公开(公告)号：CN118387831A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410489049.1

申请日：2024-04-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 于达程 ,  田仲政 ,  任中阳 ,  田姣姣 ,  夏晨皓 ,  任黎明 ,  傅云义

IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  B82Y40/00 ,  B22F1/07

Abstract: 本发明公开一种超低功耗控制金属纳米材料表面凸起物的方法，属于纳电子学领域。本发明将中间间隙为纳米尺度的金属电极对先预制成两端器件，采用半导体参数分析仪及配套的探针台，对金属纳米间隙进行电流‑电压(I‑V)扫描，然后将电流限流在pA量级，实现纳米线表面的三维金属凸起物的产生和消失。本发明可以实现三维纳米尺度的金属结构在纳电子学领域中的应用。

公开(公告)号：CN116936625A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202210360115.6

申请日：2022-04-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 田仲政 ,  于达程 ,  任中阳 ,  田姣姣 ,  任黎明 ,  傅云义

IPC: H01L29/66

Abstract: 本发明公布了一种多量子点结构的制备方法，属于纳米或原子尺度器件领域。该方法通过对金属纳米带的几何形状进行设计，控制电迁移主要发生的位置，再利用电流焦耳热驱动的电迁移，调整电迁移过程中的电压、电流等电学参数，使发生迁移的一部分原子与既有结构断开连接，并且控制其平均原子量，从而制备出多量子点结构。本发明可以在一次制备过程中，形成彼此间距离仅数埃至数纳米的多量子点结构，量子点的直径从数埃至数纳米，因量子尺寸限域效应，量子点的能级会分裂而存在能隙。

公开(公告)号：CN116936624A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202210360109.0

申请日：2022-04-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 田仲政 ,  于达程 ,  任中阳 ,  田姣姣 ,  任黎明 ,  傅云义

IPC: H01L29/66

Abstract: 本发明公布了一种基于金属隧穿结的可栅控开关器件的实现方法，属于纳米或原子尺度器件领域。该方法在隧穿结结构之外，引入一个开关控制电极，开关控制电极经由介质或空气与隧穿结隔开，实现电绝缘。在开关控制电极上施加电压，则开关控制电极与隧穿结之间也会形成电场。因开关控制电极电场的引入，改变了隧穿结表面的电场分布，产生了垂直于沟道方向的电场分量。垂直沟道方向的电场分量，对隧穿结表面的原子同样也有库仑力作用，可使原子沿垂直于沟道方向迁移，使得原本停留在隧穿电极对尖端的原子，将会向两侧移动，而离开尖端位置，从而实现了通过开关控制电极控制隧穿结电流大小的目的，实现了可栅控开关。

公开(公告)号：CN112038487B

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202010772285.6

申请日：2020-08-04

Applicant: 北京大学

Inventor： 李慕禅 ,  田仲政 ,  彭沛 ,  于学敏 ,  于达程 ,  任黎明 ,  傅云义

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明公开了一种在垂直于衬底表面的磁场下具有M型磁阻曲线的器件的制备方法。该方法基于各向异性磁阻对电流流向与磁场方向之间的夹角非常敏感的特点，通过在沟道中间搭建构型体制作立体的三维复合型沟道，以此来改变沟道电流流向，使沟道电流具有水平与垂直两种流向，从而得到水平磁阻与垂直磁阻相叠加而产生的M型磁阻曲线。该种器件的尺度可在纳米到微米尺度之间调整，并且器件的磁阻特征可以通过改变沟道材料、沟道尺寸、构型物尺寸来调整。该种器件具备尺寸可控、可集成、工艺简单等特点。

公开(公告)号：CN114335335A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111499525.0

申请日：2021-12-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 田仲政 ,  于达程 ,  任中阳 ,  田姣姣 ,  任黎明 ,  傅云义

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公布了一种调节金属隧穿结中的间隙距离的方法，属于纳米或原子尺度器件领域。该方法利用激光照射的I‑V扫描方法，高精度控制金属隧穿结中的间隙距离。本发明可以在相当大的范围内进行调节隧穿间隙距离，可以有效控制隧穿结的电学性能。激光照射方法对隧穿结样品温和，调节过程没有损伤，属于无损方法。通过探针台、支架和光路、调焦等外围支持系统的配合，可以对制备在不同材料的衬底上的隧穿结样品进行调节，适用范围广泛。

公开(公告)号：CN112038486A

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN202010771744.9

申请日：2020-08-04

Applicant: 北京大学

Inventor： 李慕禅 ,  田仲政 ,  彭沛 ,  于学敏 ,  于达程 ,  任黎明 ,  傅云义

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01F10/14 ,  H01F10/08 ,  H01F13/00

Abstract: 本发明公开了一种在平行于衬底表面的外磁场下实现器件具有M型磁阻曲线的方法，属于微纳尺度器件技术领域。该方法通过改变二维沟道的形状来改变沟道电流流向，使沟道电流具有至少两种流向，从而得到不同取向的磁阻曲线相叠加而产生的多种不同的M型磁阻曲线。由于沟道设计成非直线的形状，因此具备可拉伸的特点，故该种器件可以在柔性衬底上制备使用。该种器件的尺度可在纳米到微米尺度之间调整，并且器件的磁阻特征可以通过改变沟道材料、沟道尺寸、组合沟道尺寸来调整。该种器件具备尺寸可控、可集成、工艺简单等特点。