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公开(公告)号：CN109216496A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811231680.2
申请日：2018-10-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了应用派瑞林N薄膜直接生长石墨烯的硅肖特基结探测器，属于半导体光电子器件技术领域。其基本结构从下往上依次为：下金属电极、轻掺杂n型硅、二氧化硅绝缘层、石墨烯薄膜、上金属电极。应用派瑞林N直接生长石墨烯，生长原理简单，生长速度快，石墨烯无需转移，大幅度提升器件制备效率。制得的石墨烯与衬底接触良好，石墨烯薄膜均匀，污染少，因此所得到的探测器一致性好。适合于未来石墨烯—硅肖特基结探测器的大规模产业化制备。
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公开(公告)号：CN107012443A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710246595.2
申请日：2017-04-16
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: C23C16/26 , C23C16/0281 , C23C16/56
Abstract: 一种绝缘衬底图形化直接生长石墨烯的工艺方法，属于石墨烯材料制备领域。绝缘衬底直接生长石墨烯和在此基础上进行的石墨烯图形化生长。通过在绝缘衬底上首先镀上一层铜作为催化剂，然后在铜的催化下石墨烯会生长在镀铜的表面，再保持高温退火使铜挥发，铜挥发后，石墨烯会落在绝缘衬底表面，达到绝缘衬底直接生长石墨烯的目的。之后，在直接生长的基础上，通过光刻工艺使镀的铜具有一定的图形，与之相对应的，在铜上生长出的石墨烯也具有了相同的图形，达到绝缘衬底图形化直接生长石墨烯的目的。本发明通过直接生长的工艺，避免了石墨烯转移工艺中石墨烯的损坏，成本较低，适合大规模批量生产石墨烯。
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公开(公告)号：CN106129210A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610460910.7
申请日：2016-06-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种电极下方有源区绝缘化的高光提取效率发光二极管，属于半导体光电子技术领域。该发光二极管包括P电极、电流扩展层、绝缘区、窗口层、上限制层、有源区、下限制层、缓冲层、N电极。通过离子注入的方法，注入深度达到有源区，能够使P电极下方的有源区绝缘，阻止了P电极正下方的电流输运，P电极流入的电流会横向扩展流入到周围的有源区，解决了P电极下方有源区发出的光被P电极阻挡和吸收的问题，改善了电流的扩展，提高了器件的光提取效率和发光强度。同时，采用本发明中有源区绝缘化的方法不会在器件表面产生台阶，不会影响器件的表面平整，提高了器件的可靠性。工艺简单、成本较低，适合批量生产。
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公开(公告)号：CN105977786A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610500037.X
申请日：2016-06-29
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01S5/18361 , H01S5/0608
Abstract: 本发明公开了低折射率介质支撑型高对比度光栅面发射激光器，利用外延生长技术和半导体平面微纳米加工工艺进行制作，在高对比度光栅层上加工制作出高对比度光栅以形成低折射率支撑型高对比度光栅面发射激光器结构。高对比度光栅相对于上DBR结构具有更高的反射率和更宽的反射带宽，能够为激光器激射提供足够的反射率，高的反射率有利于减小谐振腔损耗、降低器件阈值电流。宽的高反射率带宽更好的匹配谐振腔模式，降低器件加工制备难度、易于器件激射。低折射率介质支撑高对比度光栅结构由两层介质膜组成，且厚度只有几百纳米，相对于P型DBR的3μm‑5μm，有效的降低了器件外延难度。
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公开(公告)号：CN110616408B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201910879303.8
申请日：2019-09-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了基于二维材料的多层金属纳米结构的制备方法，属于新型纳米结构加工领域。其制备过程主要分为三步：第一步:将超薄AAO模板转移到亲水处理后的衬底上。第二步:利用溅射的方法将金属均匀沉积到AAO模板孔洞中。第三步:用胶带粘掉衬底上的AAO模板并在上面转移一层h‑BN，在h‑BN上再次转移一层超薄AAO模板。第四步:将衬底放入溅射设备中再次沉积一层金属，并去除掉AAO模板，重复第三、四步工艺进行下一层纳米颗粒沉积。本发明工艺简单、成本较低；工艺重复性强，工艺参数好控制。可以大面积制备具有周期性的多层金属纳米结构阵列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110611017B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN201910879324.X
申请日：2019-09-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓上生长石墨烯提高LED透明导电及散热性的方法，通过在蓝宝石基的蓝光LED外延片的p型氮化镓表面淀积超薄铂做催化剂，选用乙炔作为碳源，利用等离子增强技术，低温环境中在p型氮化镓表面直接生长石墨烯。最后，利用超薄铂与石墨烯共同组成的透明导电层来增强LED表面的电流扩展和散热。该发明中，石墨烯在LED表面直接生长得到，无需转移，器件制备效率大幅提高，工艺流程大幅简化。该发明有望推动石墨烯透明导电薄膜在蓝光LED衬底上的商业应用。
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公开(公告)号：CN108660430B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201810455783.0
申请日：2018-05-14
Applicant: 北京工业大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/02 , C23C16/44 , C23C16/56 , C01B32/186 , C01B32/194
Abstract: 本发明公开了在氧化物绝缘衬底上类直接生长大面积石墨烯的工艺方法，属于石墨烯材料制备领域。本发明采用CVD法在不具有石墨烯生长催化作用的氧化物绝缘衬底上类直接生长石墨烯，石墨烯免转移可以直接制备器件。通过在绝缘衬底镀一层金属作为催化剂，利用CVD首先在金属表面生长石墨烯，在生长同时使金属表面形成孔洞形貌。之后旋凃PMMA，以PMMA作为石墨烯支撑层利用湿法腐蚀金属。腐蚀液会穿过PMMA和石墨烯腐蚀下层的金属。金属腐蚀干净后石墨烯和PMMA会落在衬底上，再用有机溶剂去除石墨烯表面的PMMA，最终得到在绝缘衬底上类直接生长的石墨烯薄膜样品。本发明工艺简单，可重复性高，生长出的石墨烯质量高，大面积，几乎无破损。
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公开(公告)号：CN110611017A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910879324.X
申请日：2019-09-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓上生长石墨烯提高LED透明导电及散热性的方法，通过在蓝宝石基的蓝光LED外延片的p型氮化镓表面淀积超薄铂做催化剂，选用乙炔作为碳源，利用等离子增强技术，低温环境中在p型氮化镓表面直接生长石墨烯。最后，利用超薄铂与石墨烯共同组成的透明导电层来增强LED表面的电流扩展和散热。该发明中，石墨烯在LED表面直接生长得到，无需转移，器件制备效率大幅提高，工艺流程大幅简化。该发明有望推动石墨烯透明导电薄膜在蓝光LED衬底上的商业应用。
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公开(公告)号：CN107768979B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201710962891.2
申请日：2017-10-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明公开了外延集成高对比度光栅外腔面发射激光器，普通的氧化型垂直腔面发射激光器，普通的氧化型垂直腔面发射激光器，由于其自身氧化限制层材料的各向异性及有源区材料增益的各向异性等特点，导致其出现偏振不确定或不稳定现象，对于传统的外腔压窄线宽方法通常过于复杂，集成度低，不利于芯片级的设计。本发明中我们采用生长相位匹配层、腔长匹配层的方法延长垂直腔面发射激光器的腔长，通过一次外延的方式形成低折射率介质层作为光栅支撑层和光栅介质层；再通过刻蚀光栅介质层形成光栅微结构，达到控制光偏振的同时压窄线宽。
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公开(公告)号：CN106058642B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201610500581.4
申请日：2016-06-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明公开了高对比度光栅耦合腔窄光谱线宽面发射激光器，属于光电子技术领域。将具有高反射率和反射带宽的高对比度光栅作为反射镜，通过微纳米加工工艺集成到基横模垂直腔面发射激光器顶部，通过高对比度光栅的高反射率对器件出射光进行反馈，对器件进行光注入，形成新型的耦合腔集成面发射激光器，实现器件的有效谐振腔的延长，进而压缩基横模垂直腔面发射激光器的光谱线宽，得到窄光谱线宽面发射激光器。低折射率支撑高对比度光栅结构的采用，简化上集成外腔制备难度，降低了器件加工工艺，且制备工艺为纯平面工艺，可有效提高器件的成品率及可靠性，具有光谱线宽调节范围大，压窄效果明显等优势，且设计制备简单。
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