全差分式浮地有源电感
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104009722B

    公开(公告)日:2017-06-16

    申请号:CN201410191631.6

    申请日:2014-05-07

    Abstract: 本发明涉及射频集成电路领域,特别涉及一种全差分式浮地有源电感,具有宽频带、高Q(品质因子)值、可调谐的特点。本发明采用两个差分对电路配置分别提供正、负跨导,采用共栅电路结构作电流缓冲器,使由负跨导产生的电流返回到输入端。其中负跨导差分对电路采用直接交叉耦合结构,形成负阻补偿网络以抵消电流缓冲器产生的电阻,从而减小实部损耗,增大Q值。进一步地,在正跨导与负跨导之间加入反馈电阻,增大Q值。电流缓冲器与负跨导差分对电路的栅源电容之和构成了回转电容,所以浮地有源电感具有较大的等效电感值。通过调节电流源的控制电压,可调谐电感值和Q值。

    高Q值可调谐差分式有源电感

    公开(公告)号:CN103956986B

    公开(公告)日:2017-02-15

    申请号:CN201410186734.3

    申请日:2014-05-05

    Abstract: 本发明提供一种高Q值可调谐差分式有源电感,涉及射频集成电路技术领域,以解决现有差分有源电感实部损耗比较大、Q值不高的问题;该发明包括电源、输入输出端、偏置电路和差分Cascode基本结构,还包括有源电阻反馈网络,它由无源电阻Rf和PMOS晶体管Mp3并联构成,并且所述有源电阻反馈网络的两端和差分Cascode结构中的Mn1、Mn2管的漏极相连接;所述差分Cascode结构由Mn1、Mn2、Mn3和Mn4晶体管构成,且Mn1、Mn2晶体管和Mn3、Mn4晶体管分别以交叉耦合对的形式相连接,并且Mn3、Mn4晶体管的漏极与Mn1、Mn2晶体管的源极接在一起;本发明通过对有源反馈电阻网络和偏置电路的调谐,可实现对差分式有源电感的电感值和Q值的可调谐性。

    高Q值可调谐差分式有源电感

    公开(公告)号:CN103956986A

    公开(公告)日:2014-07-30

    申请号:CN201410186734.3

    申请日:2014-05-05

    Abstract: 本发明提供一种高Q值可调谐差分式有源电感,涉及射频集成电路技术领域,以解决现有差分有源电感实部损耗比较大、Q值不高的问题;该发明包括电源、输入输出端、偏置电路和差分Cascode基本结构,还包括有源电阻反馈网络,它由无源电阻Rf和PMOS晶体管Mp3并联构成,并且所述有源电阻反馈网络的两端和差分Cascode结构中的Mn1、Mn2管的漏极相连接;所述差分Cascode结构由Mn1、Mn2、Mn3和Mn4晶体管构成,且Mn1、Mn2晶体管和Mn3、Mn4晶体管分别以交叉耦合对的形式相连接,并且Mn3、Mn4晶体管的漏极与Mn1、Mn2晶体管的源极接在一起;本发明通过对有源反馈电阻网络和偏置电路的调谐,可实现对差分式有源电感的电感值和Q值的可调谐性。

    宽带低噪声放大器

    公开(公告)号:CN103888083A

    公开(公告)日:2014-06-25

    申请号:CN201410106213.2

    申请日:2014-03-20

    Abstract: 本发明提供了一种宽带低噪声放大器,其包括第一双极型晶体管,第二双极型晶体管,第三双极型晶体管,第四双极型晶体管,第五双极型晶体管,第六双极型晶体管,第七双极型晶体管,第一MOS管,第二MOS管,第一电阻,第二电阻,第三电阻,第四电阻,第五电阻,第六电阻,第七电阻,第八电阻,第九电阻,第一电容,第二电容,第三电容,第四电容。该宽带低噪声放大器在保障宽带低噪声放大器良好的增益特性、良好的噪声特性的情况下,减小了芯片面积,同时实现了增益可调节。

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