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公开(公告)号：CN118458688A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410910279.0
申请日：2024-07-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种用于拉曼光谱成像的纳米柱阵列衬底及其制备方法、检测芯片，涉及检测芯片技术领域，提供晶圆基底，在其一侧形成原始功能层；在原始功能层背离晶圆基底的一侧形成沿行方向和列方向阵列排布的多个第一掩膜图案；以第一掩膜图案为掩膜对原始功能层进行各向同性刻蚀处理，形成多个原始功能结构；去除第一掩膜图案，以原始功能结构为掩膜对晶圆基底进行浅深硅刻蚀处理，形成纳米柱阵列衬底。该方法结合各向同性刻蚀，在晶圆基底上形成阵列排布的多个目标功能结构，有效提升光刻形成的目标功能结构的精度，通过需要掩膜的低精度光刻技术实现高精度的纳米柱阵列衬底的制备，进一步应用至拉曼光谱成像中外泌体的检测。
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公开(公告)号：CN117747601B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410190425.7
申请日：2024-02-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种基于埋入式硅基的大阵列APD基板及制备方法、功能芯片，涉及电子制造领域，包括：提供晶圆基底；对晶圆基底的第一侧进行刻蚀处理，在晶圆基底的第一侧形成第一数量的填埋槽；将多个APD单元填入多个填埋槽的中心区域内，以使APD单元与填埋槽的槽底键合，APD单元为APD芯片阵列或APD芯片，APD芯片阵列包含阵列排布的多个APD芯片；对晶圆基底的第一侧进行表面钝化处理，得到大阵列APD基板。本申请通过在晶圆基底上形成填埋槽，并将数量较少APD芯片阵列或APD芯片填充在填埋槽内构成大阵列APD基板，该制备方法在保证较高良率的同时，简化生成工艺流程，降低成本，实现高密度、大规模、高性能的大阵列APD基板的制备。
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公开(公告)号：CN113629020A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110712772.8
申请日：2021-06-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L21/768 , H01L23/29 , H01Q1/22
Abstract: 本发明涉及一种毫米波封装结构。该毫米波封装结构采取在硅衬底表面刻槽，并将射频芯片填埋的方式，减小了封装结构的厚度，使封装结构更加紧凑。本发明的天线、接地单元、硅衬底与芯片垂直互联，也使得封装结构更加紧凑。本发明采用低损耗的介电材料，即聚对二甲苯，作为层间的介质层，该材料能够在常温下淀积，与芯片的兼容性好。此外，聚对二甲苯作为介质层，具有优良的介电性能，能够降低芯片与天线之间的互连损耗。另外，本发明的传输线不经过硅衬底，电学信号在垂直方向上由芯片通过波导传至天线，也能够降低损耗，最大限度的提高天线的增益。本发明还涉及所述毫米波封装结构的制备方法。
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公开(公告)号：CN113629019A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110712760.5
申请日：2021-06-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L21/768 , H01L23/488 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及一种毫米波封装结构。该毫米波封装结构采取在硅衬底表面刻槽，并将射频芯片填埋的方式，减小了封装结构的厚度，使封装结构更加紧凑。本发明的天线、接地单元、硅衬底与芯片垂直互联，也使得封装结构更加紧凑。本发明利用由低损耗的介电材料旋涂玻璃生成的SiO2薄膜作为层间的介质层。SiO2作为介质层，具有优良的介电性能，能够降低芯片与天线之间的互连损耗。此外，由旋涂玻璃生成SiO2薄膜的方法比通过等离子体增强化学气相淀积法沉积SiO2的工作温度低，与芯片的兼容性更好。另外，本发明的传输线不经过硅衬底，电学信号在垂直方向上由芯片通过波导传至天线，也能够降低损耗，最大限度的提高天线的增益。本发明还涉及所述毫米波封装结构的制备方法。
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