公开(公告)号：CN110096765B

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201910294484.8

申请日：2019-04-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  李艮松 ,  任哲玄 ,  黄如

IPC: G06F30/20

Abstract: 本发明公布了一种FinFET器件的单粒子效应评估方法，在FinFET器件被粒子入射前，提升器件的温度，温度变化量与自热效应引起的温度变化量相同，然后再进行粒子入射和单粒子效应表征参数的提取。本发明考虑了FinFET的自热效应对FinFET器件单粒子效应的影响，修正了以往评估方法由未考虑自热效应所带来的偏差，为FinFET器件单粒子效应的评估提供了更加准确的手段。

公开(公告)号：CN111697048A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201910187276.8

申请日：2019-03-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  任哲玄 ,  李艮松 ,  陈珙 ,  黎明 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/78 ,  H01L23/552

Abstract: 本发明公开了一种提高FinFET器件抗总剂量辐照性能的方法。该方法利用氧化层陷阱电荷密度和界面态的晶向依赖性，在版图设计时通过适当调整器件摆放方向，确保FinFET器件沟道晶向为 ，使得总剂量辐照在制备得到的FinFET器件中产生的氧化层陷阱电荷密度和界面态密度更低，从而减少总剂量辐照对FinFET器件的影响，提高FinFET器件抗总剂量辐照性能。

公开(公告)号：CN107946354A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201711144513.X

申请日：2017-11-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  任哲玄 ,  王家宁 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种抗总剂量辐射的SOI FinFET器件及其制备方法。所述SOI FinFET是在SOI衬底上通过刻蚀形成上部宽大、下部窄小的“π”形Fin条结构，其剖面形貌与字母“π”相似。“π”形Fin条下部宽度较小，因此两侧栅间距更小，使得栅对Fin条下部电势控制能力增强，从而有效减弱总剂量辐射在BOX中产生的氧化层陷阱电荷以及Fin/BOX界面态对器件特性的影响，提高其抗总剂量辐射能力。

公开(公告)号：CN107910362A

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201711146246.X

申请日：2017-11-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  任哲玄 ,  王家宁 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明公开了一种抗总剂量辐射的FinFET器件及其制备方法。所述器件在半导体衬底上通过刻蚀形成“哑铃”形Fin条结构，一方面，增强了栅对“哑铃”形Fin条较薄中部电势控制能力，能够有效减少辐照在STI区引起的陷阱电荷对Fin条电势的影响；另一方面，增大了Fin两侧STI区距离，降低辐照引起的器件关态泄漏电流退化。相比普通体硅FinFET，本发明的“哑铃”形Fin条结构还增强了器件常态栅控能力，具有更大的开态电流。