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公开(公告)号：CN103022350B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210587167.3
申请日：2012-12-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种忆阻器件，包括衬底层，所述衬底层之上有多层隔离层，每两层隔离层之间包括一层忆阻单元，忆阻单元包括两层可动离子阻挡层和中间的平面电极层；还包括从最上层的隔离层刻蚀至最下层隔离层的顶电极刻蚀槽；所述顶电极刻蚀槽及最上层隔离层的表面覆盖有电解质层；所述顶电极刻蚀槽内设置有顶电极；还包括分别从最上层隔离层表面覆盖的电解质层刻蚀至各忆阻单元的平面电极层而形成的多个底电极。本发明并提供了制备该忆阻器件的制备方法。本发明提出的垂直结构的忆阻器件，简化了三维忆阻器件的工艺，同时采用可动金属离子阻挡层技术，有效解决可动离子污染问题。
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公开(公告)号：CN102103592A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200910243616.0
申请日：2009-12-18
Applicant: 北京大学 , 方正国际软件(北京)有限公司
IPC: G06F17/25
Abstract: 本发明公开了一种自动排版方法及系统，涉及出版排版领域，通过对排版效果的评价，优选出最佳的排版方式。现有技术中，每条排版数据只能对应一种排版方式，实现一种排版效果，无法对该排版效果进行比较和评价。本发明所述的方法及系统，使每条数据对应多个排版模板的多种版面样式集，实现多种预排版效果，通过对上述预排版效果根据用户定义的评价因素进行评分，优选出最佳的排版方式，实现自动排版。
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公开(公告)号：CN115006028A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210638000.9
申请日：2022-06-08
Applicant: 北京大学口腔医学院
IPC: A61C13/08
Abstract: 本发明提供一种利用数字化技术制作复制义齿的方法，包括以下步骤：对旧全口义齿进行消毒及数字化扫描操作，分别获取旧全口义齿的磨光面和组织面的形态信息数据；使用扫描软件对形态信息数据进行修整，以获取形态信息数据的完整复制文件；利用数字化设计软件对获得的形态信息数据的完整复制文件进行检查和修复，并将完整复制文件以STL格式进行存储；将STL格式的完整复制文件导入CAM软件，检查切削方案无误后，计算生成CAM文件，并传输至数控机床；运行数控机床，完成数字化蜡型的切削；本发明方法制作义齿精准度高，制作简单，患者等待时间短，复制义齿的生产质量高，且对高龄患者适配性好。
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公开(公告)号：CN114048464B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202210029518.2
申请日：2022-01-12
Applicant: 北京大学 , 博雅正链(北京)科技有限公司
Abstract: 本发明公布了一种基于深度学习的以太坊智能合约安全漏洞检测方法及系统，将以太坊智能合约漏洞检测问题建模为一个端到端的分类检测模型，针对智能合约源代码，判断是否包含漏洞，从而实现智能合约安全漏洞的检测；包括：进行以太坊智能合约源代码数据的预处理；构建智能合约源代码语义表征学习模块，包括编码层/编码器、检测层/分类器以及模型融合输出模块；训练模型；测试阶段利用训练好的智能合约源代码语义表征学习模块，实现基于机器学习的区块链智能合约安全漏洞检测，有效提升了以太坊智能合约安全漏洞的检测性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102541820B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201010622288.8
申请日：2010-12-27
Applicant: 北京大学 , 方正国际软件(北京)有限公司
IPC: G06F17/21
Abstract: 本发明涉及一种多版式复合电子文档生成和展示方法及系统。本发明在生成电子文档时，将文档内容与版式数据分离保存，同一文档内容附加若干套不同版式的版式数据。在展示终端展示所述电子文档时，文档内容可在若干套版式数据之间进行关联性切换，并近似保持切换前的焦点位置。本发明不仅实现了同一文档内容在多套版式数据之间自由的切换，而且展示效果好，数据冗余度低，存储和传输的数据量小，展示终端无需较强的排版能力便可实现复杂效果展示。
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公开(公告)号：CN103441135A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310367267.X
申请日：2013-08-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了1T1R和1R阻变存储器集成结构及其实现方法，通过在原有的衬底晶体管的漏极和源极同时分别制作具有MIM结构的阻变存储器结构，最后分别在衬底晶体管的漏极和源极的上方依次形成第一层金属前介质、第一层栓塞、第一层金属、第二层层间介质、第二层栓塞、MIM结构层、第三层层间介质、第三层栓塞、第二层金属和钝化层，实现所述衬底晶体管与阻变存储器的串联。本发明将1T1R结构中的阻变存储器和1R结构中的阻变存储器同时制作，工艺条件完全相同，可以减少光刻次数，减少制作成本，同时将1T1R结构和1R结构集成在一起，还能方便这两种结构中阻变存储器特性的比较，有助于研究电流过冲对器件转变特性的影响。
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公开(公告)号：CN103022351A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210587179.6
申请日：2012-12-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了基于忆阻器和薄膜晶体管的柔性存储器及多阻态的实现，该柔性存储器包括串联的薄膜晶体管和忆阻器，薄膜晶体管的衬底为柔性衬底。该方法包括如下步骤：在忆阻器件的RESET过程中，对忆阻器件施加栅压，同时在薄膜晶体管的源端施加正偏压，并将忆阻器件的顶电极接地，使忆阻器件反偏进入最高阻态；将栅压依次减小，减小栅压的过程中始终将所述薄膜晶体管的源端接地，使得忆阻器件的顶电极正偏，进入忆阻器件的SET过程得到不同的阻值。本发明通过薄膜晶体管和忆阻器串联方式，解决了忆阻器的多级电阻态控制问题，同时，利用薄膜晶体管的低温工艺特点，可以使基于忆阻器和薄膜晶体管的存储器应用到柔性电子存储电路中。
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公开(公告)号：CN103022350A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210587167.3
申请日：2012-12-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种忆阻器件，包括衬底层，所述衬底层之上有多层隔离层，每两层隔离层之间包括一层忆阻单元，忆阻单元包括两层可动离子阻挡层和中间的平面电极层；还包括从最上层的隔离层刻蚀至最下层隔离层的顶电极刻蚀槽；所述顶电极刻蚀槽及最上层隔离层的表面覆盖有电解质层；所述顶电极刻蚀槽内设置有顶电极；还包括分别从最上层隔离层表面覆盖的电解质层刻蚀至各忆阻单元的平面电极层而形成的多个底电极。本发明并提供了制备该忆阻器件的制备方法。本发明提出的垂直结构的忆阻器件，简化了三维忆阻器件的工艺，同时采用可动金属离子阻挡层技术，有效解决可动离子污染问题。
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