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公开(公告)号：CN117033280A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310760957.5
申请日：2023-06-26
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种用于I2C总线的热插拔保护电路、接口芯片及热插拔系统，属于热插拔技术领域。该电路热插拔保护电路包括控制电路、上拉电路和切断电路，控制电路的两个输入端分别接入I2C总线和次板电源VDD，输出端连接上拉电路的第一输入端，切断电路的输入端连接VDD，输出端连接上拉电路的第二输入端，上拉电路的输出端接入I2C总线。所述控制电路被配置为在VDD先插入的情况下，在设定时间导通上拉电路，以通过上拉电路来拉高悬空的I2C总线。所述切断电路被配置为在I2C总线先插入的情况下，切断VDD与I2C总线之间的电流流入通路。本发明实施例解决了由于插入顺序和上电顺序导致的不良热插拔的缺陷，减少了软硬件负担。
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公开(公告)号：CN116111849A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211326706.8
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种双有源桥变换电路、电路工作方法及电子装置，所述双有源桥变换电路包括：输入侧全桥电路，所述输入侧全桥电路包括第一开关管Q1、第二开关管Q2、第三开关管Q3和第四开关管Q4；负载侧全桥电路，所述负载侧全桥电路包括第五开关管Q5、第六开关管Q6、第七开关管Q7和第八开关管Q8；高频变压器，所述高频变压器的初级绕组连接于所述输入侧全桥电路的输出端，所述高频变压器的次级绕组连接于所述负载侧全桥电路的输入端；其中，Q1和Q3采用交叉耦合的方式连接，Q5和Q7采用交叉耦合的方式连接。本公开的技术方案，大幅减少了提供控制信号的驱动电路的损耗，降低了实现成本。
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公开(公告)号：CN115603588A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211327230.X
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司(CN) , 国网江苏省电力有限公司泰州供电分公司(CN)
Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种桥变换电路、电路工作方法及电子装置，所述桥变换电路包括：第一输入侧全桥电路，第二输入侧全桥电路、负载侧全桥电路以及高频变压器，本公开的技术方案，可以在确保电路整体工作效率较高的前提下，减少桥变换电路中开关单元切换导通状态时所产生的共模电流，从而降低共模电流流过印刷电路板时所产生的磁偶极子辐射，确保电路能够正常工作。
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公开(公告)号：CN115603587A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211327228.2
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司(CN)
Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种低EMI的变换器电路、电子装置、芯片及电力传输系统，所述低EMI的变换器电路包括：输入侧电路、负载侧电路和高频变压器，所述高频变压器的初级绕组连接于所述输入侧电路的输出端，所述高频变压器的次级绕组连接于所述负载侧电路的输入端；其中，所述输入侧电路包括隔离电源输入电路；所述高频变压器包括平板变压器，所述平板变压器中间包括两层由金属构成的屏蔽板，提高了电路的抗电磁干扰能力。
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公开(公告)号：CN115603587B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202211327228.2
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种低EMI的变换器电路、电子装置、芯片及电力传输系统，所述低EMI的变换器电路包括：输入侧电路、负载侧电路和高频变压器，所述高频变压器的初级绕组连接于所述输入侧电路的输出端，所述高频变压器的次级绕组连接于所述负载侧电路的输入端；其中，所述输入侧电路包括隔离电源输入电路；所述高频变压器包括平板变压器，所述平板变压器中间包括两层由金属构成的屏蔽板，提高了电路的抗电磁干扰能力。
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公开(公告)号：CN115603586A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211326687.9
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京智芯半导体科技有限公司(CN) , 北京智芯微电子科技有限公司(CN)
Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种双有源桥变换电路、电路工作方法及电子装置，所述双有源桥变换电路包括：输入侧全桥电路，输入侧全桥电路包括第一开关管Q1、第二开关管Q2、第三开关管Q3、第四开关管Q4、第五开关管Q5以及第六开关管Q6；负载侧全桥电路，负载侧全桥电路包括第七开关管Q7、第八开关管Q8、第九开关管Q9、第十开关管Q10；高频变压器，高频变压器的初级绕组连接于输入侧全桥电路的输出端，高频变压器的次级绕组连接于负载侧全桥电路的输入端。本公开的技术方案，可以确保不会在负载侧全桥与输入侧全桥之间形成振荡回路，从而避免产生自激振荡，减少对DAB变换电路的正常工作造成的影响。
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公开(公告)号：CN115603586B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202211326687.9
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种双有源桥变换电路、电路工作方法及电子装置，所述双有源桥变换电路包括：输入侧全桥电路，输入侧全桥电路包括第一开关管Q1、第二开关管Q2、第三开关管Q3、第四开关管Q4、第五开关管Q5以及第六开关管Q6；负载侧全桥电路，负载侧全桥电路包括第七开关管Q7、第八开关管Q8、第九开关管Q9、第十开关管Q10；高频变压器，高频变压器的初级绕组连接于输入侧全桥电路的输出端，高频变压器的次级绕组连接于负载侧全桥电路的输入端。本公开的技术方案，可以确保不会在负载侧全桥与输入侧全桥之间形成振荡回路，从而避免产生自激振荡，减少对DAB变换电路的正常工作造成的影响。
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