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公开(公告)号：CN114401196B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202210082959.9
申请日：2022-01-25
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 浙江大学 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H04L41/0896
Abstract: 本发明公开了一种无线时间敏感网络系统的带宽配置方法、装置及存储介质、芯片，方法包括：在接收到时间敏感网络TSN设备发送的新业务接入请求时，根据所述新业务接入请求对相应的新业务进行分类，其中，所述TSN设备通过无线网络连接到时间敏感网络系统；根据所述新业务的类别，估算所述新业务的有效带宽，并根据所述有效带宽得到所述新业务接入后的需求总带宽；判断所述需求总带宽是否大于预设资源总量；如果是，则执行分优先级的接入控制；如果否，则接入所述新业务，并直接为所述新业务分配所述有效带宽对应的带宽资源。该方法可提高系统灵活性，降低配置方法复杂度，且可提高网络资源利用率。
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公开(公告)号：CN112052184B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202011049951.X
申请日：2020-09-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
IPC: G06F11/36
Abstract: 本发明公开一种测试脚本的自动生成方法，应用于芯片操作系统，该方法包括：判断是否获取到所有输入内容中的所有内容信息，内容信息包括目录结构信息、指令列表信息、共用函数信息、配置信息以及脚本模板信息；在确定获取到所有内容信息情况下，获取开发需求信息，基于开发需求信息生成结构创建脚本，结构创建脚本用于生成待测试文件结构；基于指令列表信息创建指令测试脚本集和公共脚本集；基于指令列表信息生成与指令测试脚本集对应的指令测试脚本，以及基于指令列表信息生成与公共脚本集对应的公共脚本；将待测试文件结构、指令测试脚本和公共脚本存储于脚本模板信息，生成芯片操作系统的测试脚本。本发明还公开一种测试脚本的自动生成装置。
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公开(公告)号：CN112213582B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202011048442.5
申请日：2020-09-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开一种电子模块的检测系统，该系统包括：参数设置模块，与待检测的电子模块电连接，用于获取第一设置操作，基于第一设置操作生成并设置电子模块的模块参数，模块参数包括频率参数和/或电压参数；控制模块，与电子模块电连接，用于实时控制电子模块按照模块参数运行；检测模块，与电子模块电连接，用于对运行中的电子模块执行检测操作，获得对应的检测结果。本发明还公开一种电子模块的检测方法及一种电子模块的检测装置。通过采用宽压高速MCU对电子模块的工作电压和/或工作频率进行调整测试，从而对在工作频率或工作电压的干扰下运行的电子模块进行模拟并进行检测，从而有效保证了对电子模块的检测完整度，满足技术人员的实际检测需求。
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公开(公告)号：CN117686105A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202410158573.0
申请日：2024-02-04
Applicant: 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Inventor： 卓洪树 , 陈广 , 厉苗 , 许建明 , 宋天民 , 熊汉武 , 孟贤 , 张柯 , 蔡云峰 , 丁一 , 杨凯 , 刘建军 , 陶加贵 , 李成钢 , 张建国 , 王于波 , 杜鹃
Abstract: 本发明提供了一种基于RFID芯片的电缆测温装置及方法，具体包括：嵌入电缆的测温RFID标签芯片及RFID读写设备，测温RFID标签芯片包括通过信号连接的射频前端单元及温度传感器单元；射频前端单元，用于接收RFID读写设备的测温指令以触发温度传感器单元的测温功能，并将温度传感器单元的温度数据反馈给RFID读写设备；温度传感器单元，包括传感器模拟前端电路及ADC模块，用于基于偏置电流下三极管的VBE，给出温度数据，并发送给射频前端单元。设置适合的射频前端单元，实现了温度传感器单元在低电压下稳定工作，配合ADC模块，兼顾低功耗、高精度，实现了传感器和RFID技术的深度融合。
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公开(公告)号：CN109918338B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN201910180286.9
申请日：2019-03-11
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种安全芯片操作系统测试装置，是通过Python语言构建的，其包括PCSC通信接口层、算法库接口层、功能指令接口层、基本算法接口层、脚本编写和执行层。通过PCSC通信接口层实现与待测安全芯片的通信。算法库接口层用于封装待测安全芯片所应用的多种安全算法的接口。功能指令接口层用于封装待测安全芯片的操作系统中的功能指令。基本算法接口层用于对算法库接口层的接口进行二次组合封装，同时新增运算函数。脚本编写和执行层用于存储、执行和修改测试脚本，脚本编写和执行层通过组合和调用PCSC通信接口层、算法库接口层、功能指令接口层以及基本算法接口层从而实现对测试。该安全芯片操作系统测试装置能够有效地提高测试脚本的编写和调试速率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109982439B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201910288663.0
申请日：2019-04-11
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H04W72/54
Abstract: 本发明公开了一种基于蜂窝网络的D2D通信系统的信道资源分配方法，该信道资源分配方法包括：基站接收D2D通信系统中的所有D2D通信对的发送端所发起的D2D通信请求；基站向D2D通信对的接收端发送业务通知信号；基站接收D2D通信对的接收端所返回的应答信号；基站通知D2D通信对的发送端向接收端发送探测信号；基站接收所有D2D通信对的接收端所测量的D2D通信对对每个蜂窝用户的干扰值、D2D通信对的链路增益以及D2D通信对所接收到的链路噪声信息；基站根据所有D2D通信对对每个蜂窝用户的干扰值、D2D通信对的链路增益以及D2D通信对所接收到的链路噪声信息，以吞吐量最大化的算法对信道资源进行分配，该信道资源分配方法能够实现最大化吞吐量和最大化接入。
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公开(公告)号：CN111999553B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202010731994.X
申请日：2020-07-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种确定中继器电表的方法、通信装置、电表及金属电表箱，属于无线通信技术领域。放置于具有外置天线的金属电表箱内的电表的通信装置包括：外置天线射频连接器，用于执行与所述外置天线的通断；外置天线取样电路，用于当所述外置天线射频连接器被连接到所述外置天线时，输出第一指定电平；以及MCU，用于检测所述外置天线取样电路的输出电平，并当检测到所述输出电平为所述第一指定电平时，确定所述电表被激活中继器功能以及所述电表为所述金属电表箱中的中继器电表。本发明实施例适用于金属电表箱内的电表的通信过程。
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公开(公告)号：CN116190438A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211100004.8
申请日：2022-09-07
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/40
Abstract: 本发明涉及一种AlGaN/GaN垂直型高电子迁移率晶体管及其制作方法；是解决场板技术应用到具有垂直型漂移区的器件中时，会出现垂直型漂移区容易受电荷不平衡的影响，从而影响到导通电流的问题；包括GaN材料的衬底；依次生长在衬底上方的N型漂移区、GaN沟道层和AlGaN势垒层，在AlGaN势垒层上表面形成的源区，源区内设置源极；在N型漂移区左右两侧形成相同数量的P型浮空埋层，在N型漂移区上部形成P型阻挡层；通过对N型漂移区、P型阻挡层、GaN沟道层和AlGaN势垒层中部贯通刻蚀形成多层台阶状介质沟槽，介质沟槽的每侧内壁上设置有多层台阶状的氧化层，在两侧氧化层之间淀积SIPOS场板；在SIPOS场板上方淀积多晶硅，设置在多晶硅上方的栅极和钝化层，两个源极共接。
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公开(公告)号：CN115617115B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211344115.3
申请日：2022-10-31
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G05F3/26
Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种基准电压产生电路、芯片及电子设备，所述基准电压产生电路包括：参考电压产生电路，所述参考电压产生电路用于生成第一参考电压；稳压电路，所述稳压电路包括电压转换电路、拉电流稳压支路和灌电流稳压支路，其中：所述电压转换电路用于将所述第一参考电压转换成所述基准电压，并在所述基准电压产生电路接收到外部拉电流时，将所述基准电压转换为第一控制电压，在所述基准电压产生电路接收到外部灌电流时，将所述基准电压转换为第二控制电压；所述拉电流稳压支路接收所述第一控制电压，所述灌电流稳压支路接收所述第二控制电压，以对所述基准电压进行稳压，从而提高电路可靠性。
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公开(公告)号：CN115713953A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211209170.1
申请日：2022-09-30
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京航空航天大学
IPC: G11C11/4097
Abstract: 本发明提供一种半导体器件、存算芯片、集成电路产品及操作方法，属于半导体器件技术领域。所述半导体器件包括：N个MTJ单元，任一MTJ单元包括至少两个MTJ；控制单元，用于对所述N个MTJ单元执行写入操作和读取操作；所述控制单元用于选通地控制所述写入操作的电流，将被运算比特序列写入至M个MTJ单元中的MTJ，M为运算比特序列的比特数；所述控制单元用于基于所述运算比特序列，选通地控制运算操作的电流，注入所述M个MTJ单元中的MTJ，以及用于控制流出所述M个MTJ单元的电流，注入或流出电流的控制持续时间为锁定值与单位时间的乘积值；所述控制单元用于基于所述M个MTJ单元的流出电流的读出值，确定运算结果。本发明可用于提供具有运算能力的磁存储器和芯片。
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