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公开(公告)号：CN119645393A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411637974.0
申请日：2024-11-15
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种后处理仿真数据显示框架的搭建方法、装置和电子设备，属于计算机处理技术领域。方法包括：响应于控制台区域的配置指令，创建控制台区域；所述控制台区域用于接收对后处理仿真数据文件的可视化参数编辑命令；响应于数据显示区域的配置指令，创建数据显示区域；所述数据显示区域用于显示所述后处理仿真数据文件的可视化结果；响应于菜单栏区域的配置指令，创建菜单栏区域；所述菜单栏区域用于接收对所述后处理仿真数据文件的菜单操作命令。本发明用以解决如何能快速搭建出具备弹性化的软件原型，可以显著减少用户与设计者之间的理解误差、降低代码推倒重构风险，从而实现软件在正确的轨道上快速迭代开发的问题。
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公开(公告)号：CN119545855A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411404024.3
申请日：2024-10-09
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种非对称型混合多栅半导体器件及其制作方法、芯片，属于半导体技术领域。所述非对称型混合多栅半导体器件包括：衬底，包括第一高压阱区，第一高压阱区中设有沿目标方向依次连接的漏极区、第一漂移区和第二漂移区，第二漂移区的掺杂浓度大于第一漂移区的掺杂浓度；第二漂移区中的阱区中设有沿目标方向相间隔的第一源极区和第二源极区，第一源极区靠近第一漂移区一侧的阱区构成第一沟道区，第二源极区底部的阱区构成第二沟道区；第一栅极结构，覆盖第一沟道区；第二栅极结构，位于第一高压阱区内，且覆盖第二沟道区。本申请能够在提高器件的过电流能力的同时，维持了较小的器件面积，保证了器件集成度。
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公开(公告)号：CN117852462B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202311550020.1
申请日：2023-11-20
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: G06F30/367 , G06F119/02 , G06F119/04 , G06F111/08 , G06F111/10 , G06F119/14 , G06F119/08
Abstract: 本申请公开可靠性仿真方法、可靠性仿真装置、仿真设备及非易失性计算机可读存储介质。方法包括获取电磁干扰信号的周期性干扰信号；对获取的电磁干扰信号周期性干扰信号进行高斯混合模拟，以获取高斯混合干扰信号时域函数；根据高斯混合干扰信号时域函数和预设加速因子模型，将周期性干扰信号转换为矩形脉冲信号，预设加速因子模型为正常工况下的预期失效时间和具有预设加速应力条件下的真实失效时间的比值，预设加速因子模型满足退化一致性条件；及将矩形脉冲信号作为输入边界条件，输入到预设的仿真软件仿真预设次数，以输出待仿真晶体管的退化率，退化率配置为表征待仿真晶体管的可靠性。如此，仿真结果可准确地反映待仿真晶体管的可靠性。
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公开(公告)号：CN117313625A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311605343.6
申请日：2023-11-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京航空航天大学
IPC: G06F30/367 , G01R31/26 , G01N33/2022 , G06F119/04
Abstract: 本发明提供一种MOS器件寿命预测方法、装置和电子设备，属于半导体器件技术领域。方法包括：基于对正常环境的MOS器件进行加速退化试验的试验结果获取关键电参数退化曲线；基于关键电参数退化曲线确定MOS器件的试验寿命；对正常环境的MOS器件进行可靠性仿真，基于仿真结果获取第一栅氧界面缺陷浓度退化曲线；基于第一栅氧界面缺陷浓度退化曲线与试验寿命，确定目标栅氧界面缺陷浓度；对电磁干扰环境的MOS器件进行可靠性仿真，基于仿真结果获取第二栅氧界面缺陷浓度退化曲线；基于第二栅氧界面缺陷浓度退化曲线与目标栅氧界面缺陷浓度，确定电磁干扰环境下MOS器件的预测寿命。本发明解决电磁干扰下MOS器件寿命难评估的缺陷。
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公开(公告)号：CN116930594A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311178015.2
申请日：2023-09-13
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山西省电力公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体器件原位微区电流分布检测方法及系统，属于半导体器件检测领域，该方法包括：搭建NV色心检测平台；对半导体器件检测样品施加电流，使其导通；利用NV色心检测平台检测半导体器件检测样品正面的磁场强度；利用傅里叶变换、毕奥‑萨伐尔定律、电流密度连续性方程和半导体器件检测样品正面的磁场强度计算半导体器件检测样品正面的原位微区电流密度，以确定半导体器件原位微区电流分布。通过本发明提供的方法，能够探测半导体器件的磁场信号，从而反演获得半导体器件内部微区电流信息，实现半导体器件原位微区电流分布检测，获得半导体器件中载流子实际的输运过程，指导半导体器件设计。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115881778A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202310056870.X
申请日：2023-01-19
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底；阱区，形成于衬底；体区和漂移区，形成于阱区；漂移延伸区，形成于漂移区的上表面，漂移延伸区包括第一延伸层和层叠设置于第一延伸层之上的第二延伸层，第一延伸层与第二延伸层具有不同的导电类型，第一延伸层与漂移区具有相同的导电类型；氧化介质层，形成于漂移区的上表面，位于漂移延伸区的两侧；栅极，形成于体区上；源极，形成于体区；漏极，形成于漂移区。通过本发明提供的晶体管，能够改善晶体管的自热效应，避免载流子迁移率下降，降低热载流子效应，提高击穿电压，提高器件性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN119647241A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411631328.3
申请日：2024-11-15
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G06F30/27 , G06N3/126 , G06N5/01 , G06N20/20 , G06F111/06
Abstract: 本发明提供一种器件结构及工艺条件优化方法、装置和电子设备，属于计算机技术领域方法，包括：获取初始器件结构数据和初始工艺条件数据；将初始器件结构数据和初始工艺条件数据输入至一个或多个第一性能指标预测模型以进行模型训练，基于训练结果中初始器件结构数据的权重和初始工艺条件数据的权重筛选出目标器件结构数据和目标工艺条件数据；确定第一器件结构数据和第一工艺条件数据组成的数据对作为种群中的个体，以及确定第一性能预测结果作为个体的适应度；基于NSGA‑Ⅱ算法对多目标函数进行求解，得到种群的帕累托前沿解集，作为器件结构及工艺条件的优化结果。本发明用以解决现有器件结构优化过程存在设计时间较长与成本较高的问题。
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公开(公告)号：CN119647094A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411696014.1
申请日：2024-11-25
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网福建省电力有限公司信息通信分公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供一种基于金属栅极颗粒度的FinFET器件仿真方法及制造方法。所述方法包括：建立FinFET器件的仿真对象模型；基于FinFET器件的金属栅极颗粒度，对仿真对象模型自动生成的沟道与绝缘体的界面节点的边界条件进行预处理；将预处理后的仿真对象模型随机生成的结果输入器件仿真求解器进行求解。采用本发明的方法，可以更加准确地设置FinFET器件沟道与绝缘层界面上的边界条件，从而得到更加准确的仿真计算结果。
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公开(公告)号：CN119180924A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411115503.3
申请日：2024-08-14
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网江苏省电力有限公司营销服务中心 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G06T17/20
Abstract: 本发明提供一种模型转化方法、装置和电子设备，属于计算机技术领域。方法包括：获取2D器件几何模型；基于网格种类转化工具将2D器件几何模型的三角形网格转化为四边形网格，确定对四边形网格的网格密度检测结果；在网格密度检测结果表征网格密度满足要求的情况下，基于网格种类转化工具将四边形网格转化成六面体网格，删除六面体网格中游离的几何数据；响应于拉伸参数配置指令，获取拉伸参数，通过拉伸工具基于拉伸参数将六面体网格拉伸成3D器件几何模型。本发明通过将2D器件几何模型的三角形网格转化成四边形网格，将四边形网格转化成六面体网格，再将六面体网格拉伸为3D器件几何模型，实现建模时间以及降低开发成本。
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公开(公告)号：CN117852462A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311550020.1
申请日：2023-11-20
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: G06F30/367 , G06F119/02 , G06F119/04 , G06F111/08 , G06F111/10 , G06F119/14 , G06F119/08
Abstract: 本申请公开可靠性仿真方法、可靠性仿真装置、仿真设备及非易失性计算机可读存储介质。方法包括获取电磁干扰信号的周期性干扰信号；对获取的电磁干扰信号周期性干扰信号进行高斯混合模拟，以获取高斯混合干扰信号时域函数；根据高斯混合干扰信号时域函数和预设加速因子模型，将周期性干扰信号转换为矩形脉冲信号，预设加速因子模型为正常工况下的预期失效时间和具有预设加速应力条件下的真实失效时间的比值，预设加速因子模型满足退化一致性条件；及将矩形脉冲信号作为输入边界条件，输入到预设的仿真软件仿真预设次数，以输出待仿真晶体管的退化率，退化率配置为表征待仿真晶体管的可靠性。如此，仿真结果可准确地反应待仿真晶体管的可靠性。
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