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公开(公告)号：CN118854231A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310483556.X
申请日：2023-04-28
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 杨帆
Abstract: 本发明提供一种物理气相沉积设备、物理气相沉积工艺的控制方法和装置、计算机可读介质，包括工艺腔室、阻抗监测装置和控制装置，其中，阻抗监测装置分别与屏蔽组件和控制装置电连接，用于检测屏蔽组件的对地阻抗信息，并向控制装置发送；控制装置用于根据对地阻抗信息，获得屏蔽组件的表面状态，并根据屏蔽组件的表面状态，判断下一沉积工艺是执行化合物膜层沉积工艺，还是执行金属膜层沉积工艺。本发明的方案可以更准确地确定屏蔽组件的表面状态，从而可以在避免屏蔽组件上的粒子脱落以及打火现象的基础上，降低使用成本，提高机台的使用效率。
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公开(公告)号：CN117810772A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202211174813.3
申请日：2022-09-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01R13/648 , H01R13/6581 , H01L21/67 , C23C14/34
Abstract: 本申请公开了一种接地环组件及半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种接地环组件，包括接地件、滑动件和弹性件，接地件用于与基座组件连接，滑动件沿第一方向可滑动地设置于接地件，弹性件连接滑动件与接地件，滑动件具有接触面；在接地环组件上升的情况下，接触面能够与屏蔽件接触，以使基座组件、接地件、滑动件及屏蔽件电导通，且接触面相对于屏蔽件可滑动。一种半导体工艺设备，包括上述接地环组件。本申请能够解决接地环境不良造成等离子体泄漏、打火现象等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113699495B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202110684599.5
申请日：2021-06-21
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种磁控溅射组件，包括固定盘、旋转驱动机构和设置在固定盘上的磁控管，旋转驱动机构用于驱动固定盘旋转，磁控管包括多个磁极，多个磁极沿多条互相嵌套的螺旋状曲线依次排列，沿任一螺旋状曲线排列的多个磁极的极性与沿相邻的螺旋状曲线排列的多个磁极的极性相反，且沿任一螺旋状曲线排列的多个磁极中位于曲线中心的至少一个磁极的极性与其他磁极的极性相反。本发明提供的技术方案提高了磁控管旋转产生的磁场的场强分布均匀性，进而提高了磁控溅射反应中薄膜沉积速率的均匀性。本发明还提供一种磁控溅射设备和磁控溅射方法。
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公开(公告)号：CN112281116B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202011018680.1
申请日：2020-09-24
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种薄膜电极制造方法、薄膜电极及存储器。薄膜电极制造方法包括：在工艺开始后的第一时长，通入惰性气体轰击预设金属靶材，以在基板表面形成预设金属单质膜层；在第一时长后的第二时长，通入反应气体和惰性气体的混合气体，其中，在通入混合气体的过程中，逐渐减小惰性气体的流量，同时逐渐增大反应气体的流量，以在预设金属单质膜层上形成预设金属单质和预设金属与反应气体的化合物的混合过渡膜层；在第二时长后的第三时长，继续通入反应气体，同时停止输入惰性气体，以在混合过渡膜层上形成预设金属和反应气体的化合物膜层。实现改善金属单质膜层与化合物膜层之间的接触特性，提高电极性能。
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公开(公告)号：CN114883171A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210452382.6
申请日：2022-04-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体工艺腔室及其上电极结构，上电极结构包括磁控管组件、发射组件、接收组件、靶材和信号处理装置；磁控管组件位于靶材上方；发射组件与接收组件对称设置在磁控管组件沿水平方向的两侧，且高度均与磁控管组件对应；发射组件用于向接收组件发射多束沿高度方向间隔设置的光线；接收组件用于接收光线以形成光信号，将光信号转换成电信号并发送给信号处理装置；信号处理装置用于根据电信号确定磁控管组件与靶材之间的靶磁间距。在本发明中，磁控管组件能够阻挡发射组件发出的对应高度范围内的光线，进而可根据接收组件接收到光线的情况实时确定磁控管组件的高度，提高确定磁控管组件位置的效率，并保证磁控管组件位置的精确性。
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公开(公告)号：CN111058090B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202010005973.X
申请日：2020-01-03
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供的应力可调的金属氮化物硬掩膜的制备方法，通过使用合金靶材进行溅射工艺，可以使沉积在晶圆上的所述金属氮化物硬掩膜达到预设厚度，且使得所述金属氮化物硬掩膜的晶体的生长晶向为预设方向。与现有技术使用单一金属材料靶材溅射相比，上述制备方法在金属氮化物硬掩膜中引入了新的金属原子替代部分原有的金属原子，以在沉积金属氮化物硬掩膜时，引发晶格畸变，从而使金属氮化物硬掩膜的晶体在预设方向上生长，提高薄膜性能，尤其适用于14nn以下制程。
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公开(公告)号：CN210420141U
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201921035886.8
申请日：2019-07-04
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 本实用新型提供的磁控管，包括极性相反的内磁极和外磁极，外磁极包围内磁极设置，且内磁极和外磁极之间具有间隙，并且，在内磁极的延伸方向上不同位置处至旋转中心的距离不同。在本实用新型中，对内磁极的分部半径进行调整，使内磁极不同分部至旋转中心的距离不同，如此设置，即便在高气压且射频与直流同时溅射时，也能够实现全靶腐蚀，避免靶材腐蚀不均匀的现象产生。本实用新型还提供了一种磁控溅射设备。
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