公开(公告)号：CN109461753A

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201811266665.1

申请日：2018-10-29

Applicant: 北京协同创新研究院 ,  北京大学

Inventor： 焦飞 ,  李诚诚 ,  陈志忠 ,  康香宁 ,  詹景麟 ,  陈怡帆 ,  陈毅勇 ,  聂靖昕 ,  赵彤阳 ,  冯玉龙 ,  沈波

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/42 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64

Abstract: 本发明公开了一种大注入倒装微米LED芯片及其制备方法。本发明首先通过图形化掩埋及控制电子束蒸发、光刻等过程，最终在芯片内实现并联的倒装结构，使得大注入电流均匀的扩展到阵列内每个LED终端，再将芯片与导热基底进行焊接，大大提升高功率芯片的散热性能；总线加梳状结构解决了在P型透明电极上电流的扩展均匀性问题；环绕模式的大面积N型电极，解决了电流均匀性问题以及散热问题；LED芯片与散热基板之间采用共晶焊接方式，散热并提高焊接过程中衬底与芯片之间焊接的工艺可控性；P型透明电极与N型电极设计成共面波导结构，以提高微米LED芯片在可见光通信的带宽。

公开(公告)号：CN108615795A

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201810257305.9

申请日：2018-03-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 陈志忠 ,  李诚诚 ,  康香宁 ,  焦飞 ,  冯玉龙 ,  詹景麟 ,  于彤军 ,  沈波

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/64

Abstract: 本发明提出了一种微米LED芯片内互联的实现方法，属于光电子高功率发光器件技术领域。利用本发明既实现了LED芯片的高压高功率特性,且避免了后续封装时对大量微米级芯片集成的困难，进而降低了对封装设备和工艺的要求，可以大幅度提高微米LED的器件性能。本发明既结合了微米LED大注入优良特性，同时又降低了制备难度，对微米LED用于各种新兴产业具有重要的实用及指导意义。