-11
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开的一种基于SOI与SiC的耐高温MEMS器件及其制备方法，属于先进制造技术领域。本发明包括SiC、金属引线、金属电极、氧化硅绝缘层、SOI的器件层、SOI的埋氧层、SOI的基底层和空腔。SOI晶圆由三层结构组成，最上层为器件层，中间层为埋氧层，最下层为基底层。将生长有氧化硅绝缘层的SiC晶圆与SOI晶圆进行键合，SOI晶圆的器件层和SiC晶圆的氧化硅绝缘层通过阳极键合进行永久性结合。抛光、图形化处理后的SiC形成SiC块，将SiC块作为压敏结构。光刻图形化形成金属电极和金属引线。本发明通过采用预定掺杂参数的碳化硅，将碳化硅和载片进行键合，避免对碳化硅的外延和掺杂等二次加工，显著降低碳化硅器件的生产成本和难度。
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公开(公告)号：CN116247401A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310244621.3
申请日：2023-03-13
Applicant: 北京理工大学重庆微电子研究院 , 北京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种太赫兹MEMS频率可重构滤波器及其实现方法，包括波导组件和MEMS位移执行器，波导组件构成一个N阶太赫兹滤波器，MEMS位移执行器至少形成N个位移量可调的MEMS可调谐平面，MEMS可调谐平面通过调节位移量来同步等值改变所述N阶太赫兹滤波器的N个矩形谐振腔的宽度，以实现太赫兹滤波器的中心频率可重构。本发明具有大范围连续调节太赫兹波工作频率的功能，解决了当前太赫兹射频前端系统中工作频率调节困难且频率调节不连续的问题；利用这种MEMS微型可动结构调节太赫兹滤波器的工作频率，解决了当前太赫兹可重构滤波器性能差且体积大的问题；通过同步对称改变太赫兹波导滤波器谐振宽度的方法，实现太赫兹滤波器的工作频率连续可调而工作带宽保持不变。
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公开(公告)号：CN116247401B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310244621.3
申请日：2023-03-13
Applicant: 北京理工大学重庆微电子研究院 , 北京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种太赫兹MEMS频率可重构滤波器及其实现方法，包括波导组件和MEMS位移执行器，波导组件构成一个N阶太赫兹滤波器，MEMS位移执行器至少形成N个位移量可调的MEMS可调谐平面，MEMS可调谐平面通过调节位移量来同步等值改变所述N阶太赫兹滤波器的N个矩形谐振腔的宽度，以实现太赫兹滤波器的中心频率可重构。本发明具有大范围连续调节太赫兹波工作频率的功能，解决了当前太赫兹射频前端系统中工作频率调节困难且频率调节不连续的问题；利用这种MEMS微型可动结构调节太赫兹滤波器的工作频率，解决了当前太赫兹可重构滤波器性能差且体积大的问题；通过同步对称改变太赫兹波导滤波器谐振宽度的方法，实现太赫兹滤波器的工作频率连续可调而工作带宽保持不变。
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公开(公告)号：CN117963831A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410042018.1
申请日：2024-01-11
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开的一种基于SiC膜片的耐高温MEMS器件及其制备方法，属于先进制造技术领域。本发明包括由Si晶圆制作的基底、P型SiC、N型SiC、刻蚀掩膜层、压敏电阻、体型引线、绝缘层、引线和空腔。采用P型SiC作为传感器压敏芯片的膜片材料。N型SiC位于上层。使用低压热壁化学气相沉积系统在SiC晶圆的Si面外延生长N型外延层。在外延面旋涂光刻胶，图形化刻蚀掩膜层。本发明提供三种制作方法用于制作基于SiC膜片的耐高温MEMS器件。三种方法均Si晶圆作为传感器压敏芯片的基底材料，SiC和硅晶圆进行键合，实现准SiC的压力传感器制作。本发明通过引入硅晶圆能够避免刻蚀SiC，进而降低工艺加工难度，提高MEMS器件的良率，降低成本，发挥SiC的耐高温性能。
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公开(公告)号：CN117848202A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410040998.1
申请日：2024-01-09
Applicant: 北京理工大学重庆微电子研究院 , 北京理工大学
IPC: G01B7/30
Abstract: 本发明提供了一种MEMS微镜的角度和方向检测系统及方法，包括：MEMS微镜，其镜面在信号驱动下进行转动；电极板，设置于MEMS微镜镜面近处，并与MEMS微镜镜面形成电容，在MEMS微镜镜面转动时产生电信号；信号采集电路，用于采集由镜面转动产生的电信号，并进行预处理后送至处理器；以及处理器，用于为提供控制信号以驱动微镜进行转动，以及接收信号采集电路发送的信号，并解析出微镜偏转角度和方向信息。本发明可以稳定提取出高精度的反映微镜偏转角度和偏转方向的位置反馈信号；在不影响微镜转动的情况下实时反馈微镜偏转角度的同时获取微镜当前运动方向，降低了微镜设计和制造工艺复杂度。
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