公开(公告)号：CN102122620A

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN201110020672.5

申请日：2011-01-18

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张盛东 ,  贺鑫 ,  王漪 ,  韩德栋 ,  韩汝琦

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66742 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了一种自对准金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，通过先生成具有高载流子浓度的有源层，然后将与栅电极形成自对准的沟道区通过具有氧化功能的等离子体进行氧化处理，使源漏区具有高的载流子浓度，沟道区具有低的载流子浓度的同时，也使制造出的晶体管具有自对准结构；另外，晶体管的阈值电压由后续低温下具有氧化功能的等离子体处理条件所控制，因此晶体管特性的可控性大为提高，制作的工艺流程也有所简化。

公开(公告)号：CN1851866A

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN200610072505.4

申请日：2006-04-11

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 刘力锋 ,  康晋锋 ,  王漪 ,  唐浩 ,  张兴 ,  王新安 ,  韩汝琦

IPC: H01L21/208

Abstract: 本发明提供一种室温铁磁半导体Co掺杂的TiO2薄膜的制备方法，属于新型半导体自旋电子器件制备领域。该方法首先采用溶胶—凝胶法制备Co掺杂TiO2溶胶，将溶胶旋涂在单晶硅衬底上形成CoxTi1－xO2薄膜，该CoxTi1－xO2薄膜在真空下直接退火晶化后，即具有室温铁磁性；该CoxTi1－xO2薄膜在空气中退火晶化后并不具有室温铁磁性，而经过真空或者含氢气氛下二次退火后，也可获得室温铁磁特性。采用本发明可制得具有室温铁磁性的半导体Co掺杂的TiO2薄膜。