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公开(公告)号：CN113845082B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202111052867.8
申请日：2021-09-08
Abstract: 本公开涉及一种辐射热流调控器件及其应用，该辐射热流调控器件至少包括相对设置的第一辐射体和第二辐射体，所述第一辐射体包括一相变材料层，所述相变材料层采用微纳米结构阵列。所述微纳米结构阵列为柱状阵列、二维光栅、叠层结构、微粒填充的基质所组成群组中的任一种或多种的组合。本公开主要是利用相变材料层采用的微纳米结构阵列在相变前后导致的近场局域电磁态密度的显著差异，从而实现了对近场辐射热流的高效调控。
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公开(公告)号：CN113031312A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110247073.0
申请日：2021-03-05
Applicant: 北京大学
IPC: G02F1/00
Abstract: 本发明涉及一种辐射热流调制器件及其应用，该辐射热流调制器件包括相对设置的第一辐射体和第二辐射体，其间距为10nm‑10μm；所述第一辐射体设有相变层；所述相变层采用以下两种方式之一设置：悬空设置或覆盖于含孔隙或非金属材料的第一基底上，所述孔隙或非金属材料占所述第一基底的20％(V/V)以上。本发明的技术方案主要利用材料相变前后导致的近场热辐射效应中表面模式强度的差异，从而有效增强了近场辐射热流的调制。
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公开(公告)号：CN113031312B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202110247073.0
申请日：2021-03-05
Applicant: 北京大学
IPC: G02F1/00
Abstract: 本发明涉及一种辐射热流调制器件及其应用，该辐射热流调制器件包括相对设置的第一辐射体和第二辐射体，其间距为10nm‑10μm；所述第一辐射体设有相变层；所述相变层采用以下两种方式之一设置：悬空设置或覆盖于含孔隙或非金属材料的第一基底上，所述孔隙或非金属材料占所述第一基底的20％(V/V)以上。本发明的技术方案主要利用材料相变前后导致的近场热辐射效应中表面模式强度的差异，从而有效增强了近场辐射热流的调制。
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公开(公告)号：CN115903279A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211247822.0
申请日：2022-10-12
Applicant: 北京大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明涉及一种基于同位素工程进行光谱发射率调控的方法及其应用，其包括，对待调控器件的至少一个组件进行以下同位素工程优化设计：利用不同同位素配比来调节所述组件的材料光与物质相互作用的过程，以达到目标光谱发射参数。该方法适用于包括如热二极管、热开关、热光伏电池、红外探测器等热辐射、红外探测等以需要进行光谱发射率调控的器件。此外，该方法还能通过与其他机制结合，对目标参数进行可控优化设计，实现材料多尺度、多维度的全局物性提升，有助于实现具有成本效益、晶圆规模和无光刻的选择发射器的设计，为红外探测、热辐射调控、辐射制冷等众多领域的器件发展提供新的设计思路和方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115768045A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211385954.X
申请日：2022-11-07
Applicant: 北京大学
IPC: H05K7/20
Abstract: 本发明涉及一种散热器及电子设备，该散热器包括底板、射流板和盖板。其中，底板具有若干微通道结构。射流板上开设有射流槽，射流槽上设置有歧管结构，以形成有交错排布的歧管入口和歧管出口，射流槽包括进液部和出液部。射流槽上开设有若干射流入口和射流出口，出液部和微通道结构通过歧管入口和射流入口连通，出液部和微通道结构通过歧管出口和射流出口连通，进液部和出液部通过歧管结构和微通道结构连通。盖板具有进液口和出液口。本发明所述的散热器，能够充分发挥歧管结构的降低压降的作用，避免了局部过热，也利用了微射流进行强化换热，实现了微射流和歧管式微通道的有机结合，强化了针对超高热流密度电子芯片的高效冷却能力。
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公开(公告)号：CN115752061A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211247799.5
申请日：2022-10-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种基于同位素工程调控热辐射的装置及方法，该方法可对辐射热流调制装置的辐射传热系数进行调控，该装置包括相对设置的第一辐射体和第二辐射体；其中，第一辐射体和第二辐射体中至少有一个组成元素存在两种或两种以上稳定同位素；通过材料中不同同位素的比例设计，对辐射体材料的生长同步进行膜厚监测，实现最佳材料组成和结构设计，即制备得到基于同位素工程调控的辐射热流调制装置，实现辐射传热系数的调节。该方法适用范围广泛，辐射体的间距既可为微纳米量级、又可为宏观量级；既可以增强、又可以抑制热辐射传递，且具有超过四个数量级的热辐射调控能力。通过该方案，有望提升基于热辐射的热管理、热能利用、光电器件的调控性能。
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公开(公告)号：CN114975179A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210565678.9
申请日：2022-05-23
IPC: H01L21/67
Abstract: 本公开涉及一种基于半导体微纳阵列结构的辐射热流调控器件及其应用，该辐射热流调控器件包括相对设置的第一辐射体和第二辐射体，所述第一辐射体包括微纳阵列结构的半导体材料层，所述半导体材料层含有本征半导体材料和载流子掺杂浓度小于1014cm‑3的掺杂半导体材料中的一种或两种。本公开通过采用微纳阵列结构的半导体材料层，利用半导体材料内部载流子浓度随温度的变化而导致的局域电磁态密度的变化，从而实现了对近场辐射热流的高效调控。本公开提供的辐射热流调控器件可以通过改变触发机制或是与其他部件进行组合的方式来实现热二极管、热三极管、热开关等功能。
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公开(公告)号：CN114050198A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111160015.0
申请日：2021-09-30
IPC: H01L31/08
Abstract: 本发明涉及一种基于半导体材料的辐射热流调控器件及其应用，其包含相对设置的第一辐射体和第二辐射体，所述第一辐射体设有半导体材料层，所述半导体材料层含有本征半导体材料和载流子掺杂浓度小于1016cm‑3的掺杂半导体材料中的一种或两种；第一辐射体的设置方式为悬空设置，或者所述第一辐射体包括含金属材料层的第一基底。本发明的技术方案主要利用半导体材料内部载流子浓度随温度的变化而导致的局域电磁态密度的变化来实现辐射热流的大幅度调控。本发明提供的辐射热流调控器件可以通过改变触发机制或是与其他部件进行组合的方式来实现热二极管、热三极管、热开关等功能。
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公开(公告)号：CN113845082A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111052867.8
申请日：2021-09-08
Abstract: 本公开涉及一种辐射热流调控器件及其应用，该辐射热流调控器件至少包括相对设置的第一辐射体和第二辐射体，所述第一辐射体包括一相变材料层，所述相变材料层采用微纳米结构阵列。所述微纳米结构阵列为柱状阵列、二维光栅、叠层结构、微粒填充的基质所组成群组中的任一种或多种的组合。本公开主要是利用相变材料层采用的微纳米结构阵列在相变前后导致的近场局域电磁态密度的显著差异，从而实现了对近场辐射热流的高效调控。
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