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公开(公告)号：CN118458688B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410910279.0
申请日：2024-07-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种用于拉曼光谱成像的纳米柱阵列衬底及其制备方法、检测芯片，涉及检测芯片技术领域，提供晶圆基底，在其一侧形成原始功能层；在原始功能层背离晶圆基底的一侧形成沿行方向和列方向阵列排布的多个第一掩膜图案；以第一掩膜图案为掩膜对原始功能层进行各向同性刻蚀处理，形成多个原始功能结构；去除第一掩膜图案，以原始功能结构为掩膜对晶圆基底进行浅深硅刻蚀处理，形成纳米柱阵列衬底。该方法结合各向同性刻蚀，在晶圆基底上形成阵列排布的多个目标功能结构，有效提升光刻形成的目标功能结构的精度，通过需要掩膜的低精度光刻技术实现高精度的纳米柱阵列衬底的制备，进一步应用至拉曼光谱成像中外泌体的检测。
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公开(公告)号：CN118458689B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410910282.2
申请日：2024-07-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种用于拉曼成像的纳米柱阵列衬底及其制备方法、检测芯片，涉及生物分子检测技术领域，包括：提供晶圆基底；在晶圆基底的一侧形成原始功能层；在原始功能层背离晶圆基底的一侧形成沿行方向间隔排布的多个第一掩膜图案；基于第一掩膜图案，形成多个第二掩膜图案；去除第一掩膜图案，以第二掩膜图案为掩膜对原始功能层进行第一刻蚀处理，形成沿行方向间隔排布的多个原始功能结构；对原始功能结构进行第二刻蚀处理，形成纳米柱阵列衬底。本申请两次刻蚀处理形成目标功能结构，可以提升光刻形成的目标功能结构的精度，从而通过低精度光刻技术实现高精度的纳米柱阵列衬底的制备，提升纳米柱阵列衬底的制备效率，降低制备成本。
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公开(公告)号：CN118458688A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410910279.0
申请日：2024-07-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种用于拉曼光谱成像的纳米柱阵列衬底及其制备方法、检测芯片，涉及检测芯片技术领域，提供晶圆基底，在其一侧形成原始功能层；在原始功能层背离晶圆基底的一侧形成沿行方向和列方向阵列排布的多个第一掩膜图案；以第一掩膜图案为掩膜对原始功能层进行各向同性刻蚀处理，形成多个原始功能结构；去除第一掩膜图案，以原始功能结构为掩膜对晶圆基底进行浅深硅刻蚀处理，形成纳米柱阵列衬底。该方法结合各向同性刻蚀，在晶圆基底上形成阵列排布的多个目标功能结构，有效提升光刻形成的目标功能结构的精度，通过需要掩膜的低精度光刻技术实现高精度的纳米柱阵列衬底的制备，进一步应用至拉曼光谱成像中外泌体的检测。
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公开(公告)号：CN118458689A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410910282.2
申请日：2024-07-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种用于拉曼成像的纳米柱阵列衬底及其制备方法、检测芯片，涉及生物分子检测技术领域，包括：提供晶圆基底；在晶圆基底的一侧形成原始功能层；在原始功能层背离晶圆基底的一侧形成沿行方向间隔排布的多个第一掩膜图案；基于第一掩膜图案，形成多个第二掩膜图案；去除第一掩膜图案，以第二掩膜图案为掩膜对原始功能层进行第一刻蚀处理，形成沿行方向间隔排布的多个原始功能结构；对原始功能结构进行第二刻蚀处理，形成纳米柱阵列衬底。本申请两次刻蚀处理形成目标功能结构，可以提升光刻形成的目标功能结构的精度，从而通过低精度光刻技术实现高精度的纳米柱阵列衬底的制备，提升纳米柱阵列衬底的制备效率，降低制备成本。
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