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公开(公告)号：CN104538521A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410836533.3
申请日：2014-12-29
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/145 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种高亮度近紫外发光二极管及其制备方法，属于半导体光电子技术领域。该LED结构结构从下向上依次为：图形化蓝宝石衬底、低温GaN成核层、高温非掺杂GaN缓冲层、n型GaN层、n-Inx1Ga1-x1N/Aly1Ga1-y1N量子阱结构的应力释放层、低温n-Aly1Ga1-y1N电流扩展层、InxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱发光层、p-Aly2Inx2Ga1-x2-y2N电子阻挡层、高温p型GaN层和p型InGaN接触层。本发明通过优化n型应力释放层和n型电流扩展层，可改善近紫外LED电流扩展效果，进而有效提高近紫外LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN103789823A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410028993.3
申请日：2014-01-22
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体材料气相外延（HVPE）用反应器设计。包括轴对称圆柱型反应腔体、同心圆环喷头、加热器、石墨舟及衬底等；石墨舟及衬底采用电阻丝或红外光照射加热；所述腔体底端外壁的切向设置三至六个矩形横截面的气体出口通道；在该出口通道与腔体内壁之间设置一同心圆环缓冲带；在该出口通道外围设置一同心圆环集流通道；所述各出口通道与集流通道均贯通。本发明反应器设计，使反应物气体在衬底有效生长区域形成一种微旋流，从而显著改善外延生长厚度及其组分均匀性；因省去现有反应器中的石墨舟旋转装置及附属组件，既简化装置、节能、便于维护，还去除旋转运动不稳定对外延生长的不利影响。
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公开(公告)号：CN103731964A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201410023174.X
申请日：2014-01-17
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H05B37/02
CPC classification number: Y02B20/40
Abstract: 本发明公开了一种三相交流驱动LED的集成封装光源结构结构，将LED芯片晶粒分为七个部分，其中第七部分LED为主光源部分，剩余部分LED组成一个具有三相全波整流作用的LED芯片晶粒串组，该结构无需将驱动电源进行AC/DC转换，采用AC电源直接驱动，从而使得该结构一方面更加的节能省电，同时在驱动上更加的方便，另一方面主光源部分LED的晶粒串组能够连续点亮，因此提高了交流LED的利用率，由于采用三相全波整流结构，整个电路电压更加稳定，使LED发光更加连续均匀，提高了LED光源的品质。
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公开(公告)号：CN103730565A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201410023171.6
申请日：2014-01-17
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L33/644 , H01L33/54 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066 , H01L2933/0075 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种氮化铝COB LED光源及封装方法，包括氮化铝陶瓷散热基板，散热基板上形成镀铜电路层，电路层上镀有反光层。在基板上形成环氧树脂杯碗，在杯碗内安装有LED芯片，LED芯片通过引线连接到基板上，LED上方涂覆荧光粉凃层。本发明通过在氮化铝陶瓷基板上采用脱模塑封形成多个环氧树脂杯碗，有效解决了陶瓷基板本身光学设计加工的难题，同时也解决COB光源光色度一致性控制的难题，能够很好地解决COB光源散热的问题。
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公开(公告)号：CN102797034A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210309119.8
申请日：2012-08-27
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开一种适用于GaN材料外延产业化的托舟，解决氮化镓半导体材料外延过程中副产物生成过快，导致系统维护频率高的难题。本发明包含有托舟，托舟四周设计有高低不同凸起的侧壁，反应物被喷洒在侧壁内侧，托舟底部设有数层可拆开的分层结构，托舟底部的衬底层上设有复数用于放置衬底的衬底槽，在托舟各层设置位于流道隔壁中的流道，托舟设计有数个尾气出口，尾气出口连接对应的尾气管道。本发明实现了控制副产物生成位置，使副产物生长在托舟内部，以清理托舟方式来降低系统清理频率，有利于实现生长氮化镓材料的产业化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101582418A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200810111710.6
申请日：2008-05-16
Applicant: 北京大学
IPC: H01L25/075 , H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种电注入调控三基色的白光发光二极管(LED)，在衬底的一侧依次叠加第一n型欧姆接触层、绿光有源层、p型欧姆接触层、蓝光有源层和第二n型欧姆接触层，或者依次叠加第一p型欧姆接触层、绿光有源层、n型欧姆接触层、蓝光有源层和第二p型欧姆接触层，在衬底的另一侧键合红光LED。该白光LED通过控制各对电极之间的电流、电压的大小来调节蓝光、绿光和红光有源层的发光强度，从而得到各种色度的白光。这相当于在单一芯片有三个各自独立的光源，以电注入调控三基色发出白色光。该器件的电路简单，无需荧光粉，寿命长，具有较高的光电转化效率，将在白光照明、全色显示和光调控领域中发挥重要的作用。
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公开(公告)号：CN1237581C
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN02155062.X
申请日：2002-12-20
Applicant: 上海北大蓝光科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种低阻P型GaN基材料欧姆接触制备的方法，它采用等离子体氧化技术对P型GaN上的Ni/Au电极进行氧化处理，然后在氮气(N2)气氛下进行合金处理，最后获得比接触电阻低、透光性好的透明电极。本发明适用于所有P型氮化物半导体材料的欧姆接触，P型GaN基材料包括GaN、AlGaN、InGaN、以及InAlGaN四元合金体系，特别是对于GaN基发光二极管的制备具有重要应用和经济价值。
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公开(公告)号：CN118489444A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410955358.3
申请日：2024-07-16
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明实施例公开一种基于LED柔性薄膜光照的金线莲培育装置及其制作方法，其中金线莲培育装置包括装置底座、支撑框架、植物种植盒、LED柔性薄膜、智能控制及驱动系统；所述支撑框架固定于所述装置底座上，所述植物种植盒设置于所述装置底座上且位于所述支撑框架的内部，所述LED柔性薄膜覆盖于所述支撑框架上，所述智能控制及驱动系统与所述LED柔性薄膜电连接。本发明方案中，使用LED柔性薄膜的技术特性进行植物生长的光合作用，并且LED柔性薄膜可对金线莲进行360度全方位均匀光照补光，有效提升金线莲的光合作用效率，利用LED柔性薄膜可以实现LED单质光的光质、光周期、光强度和光合光子通量密度的智能控制，从而促进金线莲生长，并有效提高金线莲的产量。
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公开(公告)号：CN112400796A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011300043.3
申请日：2020-11-18
Applicant: 北京大学宽禁带半导体研究中心高安研究院
Abstract: 本发明公开了一种能够改善猪生命节律的生物光照饲养方法，饲养过程中采用本单位研发的光源对猪进行照射，该光源为包含蓝色和绿色波段光的动物促生长灯和紫外LED灯。利用本发明所述技术来改善猪的生存环境和生命节律，能够明显提高猪的生长率和存活率、降低料肉比、降低发病率、降低药物激素的使用，进而提高肉质的口感、提高养殖收益率。
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公开(公告)号：CN111584702A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010391917.4
申请日：2020-05-11
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L33/62
Abstract: 本发明涉及LED封装技术领域，具体涉及LED光源的封装结构及封装方法，LED光源的封装结构包括基板、附着于基板一侧的基板金锡合金层、安装于基板上的LED芯片、连接基板的透明碗杯及附着于透明碗杯的碗杯金锡合金层，碗杯金锡合金层位于透明碗杯靠近基板金锡合金层的一侧，透明碗杯的中部开设有内腔，内腔具有腔口，内腔开口朝向基板，透明碗杯罩设于LED芯片的外周，且LED芯片位于内腔内，透明碗杯通过基板金锡合金层与碗杯金锡合金层的共晶焊接连接基板。无需有机胶进行化学键合粘接工艺，实现了无机气密封装焊接，提高了LED光源的可靠性，延长了起见的使用寿命。
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