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公开(公告)号：CN104576414B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201410827891.8
申请日：2014-12-26
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/56
CPC classification number: H01L2224/73204 , H01L2224/8192
Abstract: 本发明提供一种倒装焊耐潮湿防护工艺方法，包括：将电路烘干；放入真空涂覆机中抽真空处理；装入涂覆材料并加热；对电路进行真空涂覆；填充环氧树脂。经上述处理后，在封装结构的焊点表面、芯片下表面、以及基板上表面均涂覆有涂覆材料，此薄膜大大提高了倒装焊封装结构的耐潮湿防护性能，并提高了焊点强度。这种工艺主要应用于非气密性倒装焊电路封装工艺中，可保障非气密性倒装焊电路防护的完整性，并能得到良好均匀性的防护层。
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公开(公告)号：CN106624423A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611156361.0
申请日：2016-12-14
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
CPC classification number: B23K35/0205 , B23K35/402 , H01L24/74
Abstract: 一种增强型焊柱制备装置及制备方法，属于陶瓷电子元器件封装领域。该装置包括焊丝供给机构、铜带缠绕机构、铜带浸焊机构和焊丝切断机构，利用焊丝供给机构提供平直的焊丝，铜带缠绕机构将一定厚度的铜带缠绕到焊丝上，经过铜带浸焊机构将整个焊丝外表面浸锡，得到增强型焊丝，并传送给焊丝切断机构进行整平后切断，得到多根增强型焊柱。本发明弥补了目前国内无法自主制备增强型焊柱的情况，且本发明装置及方法操作简便，能保证制备的焊柱具有良好的表面状态和端面平整性。
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公开(公告)号：CN106564002A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610986356.6
申请日：2016-11-09
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
CPC classification number: B24B37/042 , B24B37/30
Abstract: 本发明公开了一种控制CCGA器件焊柱共面性、位置度及垂直度的工装及方法，首先，将陶瓷柱栅阵列器件的焊柱插入焊柱保持板中，通过焊柱研磨量控制框控制焊柱从焊柱保持板冒出的长度，然后将器件紧固压块等部件依次安装好，最后轻轻拧紧固螺钉，保证器件与焊柱保持网板和焊柱研磨量控制框的紧密配合，然后利用研磨设备将焊柱冒出焊柱保持网板的部分去除，再对研磨面进行抛光，通过这种方式改善焊柱的共面性，同时通过焊柱保持网板改善焊柱的位置度和垂直度。本发明的工具和方法可将焊柱共面性控制在50μm以内，焊柱位置度控制在100μm以内，焊柱垂直度控制在1°以内，远优于未使用本方法的同类器件。
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公开(公告)号：CN104438010B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201410708118.X
申请日：2014-11-27
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种用于非气密性倒装焊器真空涂覆工艺的装置，包括螺孔、掩膜下座、掩膜上盖、外密封圈、中密封圈和划膜模板。真空涂覆工艺的方法为将待涂覆的已经完成芯片倒装的器件放置于方形掩膜下盖的凹槽内，盖好掩膜上盖，通过螺旋轴和内外密封圈的共同作用，在真空密闭腔室环境中，采用气相沉积方法对倒装焊器件进行真空涂覆，通过控制冷却井和裂解区之间的温度差和真空密闭腔室的真空度实现非气密性倒装焊器件真空涂覆工艺。本发明的装置可实现在非气密性倒装焊器件表面涂覆一层厚度均匀的有机物薄膜的真空涂覆工艺，保护倒装焊器件凸点免受水汽影响。
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公开(公告)号：CN105655264A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201511028690.2
申请日：2015-12-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/11 , H01L24/742 , H01L2224/111 , H01L2224/742
Abstract: 本发明公开了一种CCGA器件的植柱装置及植柱方法。植柱装置包括焊柱载板、底座、压块和定位柱。植柱方法为将CCGA器件放置于底座凹槽中，然后利用定位柱将焊柱载板和底座对位固定，将焊柱依次放入焊柱载板的网孔中，通过这种方式保持焊柱在CCGA器件焊盘上的直立，并使用压块保证焊柱稳定，最后通过回流焊实现植柱工艺。本发明的装置和方法可将焊柱焊接在CCGA器件的焊盘上，能够达到98％以上的植柱成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104308315B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410286012.5
申请日：2014-06-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷器件回流焊工艺的装置及方法。回流焊工艺的装置包括螺旋轴、石墨板、石墨板支架、石英加热灯、加热灯支架及密闭腔室。回流焊工艺的方法为将待回流的陶瓷器件、焊接件及焊膏放置于方形石墨板上，在真空密闭腔室中，采用石英加热灯对器件进行均匀加热，通过控制回流焊温度曲线和炉内气压实现真空环境下的回流焊工艺。本发明的装置和方法可在保障陶瓷器件均匀受热的前提下，实现无空洞、高可靠的回流焊焊接工艺，显著提高器件的回流焊焊点质量，同时此方法亦可应用于类似产品的高可靠回流焊接工艺过程。
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公开(公告)号：CN102962676B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201210453862.0
申请日：2012-11-13
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种SnPb焊柱的制备装置及方法，属于陶瓷电子元器件封装技术领域。该装置包括焊丝供给机构、焊丝整平机构、焊丝切断机构、电机和控制器，焊丝供给机构包括一个旋转螺杆和一个支撑旋转螺杆的支架，焊丝整平机构包括预整平装置和精确整平装置；精确整平装置上有两个皮轮，两个皮轮固定在平板上。本发明的装置操作简便，且能保证制备的焊柱具有良好的表面状态和端面平整性。
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公开(公告)号：CN104002003A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410256784.4
申请日：2014-06-10
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种无需负载低空洞率的真空钎焊装片工艺方法，包括如下步骤：(1)将待钎焊的芯片背面采用溅射Au工艺，进行背面金属化；(2)将待钎焊的芯片安装在集成电路封装外壳的待钎焊镀金装片区，并在待钎焊的芯片与待钎焊镀金装片区之间放入钎料；(3)将待焊接试样放置在钎焊设备中按照特殊设计的工艺条件进行钎焊，本发明在钎焊过程中通过温度曲线优化结合真空度控制，用气压差来替代压块负载，并对温度区间、升温速率、保温时间以及真空度进行了优化设计，确定了最佳的工艺条件，避免了传统方法中采用负载对芯片的损伤问题，降低钎焊空洞率，显著提高了钎焊成品率和钎焊质量。
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公开(公告)号：CN110882966B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201910907599.X
申请日：2019-09-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种高密度面阵列焊柱表面多余物清理装置，包括压缩空气腔(1)、传动台(2)、螺旋轴(4)、毛刷(5)、支撑杆(6)、弹簧(7)、底座(8)；压缩空气腔(1)位于传动台(2)上方，顶部设置阀门(10)与压缩空气管相连；传动台(2)上设置与四角支撑杆(6)相对应的通孔、与器件焊柱阵列位置相同的气孔(11)，且在每四个气孔(11)中间位置设置一个螺纹孔(12)；螺旋轴(4)安装在螺纹孔(12)中，螺旋轴(4)下方设置毛刷(5)；传动台(2)通过四角的支撑杆(6)与底座(8)相连，支撑杆(6)上套有弹簧(7)。本发明克服现有高密度面阵列焊点表面异物人工清理效率低、易损伤焊柱的问题。
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公开(公告)号：CN111725152A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010536781.1
申请日：2020-06-12
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L23/31 , H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 一种基于倒装焊的塑封菊花链电路结构及测试方法。电路结构：包括塑封基板、芯片、倒装焊点、基板布线、芯片内布线、基板上测试焊盘、散热片、基板通孔以及基板下测试焊盘；塑封基板通过倒装焊点与芯片实现链接，芯片上设置若干条芯片内布线；塑封基板的正面设置若干基板布线和基板上测试焊盘，基板布线连通基板上测试焊盘和倒装焊点；塑封基板背面制作有和基板上测试焊盘数量相同的基板下测试焊盘，基板上测试焊盘与基板下测试焊盘通过基板通孔互连互通；散热片覆盖并固定在芯片和塑封基板上方。本发明解决了塑封倒装焊电路散热片贴装后电通断测试无法进行的问题，提升塑封倒装焊工艺质量、保障塑封倒装焊电路可靠性。
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