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公开(公告)号：CN103056500A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210516162.1
申请日：2012-11-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体陶瓷外壳封帽的焊接方法，属于半导体陶瓷封装技术领域。在金属盖板表面预置镀金属层，在陶瓷外壳焊接区域预置镀层金属封口框；将焊料环点焊在金属盖板的镀金属层上；在氮气气氛下，将金属盖板与陶瓷外壳的金属封口框对位，利用平行缝焊设备使用小角度(5°)铜电极进行低功率焊接，使焊料环充分熔化并分别与金属盖板的镀金层和陶瓷外壳的金属封口框焊接，完成电路的熔封。本发明的方法避免了平行缝焊过程中，脉冲过大，局部集中加热温度过高的问题；避免了熔封工艺中使电路内部芯片和键合处在高温状态中；降低了平行缝焊的最高温度。
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公开(公告)号：CN118818682A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410877251.1
申请日：2024-07-02
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明属于电路封装工艺领域，具体涉及一种基于低透光率绝缘胶抑制光电耦合器光互扰的工艺方法，旨在解决多通道光电耦合器通道间容易造成光互扰的问题。本发明包括：将表贴光电耦合器固定于点胶工装设定位置，并调整显微镜视野正对所述多通道表贴光电耦合器；使绝缘胶附着在内瓷片近腔体侧壁一侧中间；通过拨针进行移动使内瓷片近腔体侧壁的绝缘胶与陶瓷外壳侧壁连接；填涂绝缘胶使内瓷片与陶瓷隔离墙之间的中缝完全遮盖；通过设定的测量电路，对封光表贴光电耦合器进行电流传输比和光互扰的测量。本发明采用工艺方法将结构性系统性的电路设计误差影响降低至最小化，通过极低的成本和简单易行的操作方式极大程度的降低光互扰。
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公开(公告)号：CN118630028A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410531021.X
申请日：2024-04-29
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种用于大尺寸传感器芯片高平面度粘片结构的制作方法，包括：在芯片粘接区均匀涂抹助焊剂，将定位球放置在芯片粘接区；将限位片按照设计规定位置进行贴装，将定位球与芯片粘接区进行焊接；将焊接后得到的器件进行清洗和烘干，将助焊剂清洗干净，随后剥离限位片；在设计规定位置放置芯片，将芯片四角分别与芯片粘接区粘接，并在施加一定压力P的状态下进行快速固化；沿着芯片任一方向的边缘位置使用胶头进行填胶，直至芯片底部充满胶液；在芯片上方施加一定质量的压块，然后按照所填胶液的工艺说明书进行固化。本发明所述方法能够有效控制大尺寸芯片的粘片平面度，粘片平面度≤20μm，远优于未使用本方法的同类器件。
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公开(公告)号：CN111081594B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN201910913120.3
申请日：2019-09-25
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种JLCC图像传感器电路封装前的清洗工装及方法，工装中高速旋转平台中心位置紧密分布了小孔，并在高速旋转平台边缘均匀分布了4个安全限位卡槽；所述的电路定位工装包括基板以及设置在基板上的电路限位卡槽，所述的电路限位卡槽有多组且位于同一圆周上，每组电路限位卡槽用于固定一个待清洗电路；电路定位工装安装在所述的旋转平台上，通过设置在旋转平台上的小孔利用真空吸附的方式实现二者的固定，由旋转平台带动电路定位工装上的待清洗电路实现清洗过程中的旋转；液体与高压气体通道与放置在旋转平台上方的二流体喷嘴连通，通过二流体喷嘴喷射二流体至待清洗电路表面，实现清洗。
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公开(公告)号：CN111081594A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910913120.3
申请日：2019-09-25
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种JLCC图像传感器电路封装前的清洗工装及方法，工装中高速旋转平台中心位置紧密分布了小孔，并在高速旋转平台边缘均匀分布了4个安全限位卡槽；所述的电路定位工装包括基板以及设置在基板上的电路限位卡槽，所述的电路限位卡槽有多组且位于同一圆周上，每组电路限位卡槽用于固定一个待清洗电路；电路定位工装安装在所述的旋转平台上，通过设置在旋转平台上的小孔利用真空吸附的方式实现二者的固定，由旋转平台带动电路定位工装上的待清洗电路实现清洗过程中的旋转；液体与高压气体通道与放置在旋转平台上方的二流体喷嘴连通，通过二流体喷嘴喷射二流体至待清洗电路表面，实现清洗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111081593A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910907612.1
申请日：2019-09-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/67 , H01L21/304
Abstract: 本发明公开了一种用于单芯片减薄的工装，包括单晶硅片和减薄膜，单晶硅片中心加工有圆孔，待减薄的单颗芯片通过减薄膜固定在圆孔内部；单晶硅片的厚度为待减薄芯片厚度±5μm，圆孔的直径小于90mm，且大于等于待减薄芯片对角线的2倍。本发明进一步公开了一种用于单芯片减薄的方法，首先制备工装，然后利用工装固定芯片，设置减薄机粗磨和精磨参数，实现粗磨减薄和精磨减薄，保证减薄后的芯片厚度、TTV和自身强度满足设计要求。利用本发明中的工装及方法，可高效、稳定的完成单颗芯片的减薄，实现对MPW拼版圆片上不同厚度要求芯片的减薄，方法简单实用、易于实现，可操作性强。
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公开(公告)号：CN119626910A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411716695.3
申请日：2024-11-27
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明属于集成电路塑封领域，具体涉及了一种抑制塑封电路内部分层的方法。本发明旨在解决塑封电路内部分层的问题。本发明的抑制塑封电路内部分层的方法采用真空气相沉积工艺分别将偶联剂、聚对二甲苯、偶联剂沉积在电路内部，将纳米氟素沉积在塑封外层。本发明可有效增强器件防水防潮能力，抑制分层，还可使器件在通过HAST、高压蒸煮、盐雾考核后塑封料不受到腐蚀，保持外观整洁。
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公开(公告)号：CN118630027A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410531018.8
申请日：2024-04-29
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种用于传感器芯片的高平面度粘片结构的制作方法，包括：点胶：采用热塑性树脂作为粘接材料，在陶瓷外壳上的芯片粘片区采用自动点胶/手动点胶方式，按照规定的点胶路径进行点胶；塑形：待粘接材料冷却固化后进行机械加工，得到凸台阵列；装片：将芯片放置在凸台阵列上；控制平面度：在芯片上方放置一定质量的限位片，利用限位片的重力进行平面度控制；固化：加热融化粘接材料后再次冷却固化。通过本发明所述方法，能够有效控制大尺寸芯片的粘片平面度，可实现大尺寸图像传感器芯片的高平面度的粘接，粘片平面度≤20μm，远优于未使用本方法的同类器件。
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公开(公告)号：CN113035746B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202110215119.0
申请日：2021-02-25
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种用于大尺寸芯片的金丝球焊键合装置，包括：固定框、引脚放置盘、加热片；集成电路，包括外壳和芯片；引脚放置盘的外侧与固定框的内侧固连；引脚放置盘的内侧形成待键合区域；键合设备的有效键合区域为键合设备的劈刀的运动范围的包络在待键合区域内的投影；待键合区域面积大于键合设备的有效键合区域面积；待键合区域分为键合区与非键合区，键合区位于键合设备的有效键合区域内，键合区面积小于键合设备的有效键合区域面积；待键合区域内键合区以外的区域为非键合区；加热片位于键合区内，加热片与引脚放置盘连接。解决大尺寸芯片在进行键合时出现的键合可行性问题，同时保证大尺寸电路键合的可靠性。
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公开(公告)号：CN109244012A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811042993.3
申请日：2018-09-06
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于CMOS图像传感器电路清洗的工装及方法，属于CMOS图像传感器电路封装领域。相比于传统方法，本发明能够快速、有效地去除附着在芯片、外壳以及玻璃盖板表面的沾污、灰尘以及其他形式的多余物，解决了CMOS图像传感器电路由于内部存在多余物致使感光部位受到遮挡而形成坏点导致的可靠性低的问题，同时不会影响电路内部键合丝的键合强度。利用本发明的方法可以有效去除CMOS图像传感器电路内部多余物，保证了CMOS图像传感器电路封装后的可靠性，有效的缩短了生产周期，且清洗方法简单实用、易于实现，可操作性强。
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