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公开(公告)号：CN110491811B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN201910886765.2
申请日：2019-09-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种可调节光强型激光剥离装置，包括剥离室和激光器，剥离室顶部设有光学窗口，剥离室底部设有样品托盘装置，还包括光强调节装置，光强调节装置装设于剥离室内，光强调节装置位于样品托盘装置上方，激光剥离时，激光器发出的激光经光学窗口进入剥离室，进入剥离室的激光经光强调节装置调节激光强度后，再照射至样品托盘装置的待剥离样品，进行激光剥离，本发明通过调整激光光强，形成光强的强弱分布，实现样品表面光强可调，有效控制激光剥离过程，避免样品炸裂。
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公开(公告)号：CN118087044A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410428418.6
申请日：2024-04-10
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开一种助熔剂法生长GaN单晶的装置及方法，用于解决现有助溶剂法生长GaN单晶的质量不佳的技术问题。本发明包括可受驱旋转的反应釜，所述反应釜内部固定有坩埚，所述坩埚包括密封连接的坩埚盖以及坩埚体，其中，所述坩埚盖可用于固定籽晶，所述坩埚体的外侧面开设有开口。上述设计中，在GaN单晶生长前，籽晶需被固定在坩埚盖的内侧顶部。熔体升温过程及恒温的开始阶段，籽晶与熔体分离，避免了籽晶被熔体腐蚀，影响籽晶的表面形貌，进而影响GaN单晶的生长质量。在N离子浓度达到过饱和或气液平衡后，通过旋转反应釜可使得籽晶浸没在熔体中，有效地保证了GaN单晶生长过程一直处于N离子的高浓度状态，大大地提高GaN单晶的生长质量。
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公开(公告)号：CN118079802A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410415075.X
申请日：2024-04-08
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: B01J10/00
Abstract: 本发明设计了一种液面高度可调的气液反应装置和方法，该液面高度可调的气液反应装置包括气液反应腔、外套腔、气体系统、检测组件和工控机，气液反应腔置于外套腔内，包括可连通的气液反应区和液体存储区，气体系统包括第一气源、泄气管和气体阀门，检测组件包括第一检测件、第二检测件和连接管，连接管连接第一检测件，外套腔连接第二检测件，本发明气液反应区液面高度变化会引起连接管内气压变化，工控机依据检测组件得出气液反应区当前的液面高度，若当前的液面高度低于或高于设定值，工控机可以发送信号控制第一气源和气体阀门，确保气液反应区液面高度恒定，解决了现有技术的气液反应装置液面高度忽高忽低导致的反应速率不稳定的问题。
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公开(公告)号：CN117758234A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311790615.4
申请日：2023-12-22
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C23C16/455 , C23C16/458
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种反应装置，包括反应器，所述反应器具有腔室和与所述腔室连通的进气口和出气口；舟，设置在所述腔室内，以将所述腔室划分为连通的上腔室和下腔室，且盛装有化学反应物原料；弹簧，设置在所述下腔室内，且一端与所述舟的外底部连接，另一端与所述反应器的内底部连接。本发明提供的一种反应装置，包括反应器和设置在反应器内部的舟和弹簧，通过在舟的外底部与反应器的内底部之间设置弹簧，可具有稳定舟内液面的功能，当舟内盛装的化学反应物原料消耗而舟的重量减轻时，在弹簧的作用下，舟可整体上移，确保化学反应物原料的液位在反应的过程中始终稳定不变，从而确保反应速率稳定，有利于推广应用。
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公开(公告)号：CN117328144A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311149602.9
申请日：2023-09-06
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开一种利用浮力维持HVPE反应炉预反应速率稳定的镓舟反应器，包括用于盛放镓金属的腔室及内置于腔室并依靠镓金属浮力漂浮于镓金属液面上方的活动盖板；腔室包括进气通道、出气通道和镓源存放区；活动盖板包括顶盖及与顶盖共同形成气路通道的侧壁，侧壁的下方设有基座。本发明盛放镓金属的腔室与活动盖板不连通，因此依靠镓金属浮力漂浮于镓金属液面上方的活动盖板可以随着镓金属消耗随着镓金属液面上下运动。由于活动盖板的重量和位于镓金属内部的底部基座体积固定，因此所受到的浮力固定，使侧壁与顶盖形成的气路通道体积固定，可保证镓金属液面下降但是预反应通道固定，以此实现预反应不随镓金属消耗发生变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111394792B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202010053354.8
申请日：2020-01-17
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C30B28/14 , C30B29/04 , C30B29/64 , C23C16/27 , C23C16/458 , C23C16/511
Abstract: 本发明涉及晶体合成技术领域，具体涉及一种生长金刚石多晶膜用样品托及金刚石多晶膜生长方法，本发明的样品托顶部开设有用于放置衬底的容置槽，样品托底部设有由若干个同心圆环间隔分布形成的花纹，若干个同心圆环包括有实心圆环带和空心圆环带，本发明的样品托采用非对称式底部花纹，利用非均匀的底部散热来补偿由于等离子体球倾斜或偏移所导致的金刚石生长衬底的受热不均匀，可实现大面积金刚石多晶膜的高质量均匀生长；本发明的生长方法，采用上述结构的样品托进行生长，工艺简单，容易生长，可实现大面积金刚石多晶膜的高质量均匀生长。
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公开(公告)号：CN116840938A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310801794.0
申请日：2023-06-30
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及光学领域，公开了一种分布式光纤传感系统及其数据恢复方法。系统包括光源、光调制模块、光调理模块、探测器模块、传感光缆、数据采集卡和信号解调模块，传感光缆包括M个内设光环形器的连接器、M段双向光纤和M段上行光纤；第i级光环形器的第一端口通过第i‑1段双向光纤与前一光环形器的第二端口连接，第i级光环形器的第二端口通过第i段双向光纤与后一光环形器的第一端口连接，第i级光环形器的第三端口通过第i段上行光纤连接第i个光电探测器。本发明利用传输光纤和传感光纤的组合，将传感距离扩展为传统方案的M倍；利用外差解调算法，实现光纤上不同位置的同步解调，从而能够在实现较高采样率的基础上实现更长的传感距离。
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公开(公告)号：CN116334750A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310253893.X
申请日：2023-03-15
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开一种利用浮力维持HVPE反应炉预反应速率稳定的镓舟反应器，包括用于盛放镓金属的腔室及内置于腔室并依靠镓金属浮力漂浮于镓金属液面上方的活动盖板；腔室包括进气通道、出气通道和镓源存放区；活动盖板包括顶盖及与顶盖共同形成气路通道的侧壁，侧壁的下方设有基座。本发明盛放镓金属的腔室与活动盖板不连通，因此依靠镓金属浮力漂浮于镓金属液面上方的活动盖板可以随着镓金属消耗随着镓金属液面上下运动。由于活动盖板的重量和位于镓金属内部的底部基座体积固定，因此所受到的浮力固定，使侧壁与顶盖形成的气路通道体积固定，可保证镓金属液面下降但是预反应通道固定，以此实现预反应不随镓金属消耗发生变化。
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公开(公告)号：CN116206946A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211096206.X
申请日：2022-09-08
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/02 , H01L23/367 , H01L23/373 , C23C16/40 , C23C16/50 , C23C16/56 , C30B25/18 , C23C14/48 , C23C16/01
Abstract: 本发明公开一种大尺寸高热导率衬底的制备方法，包括以下步骤：准备基础衬底和高导热衬底；在基础衬底上进行离子注入，将基础衬底依次分为功能衬底薄层、离子掩埋层和分离层；在功能衬底薄层上键合第一SiO2介质层；在高导热衬底上键合第二SiO2介质层；将基础衬底的第一SiO2介质层面和高导热衬底的第二SiO2介质层面键合，形成键合体；对键合体进行加热处理，将功能衬底薄层从基础衬底上分离，形成功能衬底薄层/SiO2介质层/高导热衬底的复合衬底。本发明实现大尺寸均匀复合衬底材料制备，解决现有氮化物光电器件散热及复合衬底应力过高的问题。
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公开(公告)号：CN115928204A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211727679.5
申请日：2022-12-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明提供了一种用于气相外延生长的防返流气体输运装置及方法，该装置呈喷头结构，至少包括多路管道进气口、多路气体输运管道、多路管道出气口、喷口多路管道出气口、一内置反应室、及多处变径防返流板。通过在多路管道出气口处设置防返流板，形成类漏斗式结构，避免因多路管道出气口横截面积小、流速大、压强小而导致出气管口受周围气体影响形成湍流乃至导致流体返流。本发明通过调控喷口多路管道出气口压强差的方法，避免喷口因单一管道出气口流速过大而出现虹吸返流现象。调控气流层流输运，可以有效减少预反应产生的颗粒，进而提高晶体质量。本发明结构简单，易于制造且实用性较强，具有极高的商业价值。
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